Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия
Вводится критерий радиационной стойкости кремния n-типа проводимости. Предлагаются условия облучения и рассматриваются способы получения материала, обладающего повышенной радиационной стойкостью. Показана возможность кластеризации дефектов в кремнии как при облучении высокоэнергетическими протонами,...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96388 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия / Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 263-269. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-96388 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Гайдар, Г.П. Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. 2016-03-15T19:24:45Z 2016-03-15T19:24:45Z 2009 Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия / Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 263-269. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96388 621.315.592.3:546.28:539.12.04 Вводится критерий радиационной стойкости кремния n-типа проводимости. Предлагаются условия облучения и рассматриваются способы получения материала, обладающего повышенной радиационной стойкостью. Показана возможность кластеризации дефектов в кремнии как при облучении высокоэнергетическими протонами, так и при отжиге кластеров дефектов в определенном интервале температур. Обсуждаются перспективы создания сверхрешетки вакансионных пор в кремнии. Уведено критерій радіаційної стійкості кремнію n-типу провідності. Запропоновано умови опромінення та розглянуто способи отримання матеріалу, який має підвищену радіаційну стійкість. Показано можливість кластеризації дефектів у кремнії як при опроміненні високоенергетичними протонами, так і при відпалі кластерів дефектів у певному інтервалі температур. Обговорено перспективи створення надґратки вакансійних пор у кремнії. The criterion of radiation hardness for n-type silicon is determined. The irradiation conditions are proposed and the methods to obtain the material with improved radiation hardness are discussed. It is shown the possibility of clusterization of defects in silicon both under the irradiation by the high energy protons and during the annealing of defect clusters in the specific temperature interval. The perspective for the formation of superlattice of vacancy pores in silicon is considered. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия Отримання високоомного кремнію з підвищеною радіаційною стійкістю: критерії та умови Producing of high-resistance silicon with increased radiation hardness: criteria and conditions Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| spellingShingle |
Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия Гайдар, Г.П. Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title_short |
Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| title_full |
Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| title_fullStr |
Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| title_full_unstemmed |
Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| title_sort |
получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| author |
Гайдар, Г.П. Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. |
| author_facet |
Гайдар, Г.П. Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. |
| topic |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet |
Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| publishDate |
2009 |
| language |
Russian |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Отримання високоомного кремнію з підвищеною радіаційною стійкістю: критерії та умови Producing of high-resistance silicon with increased radiation hardness: criteria and conditions |
| description |
Вводится критерий радиационной стойкости кремния n-типа проводимости. Предлагаются условия облучения и рассматриваются способы получения материала, обладающего повышенной радиационной стойкостью. Показана возможность кластеризации дефектов в кремнии как при облучении высокоэнергетическими протонами, так и при отжиге кластеров дефектов в определенном интервале температур. Обсуждаются перспективы создания сверхрешетки вакансионных пор в кремнии.
Уведено критерій радіаційної стійкості кремнію n-типу провідності. Запропоновано умови опромінення
та розглянуто способи отримання матеріалу, який має підвищену радіаційну стійкість. Показано можливість
кластеризації дефектів у кремнії як при опроміненні високоенергетичними протонами, так і при відпалі кластерів дефектів у певному інтервалі температур. Обговорено перспективи створення надґратки вакансійних
пор у кремнії.
The criterion of radiation hardness for n-type silicon is determined. The irradiation conditions are proposed and
the methods to obtain the material with improved radiation hardness are discussed. It is shown the possibility of
clusterization of defects in silicon both under the irradiation by the high energy protons and during the annealing of
defect clusters in the specific temperature interval. The perspective for the formation of superlattice of vacancy
pores in silicon is considered.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96388 |
| citation_txt |
Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия / Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 263-269. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT gaidargp polučenievysokoomnogokremniâspovyšennoiradiacionnoistoikostʹûkriteriiiusloviâ AT dolgolenkoap polučenievysokoomnogokremniâspovyšennoiradiacionnoistoikostʹûkriteriiiusloviâ AT litovčenkopg polučenievysokoomnogokremniâspovyšennoiradiacionnoistoikostʹûkriteriiiusloviâ AT gaidargp otrimannâvisokoomnogokremníûzpídviŝenoûradíacíinoûstíikístûkriteríítaumovi AT dolgolenkoap otrimannâvisokoomnogokremníûzpídviŝenoûradíacíinoûstíikístûkriteríítaumovi AT litovčenkopg otrimannâvisokoomnogokremníûzpídviŝenoûradíacíinoûstíikístûkriteríítaumovi AT gaidargp producingofhighresistancesiliconwithincreasedradiationhardnesscriteriaandconditions AT dolgolenkoap producingofhighresistancesiliconwithincreasedradiationhardnesscriteriaandconditions AT litovčenkopg producingofhighresistancesiliconwithincreasedradiationhardnesscriteriaandconditions |
| first_indexed |
2025-12-01T21:36:03Z |
| last_indexed |
2025-12-01T21:36:03Z |
| _version_ |
1850861001139814400 |