Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия
Вводится критерий радиационной стойкости кремния n-типа проводимости. Предлагаются условия облучения и рассматриваются способы получения материала, обладающего повышенной радиационной стойкостью. Показана возможность кластеризации дефектов в кремнии как при облучении высокоэнергетическими протонами,...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2009 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2009
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96388 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия / Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 263-269. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862652646462062592 |
|---|---|
| author | Гайдар, Г.П. Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. |
| author_facet | Гайдар, Г.П. Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. |
| citation_txt | Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия / Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 263-269. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Вводится критерий радиационной стойкости кремния n-типа проводимости. Предлагаются условия облучения и рассматриваются способы получения материала, обладающего повышенной радиационной стойкостью. Показана возможность кластеризации дефектов в кремнии как при облучении высокоэнергетическими протонами, так и при отжиге кластеров дефектов в определенном интервале температур. Обсуждаются перспективы создания сверхрешетки вакансионных пор в кремнии.
Уведено критерій радіаційної стійкості кремнію n-типу провідності. Запропоновано умови опромінення
та розглянуто способи отримання матеріалу, який має підвищену радіаційну стійкість. Показано можливість
кластеризації дефектів у кремнії як при опроміненні високоенергетичними протонами, так і при відпалі кластерів дефектів у певному інтервалі температур. Обговорено перспективи створення надґратки вакансійних
пор у кремнії.
The criterion of radiation hardness for n-type silicon is determined. The irradiation conditions are proposed and
the methods to obtain the material with improved radiation hardness are discussed. It is shown the possibility of
clusterization of defects in silicon both under the irradiation by the high energy protons and during the annealing of
defect clusters in the specific temperature interval. The perspective for the formation of superlattice of vacancy
pores in silicon is considered.
|
| first_indexed | 2025-12-01T21:36:03Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-96388 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T21:36:03Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гайдар, Г.П. Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. 2016-03-15T19:24:45Z 2016-03-15T19:24:45Z 2009 Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия / Г.П. Гайдар, А.П. Долголенко, П.Г. Литовченко // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 263-269. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96388 621.315.592.3:546.28:539.12.04 Вводится критерий радиационной стойкости кремния n-типа проводимости. Предлагаются условия облучения и рассматриваются способы получения материала, обладающего повышенной радиационной стойкостью. Показана возможность кластеризации дефектов в кремнии как при облучении высокоэнергетическими протонами, так и при отжиге кластеров дефектов в определенном интервале температур. Обсуждаются перспективы создания сверхрешетки вакансионных пор в кремнии. Уведено критерій радіаційної стійкості кремнію n-типу провідності. Запропоновано умови опромінення
 та розглянуто способи отримання матеріалу, який має підвищену радіаційну стійкість. Показано можливість
 кластеризації дефектів у кремнії як при опроміненні високоенергетичними протонами, так і при відпалі кластерів дефектів у певному інтервалі температур. Обговорено перспективи створення надґратки вакансійних
 пор у кремнії. The criterion of radiation hardness for n-type silicon is determined. The irradiation conditions are proposed and
 the methods to obtain the material with improved radiation hardness are discussed. It is shown the possibility of
 clusterization of defects in silicon both under the irradiation by the high energy protons and during the annealing of
 defect clusters in the specific temperature interval. The perspective for the formation of superlattice of vacancy
 pores in silicon is considered. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия Отримання високоомного кремнію з підвищеною радіаційною стійкістю: критерії та умови Producing of high-resistance silicon with increased radiation hardness: criteria and conditions Article published earlier |
| spellingShingle | Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия Гайдар, Г.П. Долголенко, А.П. Литовченко, П.Г. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title | Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| title_alt | Отримання високоомного кремнію з підвищеною радіаційною стійкістю: критерії та умови Producing of high-resistance silicon with increased radiation hardness: criteria and conditions |
| title_full | Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| title_fullStr | Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| title_full_unstemmed | Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| title_short | Получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| title_sort | получение высокоомного кремния с повышенной радиационной стойкостью: критерии и условия |
| topic | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96388 |
| work_keys_str_mv | AT gaidargp polučenievysokoomnogokremniâspovyšennoiradiacionnoistoikostʹûkriteriiiusloviâ AT dolgolenkoap polučenievysokoomnogokremniâspovyšennoiradiacionnoistoikostʹûkriteriiiusloviâ AT litovčenkopg polučenievysokoomnogokremniâspovyšennoiradiacionnoistoikostʹûkriteriiiusloviâ AT gaidargp otrimannâvisokoomnogokremníûzpídviŝenoûradíacíinoûstíikístûkriteríítaumovi AT dolgolenkoap otrimannâvisokoomnogokremníûzpídviŝenoûradíacíinoûstíikístûkriteríítaumovi AT litovčenkopg otrimannâvisokoomnogokremníûzpídviŝenoûradíacíinoûstíikístûkriteríítaumovi AT gaidargp producingofhighresistancesiliconwithincreasedradiationhardnesscriteriaandconditions AT dolgolenkoap producingofhighresistancesiliconwithincreasedradiationhardnesscriteriaandconditions AT litovčenkopg producingofhighresistancesiliconwithincreasedradiationhardnesscriteriaandconditions |