Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации
Приводятся результаты исследований морфологической структуры островковых систем, сформировавшихся в результате плавления-кристаллизации конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi эвтектического состава толщиной 2…70 нм на углеродной подложке. Обнаружена немонотонная зависимость коэффициента заполнения п...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2009
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96393 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации / Н.Т. Гладких, А.П. Крышталь, Р.В. Сухов, Л.Н.Чепурная // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 293-297. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862582102825893888 |
|---|---|
| author | Гладких, Н.Т. Крышталь, А.П. Сухов, Р.В. Чепурная, Л.Н. |
| author_facet | Гладких, Н.Т. Крышталь, А.П. Сухов, Р.В. Чепурная, Л.Н. |
| citation_txt | Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации / Н.Т. Гладких, А.П. Крышталь, Р.В. Сухов, Л.Н.Чепурная // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 293-297. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | Приводятся результаты исследований морфологической структуры островковых систем, сформировавшихся в результате плавления-кристаллизации конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi эвтектического состава толщиной 2…70 нм на углеродной подложке. Обнаружена немонотонная зависимость коэффициента заполнения подложки при изменении массовой толщины пленок после их плавления и кристаллизации. Определен интервал толщин пленок, при плавлении которых формируются островковые системы с достаточно узким распределением частиц по размерам.
Наведено результати досліджень морфологічної структури острівцевих систем, що формуються в результаті плавлення-кристалізації конденсованих плівок Sn, Bi та Sn-Bi евтектичного складу товщиною 2…70 нм
на вуглецевій підкладці. Виявлена немонотонна залежність коефіцієнту заповнення підкладки при зміні масової товщини плівок після їх плавлення та кристалізації. Визначений інтервал товщини плівок, при плавленні яких формуються острівцеві системи з досить вузьким розподілом частинок за розміром.
The results of studies of morphological structure of island system formed during melting-crystallization of Sn, Bi
and eutectic composition Sn-Bi condensed films of 2…70 nm thickness on the carbon substrate have been presented.
Non-monotone dependence of the substrate fill factor has been exposed at the variation of film mass thickness
after their melting and crystallization. It was determined the interval of film thicknesses, at melting of which
the island systems with the narrow distribution of particles over sizes are formed.
|
| first_indexed | 2025-11-26T22:43:54Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-96393 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T22:43:54Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гладких, Н.Т. Крышталь, А.П. Сухов, Р.В. Чепурная, Л.Н. 2016-03-15T21:10:01Z 2016-03-15T21:10:01Z 2009 Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации / Н.Т. Гладких, А.П. Крышталь, Р.В. Сухов, Л.Н.Чепурная // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 4. — С. 293-297. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1562-6016 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96393 538.975 Приводятся результаты исследований морфологической структуры островковых систем, сформировавшихся в результате плавления-кристаллизации конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi эвтектического состава толщиной 2…70 нм на углеродной подложке. Обнаружена немонотонная зависимость коэффициента заполнения подложки при изменении массовой толщины пленок после их плавления и кристаллизации. Определен интервал толщин пленок, при плавлении которых формируются островковые системы с достаточно узким распределением частиц по размерам. Наведено результати досліджень морфологічної структури острівцевих систем, що формуються в результаті плавлення-кристалізації конденсованих плівок Sn, Bi та Sn-Bi евтектичного складу товщиною 2…70 нм
 на вуглецевій підкладці. Виявлена немонотонна залежність коефіцієнту заповнення підкладки при зміні масової товщини плівок після їх плавлення та кристалізації. Визначений інтервал товщини плівок, при плавленні яких формуються острівцеві системи з досить вузьким розподілом частинок за розміром. The results of studies of morphological structure of island system formed during melting-crystallization of Sn, Bi
 and eutectic composition Sn-Bi condensed films of 2…70 nm thickness on the carbon substrate have been presented.
 Non-monotone dependence of the substrate fill factor has been exposed at the variation of film mass thickness
 after their melting and crystallization. It was determined the interval of film thicknesses, at melting of which
 the island systems with the narrow distribution of particles over sizes are formed. ru Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Физика радиационных и ионно-плазменных технологий Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации Зміна морфологічної структури конденсованих плівок Sn, Bi і Sn-Bi на С-підкладці при плавленні ↔ кристалізації Variation of morphological structure of Sn, Bi and Sn-Bi condenced films on C-substrate during their melting ↔ crystallization Article published earlier |
| spellingShingle | Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации Гладких, Н.Т. Крышталь, А.П. Сухов, Р.В. Чепурная, Л.Н. Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| title | Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации |
| title_alt | Зміна морфологічної структури конденсованих плівок Sn, Bi і Sn-Bi на С-підкладці при плавленні ↔ кристалізації Variation of morphological structure of Sn, Bi and Sn-Bi condenced films on C-substrate during their melting ↔ crystallization |
| title_full | Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации |
| title_fullStr | Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации |
| title_full_unstemmed | Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации |
| title_short | Изменение морфологической структуры конденсированных пленок Sn, Bi и Sn-Bi на С-подложке при плавлении ↔ кристаллизации |
| title_sort | изменение морфологической структуры конденсированных пленок sn, bi и sn-bi на с-подложке при плавлении ↔ кристаллизации |
| topic | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| topic_facet | Физика радиационных и ионно-плазменных технологий |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96393 |
| work_keys_str_mv | AT gladkihnt izmeneniemorfologičeskoistrukturykondensirovannyhplenoksnbiisnbinaspodložkepriplavleniikristallizacii AT kryštalʹap izmeneniemorfologičeskoistrukturykondensirovannyhplenoksnbiisnbinaspodložkepriplavleniikristallizacii AT suhovrv izmeneniemorfologičeskoistrukturykondensirovannyhplenoksnbiisnbinaspodložkepriplavleniikristallizacii AT čepurnaâln izmeneniemorfologičeskoistrukturykondensirovannyhplenoksnbiisnbinaspodložkepriplavleniikristallizacii AT gladkihnt zmínamorfologíčnoístrukturikondensovanihplívoksnbiísnbinaspídkladcípriplavlenníkristalízacíí AT kryštalʹap zmínamorfologíčnoístrukturikondensovanihplívoksnbiísnbinaspídkladcípriplavlenníkristalízacíí AT suhovrv zmínamorfologíčnoístrukturikondensovanihplívoksnbiísnbinaspídkladcípriplavlenníkristalízacíí AT čepurnaâln zmínamorfologíčnoístrukturikondensovanihplívoksnbiísnbinaspídkladcípriplavlenníkristalízacíí AT gladkihnt variationofmorphologicalstructureofsnbiandsnbicondencedfilmsoncsubstrateduringtheirmeltingcrystallization AT kryštalʹap variationofmorphologicalstructureofsnbiandsnbicondencedfilmsoncsubstrateduringtheirmeltingcrystallization AT suhovrv variationofmorphologicalstructureofsnbiandsnbicondencedfilmsoncsubstrateduringtheirmeltingcrystallization AT čepurnaâln variationofmorphologicalstructureofsnbiandsnbicondencedfilmsoncsubstrateduringtheirmeltingcrystallization |