Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters

The paper considers the possibilities of stabilization of microstructures created in the latent tracks in single-crystalline silicon by multicharged ions from the nuclear fragments formed as a result of heavy element photofission in the process of hydrogenating. The presence of hydrogen in the amo...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Вопросы атомной науки и техники
Date:	2009
Main Authors:	Dovbnya, A.N., Yefimov, V.P., Abyzov, A.S., Rybka, A.V., Bereznyak, E.P., Zakutin, V.V., Reshetnyak, N.G., Blinkin, A.A., Romas’ko, V.P., Gabelkov, S.V., Tarasov, R.V.
Format:	Article
Language:	English
Published:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2009
Subjects:	Ядернo-физические методы и обработка данных
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96510
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, E.P.Bereznyak, V.V. Zakutin, N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko, S.V.Gabelkov, R.V.Tarasov, // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 75-80. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-96510
record_format	dspace
spelling	Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Abyzov, A.S. Rybka, A.V. Bereznyak, E.P. Zakutin, V.V. Reshetnyak, N.G. Blinkin, A.A. Romas’ko, V.P. Gabelkov, S.V. Tarasov, R.V. 2016-03-17T20:32:54Z 2016-03-17T20:32:54Z 2009 Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, E.P.Bereznyak, V.V. Zakutin, N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko, S.V.Gabelkov, R.V.Tarasov, // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 75-80. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 03.65.Pm, 03.65.Ge, 61.80.Mk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96510 The paper considers the possibilities of stabilization of microstructures created in the latent tracks in single-crystalline silicon by multicharged ions from the nuclear fragments formed as a result of heavy element photofission in the process of hydrogenating. The presence of hydrogen in the amorphous silicon structures leads to the clustering of vacancies, intrinsic interstitial and impurity atoms. For quantum structures, passivated with hydrogen atoms, the annihilation process is slowed down. In the process of annealing the silicon structures the strong (Si − H)n-bonds prevent the defect annihilation and thus stimulate the processes of precipitation and clusterization. Hydrogen, filling the irradiation-broken bonds, neutralizes their electrical activity. Optimal conditions for stabilisation of such structures are determined: irradiation doses, methods of hydrogenation and dissociation of H2, annealing parameters. Розглядаються можливостi стабiлiзацiї мiкроструктур, створюваних в прихованих треках в монокристалiчному кремнiї багатозарядними iонами з осколкiв ядер важких елементiв при їх фотодiленнi, в процесi гiдрування. Присутнiсть водню в аморфних структурах кремнiю приводить до кластеризацiї вакансiй, власних мiжвузельних i домiшкових атомiв. Для квантових структур, пасивованих атомами водню, процес анiгiляцiї загальмований. При вiдпалi кремнiєвих структур мiцнi (Si − H)n-зв’язки перешкоджають анiгiляцiї дефектiв i тим самим стимулюють процеси преципiтацiї i кластеризацiї. Водень, заповнюючи обiрванi в результатi опромiнювання зв’язки, нейтралiзує їх електричну активнiсть. Визначено оптимальнi умови створення таких структур: дози опромiнювання, методи гiдрування та дисоцiацiї H2, режими вiдпалу. Рассматриваются возможности стабилизации микроструктур, создаваемых в скрытых треках в моно-кристаллическом кремнии многозарядными ионами из осколков ядер тяжелых элементов при их фото- делении, в процессе гидрирования. Присутствие водорода в аморфных структурах кремния приводит к кластеризации вакансий, собственных межузельных и примесных атомов. Для квантовых структур, пассивированных атомами водорода, процесс аннигиляции заторможен. При отжиге кремниевых структур прочные (Si − H)n-связи препятствуют аннигиляции дефектов и тем самым стимулируют процессы преципитации и кластеризации. Водород, заполняя оборванные в результате облучения связи, нейтрализует их электрическую активность. Определены оптимальные условия создания таких структур: дозы облучения, методы гидрирования и диссоциации H2, режимы отжига. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Ядернo-физические методы и обработка данных Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters Стабiлiзацiя нанорозмiрних структур в об’ємi монокристалiчного кремнiю для фотоперетворювачiв Стабилизация наноразмерных структур в объеме монокристаллического кремния для фотопреобразователей Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
spellingShingle	Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Abyzov, A.S. Rybka, A.V. Bereznyak, E.P. Zakutin, V.V. Reshetnyak, N.G. Blinkin, A.A. Romas’ko, V.P. Gabelkov, S.V. Tarasov, R.V. Ядернo-физические методы и обработка данных
title_short	Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
title_full	Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
title_fullStr	Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
title_full_unstemmed	Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
title_sort	stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters
author	Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Abyzov, A.S. Rybka, A.V. Bereznyak, E.P. Zakutin, V.V. Reshetnyak, N.G. Blinkin, A.A. Romas’ko, V.P. Gabelkov, S.V. Tarasov, R.V.
author_facet	Dovbnya, A.N. Yefimov, V.P. Abyzov, A.S. Rybka, A.V. Bereznyak, E.P. Zakutin, V.V. Reshetnyak, N.G. Blinkin, A.A. Romas’ko, V.P. Gabelkov, S.V. Tarasov, R.V.
topic	Ядернo-физические методы и обработка данных
topic_facet	Ядернo-физические методы и обработка данных
publishDate	2009
language	English
container_title	Вопросы атомной науки и техники
publisher	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format	Article
title_alt	Стабiлiзацiя нанорозмiрних структур в об’ємi монокристалiчного кремнiю для фотоперетворювачiв Стабилизация наноразмерных структур в объеме монокристаллического кремния для фотопреобразователей
description	The paper considers the possibilities of stabilization of microstructures created in the latent tracks in single-crystalline silicon by multicharged ions from the nuclear fragments formed as a result of heavy element photofission in the process of hydrogenating. The presence of hydrogen in the amorphous silicon structures leads to the clustering of vacancies, intrinsic interstitial and impurity atoms. For quantum structures, passivated with hydrogen atoms, the annihilation process is slowed down. In the process of annealing the silicon structures the strong (Si − H)n-bonds prevent the defect annihilation and thus stimulate the processes of precipitation and clusterization. Hydrogen, filling the irradiation-broken bonds, neutralizes their electrical activity. Optimal conditions for stabilisation of such structures are determined: irradiation doses, methods of hydrogenation and dissociation of H2, annealing parameters. Розглядаються можливостi стабiлiзацiї мiкроструктур, створюваних в прихованих треках в монокристалiчному кремнiї багатозарядними iонами з осколкiв ядер важких елементiв при їх фотодiленнi, в процесi гiдрування. Присутнiсть водню в аморфних структурах кремнiю приводить до кластеризацiї вакансiй, власних мiжвузельних i домiшкових атомiв. Для квантових структур, пасивованих атомами водню, процес анiгiляцiї загальмований. При вiдпалi кремнiєвих структур мiцнi (Si − H)n-зв’язки перешкоджають анiгiляцiї дефектiв i тим самим стимулюють процеси преципiтацiї i кластеризацiї. Водень, заповнюючи обiрванi в результатi опромiнювання зв’язки, нейтралiзує їх електричну активнiсть. Визначено оптимальнi умови створення таких структур: дози опромiнювання, методи гiдрування та дисоцiацiї H2, режими вiдпалу. Рассматриваются возможности стабилизации микроструктур, создаваемых в скрытых треках в моно-кристаллическом кремнии многозарядными ионами из осколков ядер тяжелых элементов при их фото- делении, в процессе гидрирования. Присутствие водорода в аморфных структурах кремния приводит к кластеризации вакансий, собственных межузельных и примесных атомов. Для квантовых структур, пассивированных атомами водорода, процесс аннигиляции заторможен. При отжиге кремниевых структур прочные (Si − H)n-связи препятствуют аннигиляции дефектов и тем самым стимулируют процессы преципитации и кластеризации. Водород, заполняя оборванные в результате облучения связи, нейтрализует их электрическую активность. Определены оптимальные условия создания таких структур: дозы облучения, методы гидрирования и диссоциации H2, режимы отжига.
issn	1562-6016
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96510
citation_txt	Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters / A.N. Dovbnya, V.P. Yefimov, A.S. Abyzov, A.V. Rybka, E.P.Bereznyak, V.V. Zakutin, N.G. Reshetnyak, A.A. Blinkin, V.P. Romas’ko, S.V.Gabelkov, R.V.Tarasov, // Вопросы атомной науки и техники. — 2009. — № 5. — С. 75-80. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.
work_keys_str_mv	AT dovbnyaan stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT yefimovvp stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT abyzovas stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT rybkaav stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT bereznyakep stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT zakutinvv stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT reshetnyakng stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT blinkinaa stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT romaskovp stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT gabelkovsv stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT tarasovrv stabilizationofnanosizedstructuresinthevolumeofsinglecrystallinesiliconforphotoconverters AT dovbnyaan stabilizaciânanorozmirnihstrukturvobêmimonokristaličnogokremniûdlâfotoperetvorûvačiv AT yefimovvp stabilizaciânanorozmirnihstrukturvobêmimonokristaličnogokremniûdlâfotoperetvorûvačiv AT abyzovas stabilizaciânanorozmirnihstrukturvobêmimonokristaličnogokremniûdlâfotoperetvorûvačiv AT rybkaav stabilizaciânanorozmirnihstrukturvobêmimonokristaličnogokremniûdlâfotoperetvorûvačiv AT bereznyakep stabilizaciânanorozmirnihstrukturvobêmimonokristaličnogokremniûdlâfotoperetvorûvačiv AT zakutinvv stabilizaciânanorozmirnihstrukturvobêmimonokristaličnogokremniûdlâfotoperetvorûvačiv AT reshetnyakng stabilizaciânanorozmirnihstrukturvobêmimonokristaličnogokremniûdlâfotoperetvorûvačiv AT blinkinaa stabilizaciânanorozmirnihstrukturvobêmimonokristaličnogokremniûdlâfotoperetvorûvačiv AT romaskovp stabilizaciânanorozmirnihstrukturvobêmimonokristaličnogokremniûdlâfotoperetvorûvačiv AT gabelkovsv stabilizaciânanorozmirnihstrukturvobêmimonokristaličnogokremniûdlâfotoperetvorûvačiv AT tarasovrv stabilizaciânanorozmirnihstrukturvobêmimonokristaličnogokremniûdlâfotoperetvorûvačiv AT dovbnyaan stabilizaciânanorazmernyhstrukturvobʺememonokristalličeskogokremniâdlâfotopreobrazovatelei AT yefimovvp stabilizaciânanorazmernyhstrukturvobʺememonokristalličeskogokremniâdlâfotopreobrazovatelei AT abyzovas stabilizaciânanorazmernyhstrukturvobʺememonokristalličeskogokremniâdlâfotopreobrazovatelei AT rybkaav stabilizaciânanorazmernyhstrukturvobʺememonokristalličeskogokremniâdlâfotopreobrazovatelei AT bereznyakep stabilizaciânanorazmernyhstrukturvobʺememonokristalličeskogokremniâdlâfotopreobrazovatelei AT zakutinvv stabilizaciânanorazmernyhstrukturvobʺememonokristalličeskogokremniâdlâfotopreobrazovatelei AT reshetnyakng stabilizaciânanorazmernyhstrukturvobʺememonokristalličeskogokremniâdlâfotopreobrazovatelei AT blinkinaa stabilizaciânanorazmernyhstrukturvobʺememonokristalličeskogokremniâdlâfotopreobrazovatelei AT romaskovp stabilizaciânanorazmernyhstrukturvobʺememonokristalličeskogokremniâdlâfotopreobrazovatelei AT gabelkovsv stabilizaciânanorazmernyhstrukturvobʺememonokristalličeskogokremniâdlâfotopreobrazovatelei AT tarasovrv stabilizaciânanorazmernyhstrukturvobʺememonokristalličeskogokremniâdlâfotopreobrazovatelei
first_indexed	2025-12-07T13:16:17Z
last_indexed	2025-12-07T13:16:17Z
_version_	1850855524900274176

Stabilization of nano-sized structures in the volume of single-crystalline silicon for photoconverters

Institution

Similar Items