Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом
Рассмотрен вопрос экспериментального исследования температурного поля в профилированном монокристалле вольфрама при плазменно-индукционном способе выращивания. На основании данных прямых измерений температур в кристалле с помощью термопар ВР 5/20 выполнен анализ температурных градиентов в его объеме...
Saved in:
| Published in: | Современная электрометаллургия |
|---|---|
| Date: | 2014 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96900 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом / В.А. Шаповалов, В.В. Якуша, Ю.А. Никитенко, В.В. Долиненко, А.Н. Гниздыло, В.В. Жолудь // Современная электрометаллургия. — 2014. — № 3 (116). — С. 31-35. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862698287685959680 |
|---|---|
| author | Шаповалов, В.А. Якуша, В.В. Никитенко, Ю.А. Долиненко, В.В. Гниздыло, А.Н. Жолудь, В.В. |
| author_facet | Шаповалов, В.А. Якуша, В.В. Никитенко, Ю.А. Долиненко, В.В. Гниздыло, А.Н. Жолудь, В.В. |
| citation_txt | Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом / В.А. Шаповалов, В.В. Якуша, Ю.А. Никитенко, В.В. Долиненко, А.Н. Гниздыло, В.В. Жолудь // Современная электрометаллургия. — 2014. — № 3 (116). — С. 31-35. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Современная электрометаллургия |
| description | Рассмотрен вопрос экспериментального исследования температурного поля в профилированном монокристалле вольфрама при плазменно-индукционном способе выращивания. На основании данных прямых измерений температур в кристалле с помощью термопар ВР 5/20 выполнен анализ температурных градиентов в его объеме. Показано, что при данном способе выращивание монокристалла проходит в условиях практически плоского фронта кристаллизации, и термонапряженное состояние профилированного кристалла в основном определяется значением градиентов температур вдоль его ширины и высоты. Установлено, что максимальное значение температурных градиентов составляет соответственно 36 и 90 °С/мм, а зона их максимума сосредоточена вблизи фронта кристаллизации. Выявлено, что индукционный нагрев боковой поверхности монокристалла способствует уменьшению уровня температурных градиентов в его объеме. На расстоянии двух толщин кристалла от его верхнего торца формирование структуры монокристалла в твердой фазе происходит при постоянном градиенте температур. Выполнен сравнительный анализ пространственного распределения градиентов температур монокристаллов плазменно-дугового и плазменно-индукционного способов плавки. Экспериментально подтверждено, что плазменно-индукционный процесс формирования крупного профилированного монокристалла сопровождается меньшими (на 10...15 °С/мм) значениями градиентов температур в большей части его объема по сравнению с плазменно-дуговым процессом формирования цилиндрического кристалла диаметром 30 мм.
The paper deals with experimental study of temperature field in a profiled tungsten single-crystal at plasma-induction growth method. Analysis of temperature gradients in the crystal volume was performed proceeding from the data of direct measurements of temperatures in the crystal with BP 5/20 thermocouples. It is shown that with this method single-crystal growing proceeds under the conditions of practically plane solidification front, and thermostressed state of profiled single-crystal is mainly determined by the value of temperature gradients along its width and height. It is established that the maximum value of temperature gradients is equal to 36 and 90 °C/mm, respectively, and the zone of their maximum is concentrated near the solidification front. It is found that induction heating of single-crystal side surface promotes lowering of the level of temperature gradients in its volume. At the distance of two crystal thicknesses from its upper face formation of single-crystal structure in the solid phase proceeds at a constant temperature gradient. Comparative analysis of spatial distribution of temperature gradients in single-crystals of plasma-arc and plasma-induction melting processes was performed. It is experimentally confirmed that plasma-induction process of forming a large profiled single-crystal is accompanied by smaller (by 10...15 °C/mm) values of temperature gradients in the greater part of its volume, compared to plasma-arc process of formation of a cylindrical crystal of 30 mm diameter.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:32:31Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-96900 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0233-7681 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:32:31Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Шаповалов, В.А. Якуша, В.В. Никитенко, Ю.А. Долиненко, В.В. Гниздыло, А.Н. Жолудь, В.В. 2016-03-22T06:58:03Z 2016-03-22T06:58:03Z 2014 Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом / В.А. Шаповалов, В.В. Якуша, Ю.А. Никитенко, В.В. Долиненко, А.Н. Гниздыло, В.В. Жолудь // Современная электрометаллургия. — 2014. — № 3 (116). — С. 31-35. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0233-7681 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96900 669.187.58 Рассмотрен вопрос экспериментального исследования температурного поля в профилированном монокристалле вольфрама при плазменно-индукционном способе выращивания. На основании данных прямых измерений температур в кристалле с помощью термопар ВР 5/20 выполнен анализ температурных градиентов в его объеме. Показано, что при данном способе выращивание монокристалла проходит в условиях практически плоского фронта кристаллизации, и термонапряженное состояние профилированного кристалла в основном определяется значением градиентов температур вдоль его ширины и высоты. Установлено, что максимальное значение температурных градиентов составляет соответственно 36 и 90 °С/мм, а зона их максимума сосредоточена вблизи фронта кристаллизации. Выявлено, что индукционный нагрев боковой поверхности монокристалла способствует уменьшению уровня температурных градиентов в его объеме. На расстоянии двух толщин кристалла от его верхнего торца формирование структуры монокристалла в твердой фазе происходит при постоянном градиенте температур. Выполнен сравнительный анализ пространственного распределения градиентов температур монокристаллов плазменно-дугового и плазменно-индукционного способов плавки. Экспериментально подтверждено, что плазменно-индукционный процесс формирования крупного профилированного монокристалла сопровождается меньшими (на 10...15 °С/мм) значениями градиентов температур в большей части его объема по сравнению с плазменно-дуговым процессом формирования цилиндрического кристалла диаметром 30 мм. The paper deals with experimental study of temperature field in a profiled tungsten single-crystal at plasma-induction growth method. Analysis of temperature gradients in the crystal volume was performed proceeding from the data of direct measurements of temperatures in the crystal with BP 5/20 thermocouples. It is shown that with this method single-crystal growing proceeds under the conditions of practically plane solidification front, and thermostressed state of profiled single-crystal is mainly determined by the value of temperature gradients along its width and height. It is established that the maximum value of temperature gradients is equal to 36 and 90 °C/mm, respectively, and the zone of their maximum is concentrated near the solidification front. It is found that induction heating of single-crystal side surface promotes lowering of the level of temperature gradients in its volume. At the distance of two crystal thicknesses from its upper face formation of single-crystal structure in the solid phase proceeds at a constant temperature gradient. Comparative analysis of spatial distribution of temperature gradients in single-crystals of plasma-arc and plasma-induction melting processes was performed. It is experimentally confirmed that plasma-induction process of forming a large profiled single-crystal is accompanied by smaller (by 10...15 °C/mm) values of temperature gradients in the greater part of its volume, compared to plasma-arc process of formation of a cylindrical crystal of 30 mm diameter. ru Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона НАН України Современная электрометаллургия Плазменно-дуговая технология Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом Studying the temperature field of profiled tungsten single-crystals produced by plasma-induction process Article published earlier |
| spellingShingle | Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом Шаповалов, В.А. Якуша, В.В. Никитенко, Ю.А. Долиненко, В.В. Гниздыло, А.Н. Жолудь, В.В. Плазменно-дуговая технология |
| title | Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом |
| title_alt | Studying the temperature field of profiled tungsten single-crystals produced by plasma-induction process |
| title_full | Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом |
| title_fullStr | Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом |
| title_full_unstemmed | Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом |
| title_short | Изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом |
| title_sort | изучение температурного поля профилированных монокристаллов вольфрама, получаемых плазменно-индукционным способом |
| topic | Плазменно-дуговая технология |
| topic_facet | Плазменно-дуговая технология |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96900 |
| work_keys_str_mv | AT šapovalovva izučenietemperaturnogopolâprofilirovannyhmonokristallovvolʹframapolučaemyhplazmennoindukcionnymsposobom AT âkušavv izučenietemperaturnogopolâprofilirovannyhmonokristallovvolʹframapolučaemyhplazmennoindukcionnymsposobom AT nikitenkoûa izučenietemperaturnogopolâprofilirovannyhmonokristallovvolʹframapolučaemyhplazmennoindukcionnymsposobom AT dolinenkovv izučenietemperaturnogopolâprofilirovannyhmonokristallovvolʹframapolučaemyhplazmennoindukcionnymsposobom AT gnizdyloan izučenietemperaturnogopolâprofilirovannyhmonokristallovvolʹframapolučaemyhplazmennoindukcionnymsposobom AT žoludʹvv izučenietemperaturnogopolâprofilirovannyhmonokristallovvolʹframapolučaemyhplazmennoindukcionnymsposobom AT šapovalovva studyingthetemperaturefieldofprofiledtungstensinglecrystalsproducedbyplasmainductionprocess AT âkušavv studyingthetemperaturefieldofprofiledtungstensinglecrystalsproducedbyplasmainductionprocess AT nikitenkoûa studyingthetemperaturefieldofprofiledtungstensinglecrystalsproducedbyplasmainductionprocess AT dolinenkovv studyingthetemperaturefieldofprofiledtungstensinglecrystalsproducedbyplasmainductionprocess AT gnizdyloan studyingthetemperaturefieldofprofiledtungstensinglecrystalsproducedbyplasmainductionprocess AT žoludʹvv studyingthetemperaturefieldofprofiledtungstensinglecrystalsproducedbyplasmainductionprocess |