Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавiтацiйної обробки в рiдкому азотi
Наведено результати комплексних дослiджень ефекту наноструктурування базових напiвпровiдникiв оптоелектронiки Si i GaAs, пiдданих дiї УЗ кавiтацiї в рiдкому азотi. Встановлено, що обробка напiвпровiдникових кристалiв GaAs та Si ультразвуком (1– 6 МГц, 15 Вт/см²), енергiя якого концентрується в кав...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Доповіді НАН України |
|---|---|
| Datum: | 2015 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2015
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/96939 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавiтацiйної обробки в рiдкому азотi / Р.К. Савкiна, О.Б. Смiрнов // Доповiдi Нацiональної академiї наук України. — 2015. — № 7. — С. 70-78. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |