Ионно-лучевое перемешивание в слоистых системах
При малых дозах облучения (ионами He⁺ до Φ ≤ 5⋅10²⁰ ион/м² и ионами Ar⁺ до Φ ≤ 1,3⋅10¹⁸ ион/м²) толщина силицидных фаз на межфазных границах раздела Mo-на-Si и Si-на-Mo увеличивается одинаково и линейно с дозой облучения. Средний атомный состав аморфных перемешанных зон соответствует сплаву состава...
Saved in:
| Published in: | Успехи физики металлов |
|---|---|
| Date: | 2010 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
2010
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98128 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Ионно-лучевое перемешивание в слоистых системах / Е.Н. Зубарев // Успехи физики металлов. — 2010. — Т. 11, № 2. — С. 175-207. — Бібліогр.: 39 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98128 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Зубарев, Е.Н. 2016-04-09T11:34:53Z 2016-04-09T11:34:53Z 2010 Ионно-лучевое перемешивание в слоистых системах / Е.Н. Зубарев // Успехи физики металлов. — 2010. — Т. 11, № 2. — С. 175-207. — Бібліогр.: 39 назв. — рос. 1608-1021 PACS numbers: 07.85.Jy, 61.05.cf, 61.05.cm, 61.80.-x, 68.37.Lp, 68.65.Ac, 81.15.Jj https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98128 При малых дозах облучения (ионами He⁺ до Φ ≤ 5⋅10²⁰ ион/м² и ионами Ar⁺ до Φ ≤ 1,3⋅10¹⁸ ион/м²) толщина силицидных фаз на межфазных границах раздела Mo-на-Si и Si-на-Mo увеличивается одинаково и линейно с дозой облучения. Средний атомный состав аморфных перемешанных зон соответствует сплаву состава MoSi₈,₂ и MoSi₃,₉ при облучении ионами He⁺ и Ar⁺ соответственно. При увеличении дозы облучения наблюдается уменьшение плотности аморфных перемешанных зон. На температурной зависимости ионно-лучевого перемешивания многослойных структур Mo/Si, облученных ионами He⁺, наблюдаются два участка: 1 – слабой зависимости (Tобл ≤ 260°C), 2 – сильной зависимости (Tобл > 260°C) от температуры облучения. Энергии активации ионно-лучевого перемешивания для указанных участков составляют Q₁ ≈ 0,02 эВ и Q₂ ≈ 0,5 эВ соответственно. Особенности ионно-лучевого перемешивания объясняются на основе перемешивания в субкаскадах столкновений. При малих дозах опромінення (йонами He⁺ до Φ ≤ 5⋅10²⁰ йон/м² та йонами Ar⁺ до Φ ≤ 1,3⋅10¹⁸ йон/м²) товщина силіцидних фаз на міжфазних межах поділу Mo-на-Si і Si-на-Mo збільшується однаково і лінійно з дозою опромінення. Середній атомовий склад аморфних перемішаних зон відповідає стопу MoSi₈,₂ і MoSi₃,₉ при опроміненні йонами He⁺ і Ar⁺ відповідно. При збільшенні дози опромінення спостерігається зменшення густини аморфних перемішаних зон. На температурній залежності йонно-променевого перемішування багатошарових структур Mo/Si, опромінених йонами He⁺, спостерігаються дві ділянки: 1 – слабкої залежности (Tопр ≤ 260°C), 2– сильної залежности (Tопр > 260°C) від температури опромінення. Енергія активації йонно-променевого перемішування на зазначених ділянках складає Q₁ ≈ 0,02 еВ і Q₂ ≈ 0,5 еВ відповідно. Особливості йонно-променевого перемішування пояснюються на основі перемішування у каскадах зіткнень. Thickness of silicide phases at Mo-on-Si and Si-on-Мо interfaces increases identically and linearly with a dose of irradiation at the small doses (by He⁺ ions to Φ ≤ 5⋅10²⁰ ion/m² and Ar⁺ ions to Φ ≤ 1.3⋅10¹⁸ ion/m²). Mean atomic composition of amorphous intermixed zones corresponds to alloys of MoSi₈.₂ and MoSi₃,₉ compositions under the irradiation by He⁺ and Ar⁺ ions, respectively. Density of the amorphous intermixed areas decreases when the irradiation dose increases. There are two areas corresponding to weak dependence (Tirr ≤ 260°C) and strong dependence (Tirr > 260°C) of ion-beam mixing of Mo/Si multilayered structures irradiated by He⁺ on irradiation temperature. Activation energies of the ion-beam mixing are equal Q₁ ≈ 0.02 eV и Q₂ ≈ 0.5 eV for the indicated areas, respectively. The features of the ion-beam mixing are explained by mixing in collision subcascades. Автор выражает благодарность и признательность своим коллегам и соавторам совместных работ В. В. Кондратенко, В. А. Севрюковой, А. Г. Пономаренко, А. В. Пенькову, Л. П. Тищенко, Б. Н. Романюку и В. П. Мельнику за помощь при выполнении работы, обсуждение результатов и написание статей. ru Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України Успехи физики металлов Ионно-лучевое перемешивание в слоистых системах Йонно-променеве перемішування у шарових системах Ion-Beam Mixing in Layered Systems Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Ионно-лучевое перемешивание в слоистых системах |
| spellingShingle |
Ионно-лучевое перемешивание в слоистых системах Зубарев, Е.Н. |
| title_short |
Ионно-лучевое перемешивание в слоистых системах |
| title_full |
Ионно-лучевое перемешивание в слоистых системах |
| title_fullStr |
Ионно-лучевое перемешивание в слоистых системах |
| title_full_unstemmed |
Ионно-лучевое перемешивание в слоистых системах |
| title_sort |
ионно-лучевое перемешивание в слоистых системах |
| author |
Зубарев, Е.Н. |
| author_facet |
Зубарев, Е.Н. |
| publishDate |
2010 |
| language |
Russian |
| container_title |
Успехи физики металлов |
| publisher |
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Йонно-променеве перемішування у шарових системах Ion-Beam Mixing in Layered Systems |
| description |
При малых дозах облучения (ионами He⁺ до Φ ≤ 5⋅10²⁰ ион/м² и ионами Ar⁺ до Φ ≤ 1,3⋅10¹⁸ ион/м²) толщина силицидных фаз на межфазных границах раздела Mo-на-Si и Si-на-Mo увеличивается одинаково и линейно с дозой облучения. Средний атомный состав аморфных перемешанных зон соответствует сплаву состава MoSi₈,₂ и MoSi₃,₉ при облучении ионами He⁺ и Ar⁺ соответственно. При увеличении дозы облучения наблюдается уменьшение плотности аморфных перемешанных зон. На температурной зависимости ионно-лучевого перемешивания многослойных структур Mo/Si, облученных ионами He⁺, наблюдаются два участка: 1 – слабой зависимости (Tобл ≤ 260°C), 2 – сильной зависимости (Tобл > 260°C) от температуры облучения. Энергии активации ионно-лучевого перемешивания для указанных участков составляют Q₁ ≈ 0,02 эВ и Q₂ ≈ 0,5 эВ соответственно. Особенности ионно-лучевого перемешивания объясняются на основе перемешивания в субкаскадах столкновений.
При малих дозах опромінення (йонами He⁺ до Φ ≤ 5⋅10²⁰ йон/м² та йонами Ar⁺ до Φ ≤ 1,3⋅10¹⁸ йон/м²) товщина силіцидних фаз на міжфазних межах поділу Mo-на-Si і Si-на-Mo збільшується однаково і лінійно з дозою опромінення. Середній атомовий склад аморфних перемішаних зон відповідає стопу MoSi₈,₂ і MoSi₃,₉ при опроміненні йонами He⁺ і Ar⁺ відповідно. При збільшенні дози опромінення спостерігається зменшення густини аморфних перемішаних зон. На температурній залежності йонно-променевого перемішування багатошарових структур Mo/Si, опромінених йонами He⁺, спостерігаються дві ділянки: 1 – слабкої залежности (Tопр ≤ 260°C), 2– сильної залежности (Tопр > 260°C) від температури опромінення. Енергія активації йонно-променевого перемішування на зазначених ділянках складає Q₁ ≈ 0,02 еВ і Q₂ ≈ 0,5 еВ відповідно. Особливості йонно-променевого перемішування пояснюються на основі перемішування у каскадах зіткнень.
Thickness of silicide phases at Mo-on-Si and Si-on-Мо interfaces increases identically and linearly with a dose of irradiation at the small doses (by He⁺ ions to Φ ≤ 5⋅10²⁰ ion/m² and Ar⁺ ions to Φ ≤ 1.3⋅10¹⁸ ion/m²). Mean atomic composition of amorphous intermixed zones corresponds to alloys of MoSi₈.₂ and MoSi₃,₉ compositions under the irradiation by He⁺ and Ar⁺ ions, respectively. Density of the amorphous intermixed areas decreases when the irradiation dose increases. There are two areas corresponding to weak dependence (Tirr ≤ 260°C) and strong dependence (Tirr > 260°C) of ion-beam mixing of Mo/Si multilayered structures irradiated by He⁺ on irradiation temperature. Activation energies of the ion-beam mixing are equal Q₁ ≈ 0.02 eV и Q₂ ≈ 0.5 eV for the indicated areas, respectively. The features of the ion-beam mixing are explained by mixing in collision subcascades.
|
| issn |
1608-1021 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98128 |
| citation_txt |
Ионно-лучевое перемешивание в слоистых системах / Е.Н. Зубарев // Успехи физики металлов. — 2010. — Т. 11, № 2. — С. 175-207. — Бібліогр.: 39 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT zubareven ionnolučevoeperemešivanievsloistyhsistemah AT zubareven ionnopromeneveperemíšuvannâušarovihsistemah AT zubareven ionbeammixinginlayeredsystems |
| first_indexed |
2025-12-07T17:18:36Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:18:36Z |
| _version_ |
1850870770110038016 |