Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
Предлагается новый метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых
 гетероструктурных транзисторах. Основа метода – целенаправленный выбор режима постоянного
 тока в ненасыщенной зоне вольт-амперных характеристик. Устойчивость, в первую очередь внеполосная, повышаетс...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98240 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения
 устойчивости малошумящих усилителей
 на полевых транзисторных гетероструктурах / А.М. Королев, В.М. Шульга // Радиофизика и радиоастрономия. — 2011. — Т. 16, № 4. — С. 433-439. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Предлагается новый метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых
гетероструктурных транзисторах. Основа метода – целенаправленный выбор режима постоянного
тока в ненасыщенной зоне вольт-амперных характеристик. Устойчивость, в первую очередь внеполосная, повышается без деградации шумовых характеристик. В подтверждение эффективности
предложенного метода приводятся результаты исследования усилителей с различными типами
транзисторов
Пропонується новий метод забезпечення
стійкості малошумливих підсилювачів на польових гетероструктурних транзисторах. Основа
методу – цільовий вибір режиму постійного
струму в ненасиченій зоні вольт-амперних характеристик. Стійкість, у першу чергу позапо-
лосна, підвищується без деградації шумових
характеристик. На підтвердження ефективності
запропонованого методу наводяться результати досліджень підсилювачів із різними типами
транзисторів.
The new method to provide the stability of lownoise
HEMT-based amplifiers is proposed. The
method is based on a purposeful choice of the DC
regime in the unsaturated (ohmic) zone of voltagecurrent
characteristic. Stability, first of all that outof-band,
rises without degradation of noise characteristic.
In support of the offered method efficiency,
the results of examination of amplifiers on different
transistors are brought
|
|---|---|
| ISSN: | 1027-9636 |