Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
Предлагается новый метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых
 гетероструктурных транзисторах. Основа метода – целенаправленный выбор режима постоянного
 тока в ненасыщенной зоне вольт-амперных характеристик. Устойчивость, в первую очередь внеполосная, повышаетс...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Радиофизика и радиоастрономия |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Радіоастрономічний інститут НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98240 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения
 устойчивости малошумящих усилителей
 на полевых транзисторных гетероструктурах / А.М. Королев, В.М. Шульга // Радиофизика и радиоастрономия. — 2011. — Т. 16, № 4. — С. 433-439. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862616633853345792 |
|---|---|
| author | Королев, А.М. Шульга, В.М. |
| author_facet | Королев, А.М. Шульга, В.М. |
| citation_txt | Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения
 устойчивости малошумящих усилителей
 на полевых транзисторных гетероструктурах / А.М. Королев, В.М. Шульга // Радиофизика и радиоастрономия. — 2011. — Т. 16, № 4. — С. 433-439. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Радиофизика и радиоастрономия |
| description | Предлагается новый метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых
гетероструктурных транзисторах. Основа метода – целенаправленный выбор режима постоянного
тока в ненасыщенной зоне вольт-амперных характеристик. Устойчивость, в первую очередь внеполосная, повышается без деградации шумовых характеристик. В подтверждение эффективности
предложенного метода приводятся результаты исследования усилителей с различными типами
транзисторов
Пропонується новий метод забезпечення
стійкості малошумливих підсилювачів на польових гетероструктурних транзисторах. Основа
методу – цільовий вибір режиму постійного
струму в ненасиченій зоні вольт-амперних характеристик. Стійкість, у першу чергу позапо-
лосна, підвищується без деградації шумових
характеристик. На підтвердження ефективності
запропонованого методу наводяться результати досліджень підсилювачів із різними типами
транзисторів.
The new method to provide the stability of lownoise
HEMT-based amplifiers is proposed. The
method is based on a purposeful choice of the DC
regime in the unsaturated (ohmic) zone of voltagecurrent
characteristic. Stability, first of all that outof-band,
rises without degradation of noise characteristic.
In support of the offered method efficiency,
the results of examination of amplifiers on different
transistors are brought
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:09:53Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98240 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1027-9636 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T13:09:53Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Радіоастрономічний інститут НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Королев, А.М. Шульга, В.М. 2016-04-10T19:42:37Z 2016-04-10T19:42:37Z 2011 Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения
 устойчивости малошумящих усилителей
 на полевых транзисторных гетероструктурах / А.М. Королев, В.М. Шульга // Радиофизика и радиоастрономия. — 2011. — Т. 16, № 4. — С. 433-439. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 1027-9636 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98240 537.962: 621.382.32 Предлагается новый метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых
 гетероструктурных транзисторах. Основа метода – целенаправленный выбор режима постоянного
 тока в ненасыщенной зоне вольт-амперных характеристик. Устойчивость, в первую очередь внеполосная, повышается без деградации шумовых характеристик. В подтверждение эффективности
 предложенного метода приводятся результаты исследования усилителей с различными типами
 транзисторов Пропонується новий метод забезпечення
 стійкості малошумливих підсилювачів на польових гетероструктурних транзисторах. Основа
 методу – цільовий вибір режиму постійного
 струму в ненасиченій зоні вольт-амперних характеристик. Стійкість, у першу чергу позапо-
 лосна, підвищується без деградації шумових
 характеристик. На підтвердження ефективності
 запропонованого методу наводяться результати досліджень підсилювачів із різними типами
 транзисторів. The new method to provide the stability of lownoise
 HEMT-based amplifiers is proposed. The
 method is based on a purposeful choice of the DC
 regime in the unsaturated (ohmic) zone of voltagecurrent
 characteristic. Stability, first of all that outof-band,
 rises without degradation of noise characteristic.
 In support of the offered method efficiency,
 the results of examination of amplifiers on different
 transistors are brought ru Радіоастрономічний інститут НАН України Радиофизика и радиоастрономия Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах Ненасичений режим як альтернативний метод забезпечення стійкості малошумливих підсилювачів на польових транзисторних гетероструктурах Unsaturated Regime as Alternative Method to Provide Stability of Low-Noise Amplifier on High-Electron-Mobility Transistors Article published earlier |
| spellingShingle | Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах Королев, А.М. Шульга, В.М. Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения |
| title | Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах |
| title_alt | Ненасичений режим як альтернативний метод забезпечення стійкості малошумливих підсилювачів на польових транзисторних гетероструктурах Unsaturated Regime as Alternative Method to Provide Stability of Low-Noise Amplifier on High-Electron-Mobility Transistors |
| title_full | Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах |
| title_fullStr | Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах |
| title_full_unstemmed | Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах |
| title_short | Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах |
| title_sort | ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах |
| topic | Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения |
| topic_facet | Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98240 |
| work_keys_str_mv | AT korolevam nenasyŝennyirežimkakalʹternativnyimetodobespečeniâustoičivostimalošumâŝihusiliteleinapolevyhtranzistornyhgeterostrukturah AT šulʹgavm nenasyŝennyirežimkakalʹternativnyimetodobespečeniâustoičivostimalošumâŝihusiliteleinapolevyhtranzistornyhgeterostrukturah AT korolevam nenasičeniirežimâkalʹternativniimetodzabezpečennâstíikostímalošumlivihpídsilûvačívnapolʹovihtranzistornihgeterostrukturah AT šulʹgavm nenasičeniirežimâkalʹternativniimetodzabezpečennâstíikostímalošumlivihpídsilûvačívnapolʹovihtranzistornihgeterostrukturah AT korolevam unsaturatedregimeasalternativemethodtoprovidestabilityoflownoiseamplifieronhighelectronmobilitytransistors AT šulʹgavm unsaturatedregimeasalternativemethodtoprovidestabilityoflownoiseamplifieronhighelectronmobilitytransistors |