Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах

Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах

Предлагается новый метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых гетероструктурных транзисторах. Основа метода – целенаправленный выбор режима постоянного тока в ненасыщенной зоне вольт-амперных характеристик. Устойчивость, в первую очередь внеполосная, повышается без деградации...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Радиофизика и радиоастрономия
Дата:2011
Автори: Королев, А.М., Шульга, В.М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Радіоастрономічний інститут НАН України 2011
Теми:
Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98240
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах / А.М. Королев, В.М. Шульга // Радиофизика и радиоастрономия. — 2011. — Т. 16, № 4. — С. 433-439. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98240
record_format dspace
spelling Королев, А.М.
Шульга, В.М.
2016-04-10T19:42:37Z
2016-04-10T19:42:37Z
2011
Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах / А.М. Королев, В.М. Шульга // Радиофизика и радиоастрономия. — 2011. — Т. 16, № 4. — С. 433-439. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
1027-9636
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98240
537.962: 621.382.32
Предлагается новый метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых гетероструктурных транзисторах. Основа метода – целенаправленный выбор режима постоянного тока в ненасыщенной зоне вольт-амперных характеристик. Устойчивость, в первую очередь внеполосная, повышается без деградации шумовых характеристик. В подтверждение эффективности предложенного метода приводятся результаты исследования усилителей с различными типами транзисторов
Пропонується новий метод забезпечення стійкості малошумливих підсилювачів на польових гетероструктурних транзисторах. Основа методу – цільовий вибір режиму постійного струму в ненасиченій зоні вольт-амперних характеристик. Стійкість, у першу чергу позапо- лосна, підвищується без деградації шумових характеристик. На підтвердження ефективності запропонованого методу наводяться результати досліджень підсилювачів із різними типами транзисторів.
The new method to provide the stability of lownoise HEMT-based amplifiers is proposed. The method is based on a purposeful choice of the DC regime in the unsaturated (ohmic) zone of voltagecurrent characteristic. Stability, first of all that outof-band, rises without degradation of noise characteristic. In support of the offered method efficiency, the results of examination of amplifiers on different transistors are brought
ru
Радіоастрономічний інститут НАН України
Радиофизика и радиоастрономия
Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения
Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
Ненасичений режим як альтернативний метод забезпечення стійкості малошумливих підсилювачів на польових транзисторних гетероструктурах
Unsaturated Regime as Alternative Method to Provide Stability of Low-Noise Amplifier on High-Electron-Mobility Transistors
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
spellingShingle Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
Королев, А.М.
Шульга, В.М.
Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения
title_short Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
title_full Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
title_fullStr Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
title_full_unstemmed Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
title_sort ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах
author Королев, А.М.
Шульга, В.М.
author_facet Королев, А.М.
Шульга, В.М.
topic Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения
topic_facet Электромагнитные явления в приборах, элементах и системах научного приборостроения
publishDate 2011
language Russian
container_title Радиофизика и радиоастрономия
publisher Радіоастрономічний інститут НАН України
format Article
title_alt Ненасичений режим як альтернативний метод забезпечення стійкості малошумливих підсилювачів на польових транзисторних гетероструктурах
Unsaturated Regime as Alternative Method to Provide Stability of Low-Noise Amplifier on High-Electron-Mobility Transistors
description Предлагается новый метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых гетероструктурных транзисторах. Основа метода – целенаправленный выбор режима постоянного тока в ненасыщенной зоне вольт-амперных характеристик. Устойчивость, в первую очередь внеполосная, повышается без деградации шумовых характеристик. В подтверждение эффективности предложенного метода приводятся результаты исследования усилителей с различными типами транзисторов Пропонується новий метод забезпечення стійкості малошумливих підсилювачів на польових гетероструктурних транзисторах. Основа методу – цільовий вибір режиму постійного струму в ненасиченій зоні вольт-амперних характеристик. Стійкість, у першу чергу позапо- лосна, підвищується без деградації шумових характеристик. На підтвердження ефективності запропонованого методу наводяться результати досліджень підсилювачів із різними типами транзисторів. The new method to provide the stability of lownoise HEMT-based amplifiers is proposed. The method is based on a purposeful choice of the DC regime in the unsaturated (ohmic) zone of voltagecurrent characteristic. Stability, first of all that outof-band, rises without degradation of noise characteristic. In support of the offered method efficiency, the results of examination of amplifiers on different transistors are brought
issn 1027-9636
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98240
citation_txt Ненасыщенный режим как альтернативный метод обеспечения устойчивости малошумящих усилителей на полевых транзисторных гетероструктурах / А.М. Королев, В.М. Шульга // Радиофизика и радиоастрономия. — 2011. — Т. 16, № 4. — С. 433-439. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT korolevam nenasyŝennyirežimkakalʹternativnyimetodobespečeniâustoičivostimalošumâŝihusiliteleinapolevyhtranzistornyhgeterostrukturah
AT šulʹgavm nenasyŝennyirežimkakalʹternativnyimetodobespečeniâustoičivostimalošumâŝihusiliteleinapolevyhtranzistornyhgeterostrukturah
AT korolevam nenasičeniirežimâkalʹternativniimetodzabezpečennâstíikostímalošumlivihpídsilûvačívnapolʹovihtranzistornihgeterostrukturah
AT šulʹgavm nenasičeniirežimâkalʹternativniimetodzabezpečennâstíikostímalošumlivihpídsilûvačívnapolʹovihtranzistornihgeterostrukturah
AT korolevam unsaturatedregimeasalternativemethodtoprovidestabilityoflownoiseamplifieronhighelectronmobilitytransistors
AT šulʹgavm unsaturatedregimeasalternativemethodtoprovidestabilityoflownoiseamplifieronhighelectronmobilitytransistors
first_indexed 2025-12-07T13:09:53Z
last_indexed 2025-12-07T13:09:53Z
_version_ 1850855121959780352

Схожі ресурси