Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2004
• Main Authors: Богатыренко, С.И., Гладких, Н.Т., Дукаров, С.В., Крышталь, А.П.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2004
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98384
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi / С.И. Богатыренко, Н.Т. Гладких, С.В. Дукаров, А.П. Крышталь // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 32–36. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Приведены результаты исследований плавления и кристаллизации в слоистой пленочной системе висмут – германий, создаваемой в вакууме путем последовательной конденсации компонентов при испарении их из независимых источников. Показано, что температура плавления в указанной системе понижается с уменьшением толщины пленки легкоплавкого компонента. Дифференциальный метод, исполь зованный для регистрации температуры плавления, позволил найти значение эвтектической температуры Tε = 542 K в системе Bi-Ge. Определены величина переохлаждения при кристаллизации (∆Т = 93 К) и краевой угол смачивания (θ = 68°) для островковых пленок висмута на аморфной германиевой подложке Приводяться результати досліджень плавлення і кри сталізації в шаруватій плівковій системі вісмут – гер маній, яка створюється у вакуумі шляхом послідовної конденсації компонентів при випаровуванні їх з неза лежних джерел. Показано, що температура плавлення в указаній системізнижується зізменшенням товщини плівки легкоплавкого компонента. Диференціальний метод, використаний для реєстрації температури плав лення, дозволив знайти значення евтектичної тем ператури Tε = 542 K у системі Bi-Ge. Визначено вели- чину переохолодження при кристалізації (∆Т = 93 К) та крайовий кут змочування (θ = 68°) для острівцевих плівок вісмуту на аморфній германієвій підкладці The results of studies of melting and crystallization processes in Bi-Ge layered film system are presented. These systems were prepared by subsequent condensation of components in vacuum. It has been shown that the melting temperature in system under study decreases with the decrease of Bi film thickness. The differential technique used for melting temperature registration enables us to measure the value of eutectic temperature Tε = 542 K in the system. The values of supercooling upon crystallization (∆Т = 93 К) and wetting angle (θ = 68°) have been determined for Bi islands on amorphous Ge substrate