Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi
Приведены результаты исследований плавления и кристаллизации в слоистой пленочной системе висмут
 – германий, создаваемой в вакууме путем последовательной конденсации компонентов при испарении
 их из независимых источников. Показано, что температура плавления в указанной системе пони...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2004
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98384 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi / С.И. Богатыренко, Н.Т. Гладких, С.В. Дукаров, А.П. Крышталь // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 32–36. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862568653028851712 |
|---|---|
| author | Богатыренко, С.И. Гладких, Н.Т. Дукаров, С.В. Крышталь, А.П. |
| author_facet | Богатыренко, С.И. Гладких, Н.Т. Дукаров, С.В. Крышталь, А.П. |
| citation_txt | Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi / С.И. Богатыренко, Н.Т. Гладких, С.В. Дукаров, А.П. Крышталь // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 32–36. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Приведены результаты исследований плавления и кристаллизации в слоистой пленочной системе висмут
– германий, создаваемой в вакууме путем последовательной конденсации компонентов при испарении
их из независимых источников. Показано, что температура плавления в указанной системе понижается
с уменьшением толщины пленки легкоплавкого компонента. Дифференциальный метод, исполь
зованный для регистрации температуры плавления, позволил найти значение эвтектической температуры
Tε = 542 K в системе Bi-Ge. Определены величина переохлаждения при кристаллизации (∆Т = 93 К) и
краевой угол смачивания (θ = 68°) для островковых пленок висмута на аморфной германиевой подложке
Приводяться результати досліджень плавлення і кри
сталізації в шаруватій плівковій системі вісмут – гер
маній, яка створюється у вакуумі шляхом послідовної
конденсації компонентів при випаровуванні їх з неза
лежних джерел. Показано, що температура плавлення
в указаній системізнижується зізменшенням товщини
плівки легкоплавкого компонента. Диференціальний
метод, використаний для реєстрації температури плав
лення, дозволив знайти значення евтектичної тем
ператури Tε
= 542 K у системі Bi-Ge. Визначено вели-
чину переохолодження при кристалізації (∆Т = 93 К)
та крайовий кут змочування (θ = 68°) для острівцевих
плівок вісмуту на аморфній германієвій підкладці
The results of studies of melting and crystallization processes
in Bi-Ge layered film system are presented. These
systems were prepared by subsequent condensation of
components in vacuum. It has been shown that the melting
temperature in system under study decreases with the
decrease of Bi film thickness. The differential technique
used for melting temperature registration enables us to
measure the value of eutectic temperature Tε = 542 K in
the system. The values of supercooling upon crystallization
(∆Т = 93 К) and wetting angle (θ = 68°) have been
determined for Bi islands on amorphous Ge substrate
|
| first_indexed | 2025-11-26T01:38:00Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98384 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T01:38:00Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Богатыренко, С.И. Гладких, Н.Т. Дукаров, С.В. Крышталь, А.П. 2016-04-13T07:31:32Z 2016-04-13T07:31:32Z 2004 Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi / С.И. Богатыренко, Н.Т. Гладких, С.В. Дукаров, А.П. Крышталь // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 32–36. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98384 539.216.2:532.64 Приведены результаты исследований плавления и кристаллизации в слоистой пленочной системе висмут
 – германий, создаваемой в вакууме путем последовательной конденсации компонентов при испарении
 их из независимых источников. Показано, что температура плавления в указанной системе понижается
 с уменьшением толщины пленки легкоплавкого компонента. Дифференциальный метод, исполь
 зованный для регистрации температуры плавления, позволил найти значение эвтектической температуры
 Tε = 542 K в системе Bi-Ge. Определены величина переохлаждения при кристаллизации (∆Т = 93 К) и
 краевой угол смачивания (θ = 68°) для островковых пленок висмута на аморфной германиевой подложке Приводяться результати досліджень плавлення і кри
 сталізації в шаруватій плівковій системі вісмут – гер
 маній, яка створюється у вакуумі шляхом послідовної
 конденсації компонентів при випаровуванні їх з неза
 лежних джерел. Показано, що температура плавлення
 в указаній системізнижується зізменшенням товщини
 плівки легкоплавкого компонента. Диференціальний
 метод, використаний для реєстрації температури плав
 лення, дозволив знайти значення евтектичної тем
 ператури Tε
 = 542 K у системі Bi-Ge. Визначено вели-
 чину переохолодження при кристалізації (∆Т = 93 К)
 та крайовий кут змочування (θ = 68°) для острівцевих
 плівок вісмуту на аморфній германієвій підкладці The results of studies of melting and crystallization processes
 in Bi-Ge layered film system are presented. These
 systems were prepared by subsequent condensation of
 components in vacuum. It has been shown that the melting
 temperature in system under study decreases with the
 decrease of Bi film thickness. The differential technique
 used for melting temperature registration enables us to
 measure the value of eutectic temperature Tε = 542 K in
 the system. The values of supercooling upon crystallization
 (∆Т = 93 К) and wetting angle (θ = 68°) have been
 determined for Bi islands on amorphous Ge substrate ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi Плавлення та кристалізація в шаруватої плівкової системі Ge-Bi Melting and crystallization in layered film system Ge-Bi Article published earlier |
| spellingShingle | Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi Богатыренко, С.И. Гладких, Н.Т. Дукаров, С.В. Крышталь, А.П. |
| title | Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi |
| title_alt | Плавлення та кристалізація в шаруватої плівкової системі Ge-Bi Melting and crystallization in layered film system Ge-Bi |
| title_full | Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi |
| title_fullStr | Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi |
| title_full_unstemmed | Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi |
| title_short | Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi |
| title_sort | плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе ge-bi |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98384 |
| work_keys_str_mv | AT bogatyrenkosi plavlenieikristallizaciâvsloistoiplenočnoisistemegebi AT gladkihnt plavlenieikristallizaciâvsloistoiplenočnoisistemegebi AT dukarovsv plavlenieikristallizaciâvsloistoiplenočnoisistemegebi AT kryštalʹap plavlenieikristallizaciâvsloistoiplenočnoisistemegebi AT bogatyrenkosi plavlennâtakristalízacíâvšaruvatoíplívkovoísistemígebi AT gladkihnt plavlennâtakristalízacíâvšaruvatoíplívkovoísistemígebi AT dukarovsv plavlennâtakristalízacíâvšaruvatoíplívkovoísistemígebi AT kryštalʹap plavlennâtakristalízacíâvšaruvatoíplívkovoísistemígebi AT bogatyrenkosi meltingandcrystallizationinlayeredfilmsystemgebi AT gladkihnt meltingandcrystallizationinlayeredfilmsystemgebi AT dukarovsv meltingandcrystallizationinlayeredfilmsystemgebi AT kryštalʹap meltingandcrystallizationinlayeredfilmsystemgebi |