Моделирование и диагностика повреждений и деформаций в кристалле Gd₃Ga₅O₁₂ после имплантации ионов F⁺

Для получения количественных характеристик радиационного дефектообразования в гадолиний-галлиевом гранате (ГГГ) проведено математическое моделирование процесса имплантации ионов фтора при помощи программы SRIM-2008. Определены распределения по глубине кристалла упругих и неупругих энергетических пот...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Успехи физики металлов
Datum:2014
Hauptverfasser: Коцюбинский, В.О., Пылыпив, В.М., Остафийчук, Б.К., Яремий, И.П., Гарпуль, О.З., Олиховский, С.И., Скакунова, Е.С., Молодкин, В.Б., Кисловский, Е.Н., Владимирова, Т.П., Решетник, О.В., Кочелаб, Е.В.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України 2014
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98426
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Моделирование и диагностика повреждений и деформаций в кристалле Gd₃Ga₅O₁₂ после имплантации ионов F⁺ / В.О. Коцюбинский, В.М. Пылыпив, Б.К. Остафийчук, И.П. Яремий, О.З. Гарпуль, С.И. Олиховский, Е.С. Скакунова, В.Б. Молодкин, Е.Н. Кисловский, Т.П. Владимирова, О.В. Решетник, Е.В. Кочелаб // Успехи физики металлов. — 2014. — Т. 15, № 3. — С. 121-143. — Бібліогр.: 40 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862682415128903680
author Коцюбинский, В.О.
Пылыпив, В.М.
Остафийчук, Б.К.
Яремий, И.П.
Гарпуль, О.З.
Олиховский, С.И.
Скакунова, Е.С.
Молодкин, В.Б.
Кисловский, Е.Н.
Владимирова, Т.П.
Решетник, О.В.
Кочелаб, Е.В.
author_facet Коцюбинский, В.О.
Пылыпив, В.М.
Остафийчук, Б.К.
Яремий, И.П.
Гарпуль, О.З.
Олиховский, С.И.
Скакунова, Е.С.
Молодкин, В.Б.
Кисловский, Е.Н.
Владимирова, Т.П.
Решетник, О.В.
Кочелаб, Е.В.
citation_txt Моделирование и диагностика повреждений и деформаций в кристалле Gd₃Ga₅O₁₂ после имплантации ионов F⁺ / В.О. Коцюбинский, В.М. Пылыпив, Б.К. Остафийчук, И.П. Яремий, О.З. Гарпуль, С.И. Олиховский, Е.С. Скакунова, В.Б. Молодкин, Е.Н. Кисловский, Т.П. Владимирова, О.В. Решетник, Е.В. Кочелаб // Успехи физики металлов. — 2014. — Т. 15, № 3. — С. 121-143. — Бібліогр.: 40 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Успехи физики металлов
description Для получения количественных характеристик радиационного дефектообразования в гадолиний-галлиевом гранате (ГГГ) проведено математическое моделирование процесса имплантации ионов фтора при помощи программы SRIM-2008. Определены распределения по глубине кристалла упругих и неупругих энергетических потерь имплантированного иона F⁺ с энергией 90 кэВ и смещённых ионов мишени при торможении в кристалле ГГГ, а также профили распределения по глубине количеств имплантированных и смещённых ионов. Определён характер повреждений и их количественные характеристики. Структурные изменения, вызванные имплантацией ионов фтора в поверхностном слое монокристалла ГГГ, исследованы методом рентгеновской дифракции. Установлена форма профиля деформации в имплантированном слое и связь его характеристик с результатами моделирования. Для одержання кількісних характеристик радіяційного дефектоутворення в ґадоліній-ґалійовому ґранаті (ҐҐҐ) проведено математичне моделювання процесу імплантації йонів фтору за допомогою програми SRIM-2008. Встановлено розподіли за глибиною кристалу пружніх і непружніх енергетичних втрат імплантованого йона F⁺ з енергією 90 кеВ та зміщених йонів мішені при гальмуванні в кристалі ҐҐҐ, а також профілі розподілу за глибиною кількостей імплантованих і зміщених йонів. Визначено характер пошкоджень та їх кількісні характеристики. Структурні зміни, спричинені імплантацією йонів фтору в поверхневому шарі монокристалу ҐҐҐ, досліджено методою Рентґенової дифракції. Встановлено форму профілю деформації в імплантованому шарі і зв’язок його характеристик з результатами моделювання. Mathematical modelling of fluorine ion implantation process is carried out by using the SRIM-2008 program for the determination of quantitative characteristics of the radiation defect formation in the gadolinium–gallium garnet (GGG). The crystal depth distributions are measured for elastic and inelastic energy losses of both the implanted F⁺ ion with 90 keV energy and the displaced matrix ions due to their slowing-down in the GGG crystal. Depth distribution profiles are obtained for quantities of implanted and displaced ions. The damage pattern and its quantitative characteristics are determined. Structural changes caused by fluorine ion implantation in a surface layer of the GGG single crystal are investigated by an X-ray diffraction technique. The shape of the strain profile in the implanted layer and relationships of its characteristics with the simulation results are determined.
first_indexed 2025-12-07T15:52:21Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98426
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1608-1021
language Russian
last_indexed 2025-12-07T15:52:21Z
publishDate 2014
publisher Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
record_format dspace
spelling Коцюбинский, В.О.
Пылыпив, В.М.
Остафийчук, Б.К.
Яремий, И.П.
Гарпуль, О.З.
Олиховский, С.И.
Скакунова, Е.С.
Молодкин, В.Б.
Кисловский, Е.Н.
Владимирова, Т.П.
Решетник, О.В.
Кочелаб, Е.В.
2016-04-14T13:55:18Z
2016-04-14T13:55:18Z
2014
Моделирование и диагностика повреждений и деформаций в кристалле Gd₃Ga₅O₁₂ после имплантации ионов F⁺ / В.О. Коцюбинский, В.М. Пылыпив, Б.К. Остафийчук, И.П. Яремий, О.З. Гарпуль, С.И. Олиховский, Е.С. Скакунова, В.Б. Молодкин, Е.Н. Кисловский, Т.П. Владимирова, О.В. Решетник, Е.В. Кочелаб // Успехи физики металлов. — 2014. — Т. 15, № 3. — С. 121-143. — Бібліогр.: 40 назв. — рос.
1608-1021
PACS numbers: 61.05.cp, 61.05.Np, 61.72.Dd, 61.72.Hh, 61.72.J-, 61.72.up, 61.80.Az
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98426
Для получения количественных характеристик радиационного дефектообразования в гадолиний-галлиевом гранате (ГГГ) проведено математическое моделирование процесса имплантации ионов фтора при помощи программы SRIM-2008. Определены распределения по глубине кристалла упругих и неупругих энергетических потерь имплантированного иона F⁺ с энергией 90 кэВ и смещённых ионов мишени при торможении в кристалле ГГГ, а также профили распределения по глубине количеств имплантированных и смещённых ионов. Определён характер повреждений и их количественные характеристики. Структурные изменения, вызванные имплантацией ионов фтора в поверхностном слое монокристалла ГГГ, исследованы методом рентгеновской дифракции. Установлена форма профиля деформации в имплантированном слое и связь его характеристик с результатами моделирования.
Для одержання кількісних характеристик радіяційного дефектоутворення в ґадоліній-ґалійовому ґранаті (ҐҐҐ) проведено математичне моделювання процесу імплантації йонів фтору за допомогою програми SRIM-2008. Встановлено розподіли за глибиною кристалу пружніх і непружніх енергетичних втрат імплантованого йона F⁺ з енергією 90 кеВ та зміщених йонів мішені при гальмуванні в кристалі ҐҐҐ, а також профілі розподілу за глибиною кількостей імплантованих і зміщених йонів. Визначено характер пошкоджень та їх кількісні характеристики. Структурні зміни, спричинені імплантацією йонів фтору в поверхневому шарі монокристалу ҐҐҐ, досліджено методою Рентґенової дифракції. Встановлено форму профілю деформації в імплантованому шарі і зв’язок його характеристик з результатами моделювання.
Mathematical modelling of fluorine ion implantation process is carried out by using the SRIM-2008 program for the determination of quantitative characteristics of the radiation defect formation in the gadolinium–gallium garnet (GGG). The crystal depth distributions are measured for elastic and inelastic energy losses of both the implanted F⁺ ion with 90 keV energy and the displaced matrix ions due to their slowing-down in the GGG crystal. Depth distribution profiles are obtained for quantities of implanted and displaced ions. The damage pattern and its quantitative characteristics are determined. Structural changes caused by fluorine ion implantation in a surface layer of the GGG single crystal are investigated by an X-ray diffraction technique. The shape of the strain profile in the implanted layer and relationships of its characteristics with the simulation results are determined.
ru
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України
Успехи физики металлов
Моделирование и диагностика повреждений и деформаций в кристалле Gd₃Ga₅O₁₂ после имплантации ионов F⁺
Моделювання та діягностика пошкоджень і деформацій у кристалі Gd₃Ga₅O₁₂ після імплантації йонів F⁺
Modelling and Diagnostics of Damages and Strains in a Crystal of Gd₃Ga₅O₁₂ After Implantation of F⁺ Ions
Article
published earlier
spellingShingle Моделирование и диагностика повреждений и деформаций в кристалле Gd₃Ga₅O₁₂ после имплантации ионов F⁺
Коцюбинский, В.О.
Пылыпив, В.М.
Остафийчук, Б.К.
Яремий, И.П.
Гарпуль, О.З.
Олиховский, С.И.
Скакунова, Е.С.
Молодкин, В.Б.
Кисловский, Е.Н.
Владимирова, Т.П.
Решетник, О.В.
Кочелаб, Е.В.
title Моделирование и диагностика повреждений и деформаций в кристалле Gd₃Ga₅O₁₂ после имплантации ионов F⁺
title_alt Моделювання та діягностика пошкоджень і деформацій у кристалі Gd₃Ga₅O₁₂ після імплантації йонів F⁺
Modelling and Diagnostics of Damages and Strains in a Crystal of Gd₃Ga₅O₁₂ After Implantation of F⁺ Ions
title_full Моделирование и диагностика повреждений и деформаций в кристалле Gd₃Ga₅O₁₂ после имплантации ионов F⁺
title_fullStr Моделирование и диагностика повреждений и деформаций в кристалле Gd₃Ga₅O₁₂ после имплантации ионов F⁺
title_full_unstemmed Моделирование и диагностика повреждений и деформаций в кристалле Gd₃Ga₅O₁₂ после имплантации ионов F⁺
title_short Моделирование и диагностика повреждений и деформаций в кристалле Gd₃Ga₅O₁₂ после имплантации ионов F⁺
title_sort моделирование и диагностика повреждений и деформаций в кристалле gd₃ga₅o₁₂ после имплантации ионов f⁺
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98426
work_keys_str_mv AT kocûbinskiivo modelirovanieidiagnostikapovreždeniiideformaciivkristallegd3ga5o12posleimplantaciiionovf
AT pylypivvm modelirovanieidiagnostikapovreždeniiideformaciivkristallegd3ga5o12posleimplantaciiionovf
AT ostafiičukbk modelirovanieidiagnostikapovreždeniiideformaciivkristallegd3ga5o12posleimplantaciiionovf
AT âremiiip modelirovanieidiagnostikapovreždeniiideformaciivkristallegd3ga5o12posleimplantaciiionovf
AT garpulʹoz modelirovanieidiagnostikapovreždeniiideformaciivkristallegd3ga5o12posleimplantaciiionovf
AT olihovskiisi modelirovanieidiagnostikapovreždeniiideformaciivkristallegd3ga5o12posleimplantaciiionovf
AT skakunovaes modelirovanieidiagnostikapovreždeniiideformaciivkristallegd3ga5o12posleimplantaciiionovf
AT molodkinvb modelirovanieidiagnostikapovreždeniiideformaciivkristallegd3ga5o12posleimplantaciiionovf
AT kislovskiien modelirovanieidiagnostikapovreždeniiideformaciivkristallegd3ga5o12posleimplantaciiionovf
AT vladimirovatp modelirovanieidiagnostikapovreždeniiideformaciivkristallegd3ga5o12posleimplantaciiionovf
AT rešetnikov modelirovanieidiagnostikapovreždeniiideformaciivkristallegd3ga5o12posleimplantaciiionovf
AT kočelabev modelirovanieidiagnostikapovreždeniiideformaciivkristallegd3ga5o12posleimplantaciiionovf
AT kocûbinskiivo modelûvannâtadíâgnostikapoškodženʹídeformacíiukristalígd3ga5o12píslâímplantacííionívf
AT pylypivvm modelûvannâtadíâgnostikapoškodženʹídeformacíiukristalígd3ga5o12píslâímplantacííionívf
AT ostafiičukbk modelûvannâtadíâgnostikapoškodženʹídeformacíiukristalígd3ga5o12píslâímplantacííionívf
AT âremiiip modelûvannâtadíâgnostikapoškodženʹídeformacíiukristalígd3ga5o12píslâímplantacííionívf
AT garpulʹoz modelûvannâtadíâgnostikapoškodženʹídeformacíiukristalígd3ga5o12píslâímplantacííionívf
AT olihovskiisi modelûvannâtadíâgnostikapoškodženʹídeformacíiukristalígd3ga5o12píslâímplantacííionívf
AT skakunovaes modelûvannâtadíâgnostikapoškodženʹídeformacíiukristalígd3ga5o12píslâímplantacííionívf
AT molodkinvb modelûvannâtadíâgnostikapoškodženʹídeformacíiukristalígd3ga5o12píslâímplantacííionívf
AT kislovskiien modelûvannâtadíâgnostikapoškodženʹídeformacíiukristalígd3ga5o12píslâímplantacííionívf
AT vladimirovatp modelûvannâtadíâgnostikapoškodženʹídeformacíiukristalígd3ga5o12píslâímplantacííionívf
AT rešetnikov modelûvannâtadíâgnostikapoškodženʹídeformacíiukristalígd3ga5o12píslâímplantacííionívf
AT kočelabev modelûvannâtadíâgnostikapoškodženʹídeformacíiukristalígd3ga5o12píslâímplantacííionívf
AT kocûbinskiivo modellinganddiagnosticsofdamagesandstrainsinacrystalofgd3ga5o12afterimplantationoffions
AT pylypivvm modellinganddiagnosticsofdamagesandstrainsinacrystalofgd3ga5o12afterimplantationoffions
AT ostafiičukbk modellinganddiagnosticsofdamagesandstrainsinacrystalofgd3ga5o12afterimplantationoffions
AT âremiiip modellinganddiagnosticsofdamagesandstrainsinacrystalofgd3ga5o12afterimplantationoffions
AT garpulʹoz modellinganddiagnosticsofdamagesandstrainsinacrystalofgd3ga5o12afterimplantationoffions
AT olihovskiisi modellinganddiagnosticsofdamagesandstrainsinacrystalofgd3ga5o12afterimplantationoffions
AT skakunovaes modellinganddiagnosticsofdamagesandstrainsinacrystalofgd3ga5o12afterimplantationoffions
AT molodkinvb modellinganddiagnosticsofdamagesandstrainsinacrystalofgd3ga5o12afterimplantationoffions
AT kislovskiien modellinganddiagnosticsofdamagesandstrainsinacrystalofgd3ga5o12afterimplantationoffions
AT vladimirovatp modellinganddiagnosticsofdamagesandstrainsinacrystalofgd3ga5o12afterimplantationoffions
AT rešetnikov modellinganddiagnosticsofdamagesandstrainsinacrystalofgd3ga5o12afterimplantationoffions
AT kočelabev modellinganddiagnosticsofdamagesandstrainsinacrystalofgd3ga5o12afterimplantationoffions