Рентгеновское исследование кристаллической структуры тонких пленок дибензотетрааза[14]аннулена

Приводятся результаты рентгеновских исследований кристаллической структуры тонких пленок органического полупроводника – дибензотетрааза[14]аннулена, cконденсированных на неподогретые аморфные подложки. Установлено, что совершенная текстура, наблюдаемая в пленках, сохраняется при их длительном хр...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Физическая инженерия поверхности
Date:	2003
Main Author:	Удовицкий, В.Г.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2003
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98449
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Рентгеновское исследование кристаллической структуры тонких пленок дибензотетрааза[14]аннулена / В.Г. Удовицкий // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 3-4. — С. 310–315. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

_version_	1859844091044429824
author	Удовицкий, В.Г.
author_facet	Удовицкий, В.Г.
citation_txt	Рентгеновское исследование кристаллической структуры тонких пленок дибензотетрааза[14]аннулена / В.Г. Удовицкий // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 3-4. — С. 310–315. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.
collection	DSpace DC
container_title	Физическая инженерия поверхности
description	Приводятся результаты рентгеновских исследований кристаллической структуры тонких пленок органического полупроводника – дибензотетрааза[14]аннулена, cконденсированных на неподогретые аморфные подложки. Установлено, что совершенная текстура, наблюдаемая в пленках, сохраняется при их длительном хранении, а также после многократных термообработок. Высказано предположение о возможности двухфазного состава пленок (одновременном существовании в них двух полиморфных модификаций), которое хорошо согласуется с наблюдаемыми особенностями дифрактограмм, а также экспериментальными результатами, опубликованными другими авторами. Наводяться результати рентгенівських досліджень кристалічної структури тонких плівок органічного напівпровідника – дибензотетрааза[14]анулену, конденсованих на не підігріті аморфні підкладки. Встановлено, що досконала текстура, яка спостерігається в плівках, залишається незмінною при їхньому тривалому зберіганні, а також після багаторазових термообробок. Висловлено припущення про можливість двохфазного складу плівок (одночасного існування в них двох поліморфних модифікацій), яке добре узгоджується з особливостями дифрактограм, а також експериментальними результатами, опублікованими іншими авторами. The results of X-ray crystal structure investigation of organic semiconductor – dibenzotetraaza[14]annulene as thin films are given. The thin films were deposited on unheated amorphous substrates by vacuum condensation. It is established that the films had high structural order (texture) which is stable during long-term preservation and also under repeated thermal treatment. Polymorphic structure (presence of two polymorphic modifications) for the films is assumed. The assumption has a good agreement with X-ray diffractogram peculiarities and experimental results published by other authors.
first_indexed	2025-12-07T15:38:24Z
format	Article
fulltext	ФІП ФИП PSE, 2003, том 1, № 3 – 4, vol. 1, No. 3 – 4310 ВВЕДЕНИЕ Тонкие пленки органических полупроводников (ОП), обладающих макроциклической структу- рой, например, фталоцианина (Рс) и дибензотет- раазааннулена (ТАА) в настоящее время прив- лекают все большее внимание исследователей. Обусловлено это широкими возможностями их практического применения, в частности, при создании различных устройств молекулярной электроники. Обладая хорошей чувствитель- ностью электрофизических характеристик к га- зам донорной и акцепторной природы, эти ОП с успехом используются для создания полупровод- никовых газовых сенсоров. Фталоцианин и дибензотетраазааннулен яв- ляются молекулярными кристаллами, характер- ной особенностью которых является полимор- физм [1]. Для Рс известны три полиморфные мо- дификации – α, β, x. Каждая из этих форм устой- чива в определенном температурном диапазоне [2]. Для безметального и незамещенного лиганда ТАА (С18Н16N4) по информации, содержащейся в Кембриджском центре структурных данных, из- вестно две полиморфные формы, образующие ре- шетки моноклинной сингонии. Одна из них (шифр “GAGVAL”) имеет следующие параметры эле- ментарной ячейки: а – 9,096 Е ; в – 10,648 Е ; с – 14,915 Е ; α = γ = 90°; β = 95,93° [3], а вторая (шифр “GAGVAL 01”): а – 14,926 Е ; в – 5,234 Е ; с – 19,570 Е ; α = γ = 90°; β = 112,20° [4]. Эти результаты получены при температуре 295К. Вопрос о температурном диапазоне стабильнос- ти каждой из этих форм и условиях их взаимного превращения остается еще невыясненным, од- нако в [4] отмечалось различие кристаллических структур вещества ТАА, полученного кристал- лизацией из ксилола и cублимацией в ампуле. Ранее нами [5 – 7] наблюдалось образование высокотекстурированных пленок ТАА, получен- ных методом термического испарения и конден- сации в вакууме на неподогретые аморфные под- ложки. Аналогичное явление ориентированности в пленках ТАА наблюдали также авторы [8, 9]. Но сравнение кристаллической структуры пленок ТАА и порошка ТАА с учетом возможности поли- морфизма данного ОП, а также оценка временной и температурной стабильности структуры пленок в этих работах не проводились. В [10] методом дифференциального термического анализа изу- чалась термическая стабильность мелкодисперс- ного порошка ТАА при его нагревании в воздухе и не было замечено каких-либо фазовых превра- щений в образце вплоть до Т ~ 232° ÷ 235° С. Од- нако известно, что в тонкопленочном виде ве- щества могут обладать “предельными” по степе- ни термодинамической и структурной неравно- весности состояниями, что может вызывать не- стабильность их свойств во времени в процессе эксплуатации или хранения [11]. Явления крис- таллизации из аморфной фазы или полиморфных превращений в вакуумных конденсатах наблю- даются довольно часто и важными факторами, определяющими протекание таких процессов, яв- ляются характер подложки, толщина пленки, ки- нетика процесса конденсации, температура [12]. Текстура в пленках ТАА хорошо проявляется на рентгеновских дифрактограммах: от исходного порошка ТАА фиксируется много рефлексов от- ражений, а от тонких пленок – всего два сильных рефлекса [5 – 9]. При этом в данных работах не рассматривался вопрос об угловом положении рефлексов отражения от пленки и их совпадение с рефлексами, полученными от порошка ТАА. Однако тщательный сопоставительный анализ дифрактограмм показывает незначительное рас- УДК 539.23: 548.73 РЕНТГЕНОВСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК ДИБЕНЗОТЕТРААЗА[14]АННУЛЕНА В.Г. Удовицкий Научный физико-технологический центр МОН и НАН Украины (Харьков) Украина Поступила в редакцию 17.08.2003 Приводятся результаты рентгеновских исследований кристаллической структуры тонких пленок орга- нического полупроводника – дибензотетрааза[14]аннулена, cконденсированных на неподогретые аморфные подложки. Установлено, что совершенная текстура, наблюдаемая в пленках, сохраняется при их длительном хранении, а также после многократных термообработок. Высказано предположение о возможности двухфазного состава пленок (одновременном существовании в них двух полиморфных модификаций), которое хорошо согласуется с наблюдаемыми особенностями дифрактограмм, а также экспериментальными результатами, опубликованными другими авторами. ФІП ФИП PSE, 2003, том 1, № 3 – 4, vol. 1, No. 3 – 4 311 хождение углового положения двух сильных рефлексов от пленки и от порошка (всего на не- сколько сотых град). Выяснение причин такого расхождения, постоянно наблюдаемого экспе- риментально на различных дифрактометрах и пленках ТАА, полученных в разных технологи- ческих процессах, представляет интерес, т.к. мо- жет содержать информацию об особенностях кристаллической структуры ТАА. Целью настоящего исследования является изучение особенностей кристаллической струк- туры и возможного (согласно литературным дан- ным) полиморфизма исходного вещества ТАА в виде порошка и в виде тонких пленок, получен- ных конденсацией вакууме на аморфных под- ложках, а также стабильности структуры пленок в процессе их хранения и эксплуатации. Информация о кристаллической структуре тонких пленок ТАА, их структурной упорядо- ченности и ее временной стабильности, важна для практического использования этих пленок, поско- льку перенос носителей тока в них определяется двумя процессами – переносом внутри макро- молекул, обладающих сопряженной π-электрон- ной системой, и переходом с одной макромолеку- лы на другую. Второй из этих процессов сущест- венно зависит от структуры пленок и ее стабиль- ности. МАТЕРИАЛЫ, ОБОРУДОВАНИЕ И МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЙ Вещество Н2ТАА (5, 14-дигидро[в, і]дибензо- [1, 4, 8, 11]тетраазааннулен) синтезировано на ка- федре органической химии Харьковского нацио- нального университета им. В.Н. Каразина, а так- же в Институте химии Уральского научного цент- ра РАН (г. Екатеринбург, Россия) по методике, описанной в [13]. Очистка веществ осуществля- лась их двухкратной перекристаллизацией из диметилформамида. Пленки получали конденса- цией в вакууме из полученного термическим методом парового потока (ВУП-5М, давление ~ 5⋅10–4 Па) на ситалловые и стеклянные подлож- ки. Ситалл, являясь аморфным в основной массе материалом, может содержать в объеме и на по- верхности случайно распределенные микроучаст- ки кристаллической фазы входящих в его состав окислов. Выбор ситалла в качестве подложки, наряду с аморфными стеклянными подложками, диктовался его широким использованием в тех- нологии различных тонкопленочных устройств, а также имел целью проверить влияние микро- участков кристаллической фазы, имеющихся на поверхности, на рост и ориентацию пленок ТАА. Исследовались пленки толщиной ~ 400 нм, которые конденсировались со скоростью ~ 100 нм/мин на специально не подогреваемые и не охлаждаемые подложки, расположенные пер- пендикулярно направлению испаритель-подлож- ка. Температура рабочей поверхности подложки в начале напыления составляла 298 ± 3 К, а в конце напыления – 318 ± 5 К. Рентгеновские исследования выполнялись при комнатной температуре образцов на рентгеновс- ком дифрактометре ДРОН–3М в режиме непре- рывной записи дифракционной картины с раз- личной угловой скоростью (диапазон исследова- ний 2θ = 5° ÷ ÷ ÷ ÷ ÷ 60°) и на дифрактометре фирмы “Siemens” в дискретном режиме с шагом скани- рования 0,01°. Использовали CuКα-излучение. Выполнялось исследование пленок непосред- ственно после их препарирования, а также этих же образцов после их пятилетнего хранения в обычных лабораторных условиях. Проводилось также исследование пленок, подвергавшихся многократному нагреву в циклическом режиме нагрев-охлаждение (25 ÷ 200)° С, т.к. нагрев мо- жет использоваться при эксплуатации газовых сенсоров на основе пленок ТАА . РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ Как уже упоминалось во введении, на данный мо- мент известны две полиморфные модификации безметального и незамещенного ТАА – “GAG- VAL” и “GAGVAL 01”. В дальнейшем обсужде- нии эти формы будут обозначаться в сокращен- ном виде как формы G и G01. На рис. 1 приведен наиболее информативный участок дифрактограмм, полученных от пленки (дифрактограмма с двумя интенсивными рефлек- сами) и порошка ТАА и совмещенных на одном рисунке путем компьютерной обработки. Для Рис. 1. Фрагмент совмещенных дифрактограмм от пленки и порошка ТАА. В.Г. УДОВИЦКИЙ ФІП ФИП PSE, 2003, том 1, № 3 – 4, vol. 1, No. 3 – 4312 РЕНТГЕНОВСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК ... сравнения интенсивностей рефлексов обе дифрак- тограммы приведены в одном масштабе. Как видно из рис. 1, пленки ТАА имеют высо- кую степень структурной упорядоченности. Об этом свидетельствует наличие только двух силь- ных рефлексов на их дифрактограмме (рефлекс 1 – 2θ ~ 9,77°, рефлекс 2 – 2θ ~ 19,61°). Рефлекс 2θ ~ 27,43° является сложносоставным, но основная часть его интенсивности обусловлена отражением от микрокристаллической фазы ситалловой подложки. Это подтверждено экспе- риментально путем снятия дифрактограммы от чистой подложки. Однако этот рефлекс является уширенным и в нем также присутствует и сла- бый рефлекс отражения от пленки. В табл. 1 све- дены данные по двум самым интенсивным реф- лексам от пленки и близко расположенным к ним рефлексам от порошка, полученные в насто- ящем исследовании, а также опубликованные в [8, 9]. При расчете отношения sinθ для этих двух реф- лексов (и для пленки, и для порошка) оно оказа- лось равным 2,0. Вполне обоснованным, поэтому, будет предположение о том, что это рефлексы разного порядка отражения от одной системы плоскостей. Соотношение интенсивностей этих рефлексов также говорит в пользу данного пред- положения. Однако, как представляется, важная информация может содержаться и в наблюдае- мом сдвиге углового положения рассматрива- емых рефлексов от пленки и порошка. Сдвиг очень незначителен (см. рис. 1 и табл. 1) и без тщательного сопоставительного анализа может быть отнесен даже к приборной или методичес- кой погрешности съемки дифрактограмм. Тем не менее, неоднократная съемка на разных дифрак- тометрах в трех лабораториях, а также компью- терная обработка дифрактограмм позволяют все же считать, что наблюдаемый сдвиг является закономерностью. Анализ дифрактограмм пленки и порошка, снятых в широком диапазоне углов, дает осно- вание для следующего объяснения наблюдае- мого сдвига рентгеновских рефлексов. Кристал- лические решетки ТАА в исходном порошке и пленке (на начальном этапе конденсации) явля- ются весьма близкими, но не идентичными – они принадлежат различным полиморфным модифи- кациям ТАА. Возможно также, что в порошке присутствуют обе полиморфные формы, т.к. реф- лексы от порошка очень уширены и могут содер- жать инструментально неразделяемые близкие рефлексы обеих форм, но на начальном этапе конденсации пленки преимущественно образуется ориентированная упорядоченная структура толь- ко одной полиморфной формы ТАА. С увеличе- нием толщины пленки существенно изменяются также и условия конденсации (прежде всего тем- пературные), что может приводить как к образо- ванию стохастически ориентированных крис- таллитов, как это предполагается в [8, 9], так и другой полиморфной фазы. Предварительные расчеты показывают, что в силу одинаковой кристаллографической сим- метрии, а также близости объемов элементарных ячеек (различие составляет всего 1,5%) извест- ные полиморфные формы ТАА – G и G01 имеют ряд очень близких значений межплоскостных расстояний. Это относится, например, к семейст- вам плоскостей (100) для G и (002) для G01-форм. Данное обстоятельство и может являться при- чиной близкого углового положения рефлексов от- ражения, наблюдаемых на дифрактограммах пленки и исходного порошка ТАА. Полная идентификация рефлексов отражений на дифрактограммах пленки и порошка ТАА вы- ходит за рамки данной работы и может быть сде- лана только после выполнения машинных рас- четов теоретически возможных межплоскостных расстояний для G и G01 – полиморфных форм ТАА с учетом всех факторов, влияющих на ин- тенсивность рефлексов отражения. При этом сле- дует также иметь в виду возможность изменения параметров решетки в тонкой пленке по сравне- нию с макроскопическим образцом. В плане высказанного предположения о кон- денсации на начальном этапе текстурированных пленок преимущественно только в одной поли- морфной форме и последующем образовании в более толстых пленках также и другой поли- морфной формы представляло интерес выяснить имеется ли уже в исследованных образцах пле- нок толщиной ~400 нм заметное рентгеновским методом количество зародышей другой поли- морфной формы или другой ориентации. Под- тверждением этого могло бы служить наличие Таблица 1 Рефлексы отражения от пленки и близкие к ним рефлексы отражения от порошка Пленка [8, 9] 2,01 – Реф- лекс Порошок Пленка 2θ 2θ 2θ 1 2 9,68 19,49 2,01 – 9,77 19,61 2,00 – 9,68 19,55 1 2 sin sin θ θ 1 2 sin sin θ θ 1 2 sin sin θ θ ФІП ФИП PSE, 2003, том 1, № 3 – 4, vol. 1, No. 3 – 4 313 на дифрактограмме пленки хотя бы слабых реф- лексов, которые являются интенсивными на дифрактограмме порошка. Компьютерная обра- ботка дифрактограмм позволила обнаружить очень незначительное увеличение интенсивности при 2θ ~ 10,13°, но этот всплеск еще сравним с уровнем флуктуационных колебаний. Однако уже хорошо видны рефлексы при 2θ ~14,55°; 20,50°; 27,07° (см. рис. 2, 3, 4), угловое положение кото- рых точно соответствует угловому положению аналогичных рефлексов, наблюдаемых на диф- рактограмме порошка. Рефлекс 2θ ~27,07° прак- тически является плечом достаточно интенсив- ного рефлекса 2θ ~ 27,43°, о котором уже говори- лось. Интересные результаты по рентгеновскому исследованию пленок ТАА различной толщины, опубликованные в [8,9], а именно – появление на дифрактограммах при увеличении толщины пле- нок новых рефлексов, находятся в хорошем согла- Рис. 2. Рефлекс 2θ ~14,55° на дифрактограмме пленки. Рис. 3. Рефлекс 2θ ~ 20,55° на дифрактограмме пленки. Рис. 4. Рефлекс 2θ ~ 27,07° на дифрактограмме пленки. сии с высказанным предположением о начальной конденсации пленок преимущественно в одной полиморфной форме и образовании в более тол- стых пленках другой полиморфной формы. Аналогичное явление конденсации пленок в иной полиморфной форме, чем порошок, наблю- дается также и в тонких пленках Рс [2,14]. Сле- дует ожидать, что с увеличением толщины пле- нок ТАА объемная доля другой полиморфной формы в них будет возрастать. Эффект измене- ния фазового состава пленок при изменении их толщины уже хорошо известен для металли- ческих пленок [15 – 17] и объясняется изменени- ем термодинамических условий (поверхностной энергии) при изменении толщины пленки. С точки зрения практического применения тонких пленок ТАА в различных устройствах важным является вопрос о термодинамической стабильности фаз G и G01, в частности, при их совместном присутствии в одном образце, и о ди- намике протекания в пленках т.н. фазового (поли- морфного) старения, которое может иметь место в пленках при наличии в них нескольких фаз [12]. Для получения ответа на этот вопрос сравнива- лись записанные на ДРОН-3М дифрактограммы свежепрепарированных пленок и этих же образ- цов пленок после пятилетнего хранения, а также пленок, подвергавшихся многократному нагреву (не менее 1000 раз) до температуры ≤ 200°С. Про- цесс фазового старения по данным этих иссле- дований не наблюдается. Этот результат хорошо согласуется с ранее сделанным А.И. Китайго- родским выводом о том, что две полиморфные модификации одного и того же вещества (речь идет о молекулярных кристаллах) способны не- ограниченно долго существовать в состоянии В.Г. УДОВИЦКИЙ ФІП ФИП PSE, 2003, том 1, № 3 – 4, vol. 1, No. 3 – 4314 РЕНТГЕНОВСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ТОНКИХ ПЛЕНОК ... равновесия [1]. Однако такая способность не яв- ляется обязательным свойством всех молеку- лярных кристаллов и их полиморфных фаз и по- этому экспериментальные структурные исследо- вания важны для выяснения данного вопроса. Изменений в структурном упорядочении пленок, подвергавшихся нагреву, а также после длительного хранения замечено не было. Нали- чие участков микрокристаллических фаз на по- верхности ситалловых подложек в данном иссле- довании не влияло на свойства пленок, т.к. не было замечено каких-либо различий между плен- ками, полученных конденсацией на ситалл или аморфное стекло. Свойства пленок, полученных из веществ, синтезированных в различных лабораториях, при соизмеримой степени их очистки (это конт- ролировалось методом ИК-спектроскопии), так- же были идентичными. ЗАКЛЮЧЕНИЕ По результатам проведенного исследования можно сделать следующие выводы. 1. Пленки органического полупроводника ТАА, полученные конденсацией на неподогретые амор- фные подложки, обладают совершенной тексту- рой, которая сохраняется при длительном хране- нии, а также многократных термообработках. 2. На начальном этапе пленки конденсируются с преимущественным образованием только одной полиморфной формы ТАА. 3. По мере увеличения толщины пленок в них возможно как нарушение текстуры, так и появ- ление другой полиморфной формы. 4. В пленке толщиной ~ 400 нм уже присутствует заметное рентгеновским методом количество за- родышей иной ориентации или иной полиморф- ной формы. 5. Явление фазового старения в пленках после их пятилетнего хранения, а также подвергнутых многократным циклическим нагревам до тем- пературы ∼ 200 0С, не обнаружено. 6. Опубликованные результаты других авторов хорошо согласуются с данными результатами и подтверждают высказанное предположение о возможном двухфазном составе пленок ТАА и об изменении соотношения количества поли- морфных фаз в процессе изменения толщины пленки. Полученные результаты представляют науч- ный интерес для выяснения сути процессов и явлений, протекающих в тонких пленках ОП с макроциклическим строением, а также выра- ботки механизмов управления этими процессами. Для более глубокого понимания явлений поли- морфизма пленок ТАА представляется интерес- ным в дальнейшем исследование его тонких пленок, полученных другими методами, напри- мер, с использованием плазменных СВЧ техно- логий, которые существенно изменяют механизм массопереноса и осаждения пленок. Эти резуль- таты также имеют и прикладное значение, т.к. позволяют научно-обоснованно подходить к раз- работке новых материалов, актуальных для сов- ременных практических применений. Возмож- ности практического использования тонких пле- нок ТАА явно не исчерпываются только их применением для создания газовых сенсоров. Этот ОП согласно литературным данным обла- дает также высокой фоточувствительностью и представляется перспективным его использова- ние для создания различных приборов оптоэлект- роники или улучшения характеристик кремниевых солнечных элементов. Найдены методы получе- ния ТАА с металлическим характером проводи- мости, что также открывает возможности прак- тического применения. Поэтому всесторонние исследования физических свойств данного макроциклического соединения и, в частности, его тонких пленок, позволят устранить отставание от широкого, но чисто «химического» или «биоло- гического» использования данного вещества [18] и успешно решать задачи инженерии, т.е. конст- руирования на молекулярном, уже наноуровне, материалов с требуемыми характеристиками для технических применений. Автор благодарит проф. Орлова В.Д за посто- янный интерес и поддержку проводимых ис- следований, доц. Колос Н.Н.за синтез ТАА, а так- же к.х.н. Баумера В.Н. и ст. инж. Вернигору К.П. за помощь в проведении дифрактометрических измерений. ЛИТЕРАТУРА 1. Китайгородский А.И. Молекулярные кристаллы. – М.: Наука, 1971. – 424с. 2. 2.Симон Ж., Андре Ж.-Ж. Молекулярные полу- проводники. Фотоэлектрические свойства и сол- нечные элементы. – М: Мир,1988.– 344с. 3. Sister E., Gottfried V., Kapon M. et. al. Structural char- acterization of the product of oxidation of a macrocy- clic cobalt (II) complex in pyridine solution//Inorg. Chem. – 1988.– Vol. 27, № 4. – P. 600-604. 4. Azuma N., Tani H., Ozava T. et. al. A Crystal Modifi- cation of Dibenzo(b,i)(1,4,8,11)tetraaza[14]- annulene: X-Ray Molecular Structure and Proton Tautomerism of the Highly n-Conjgated Form //J. Chem. Soc. Perkin Trans., II.– 1995, № 2. – Р. 343-348. ФІП ФИП PSE, 2003, том 1, № 3 – 4, vol. 1, No. 3 – 4 315 5. Орлов В.Д., Удовицкий В.Г. Физико-химические исследования некоторых фталоцианинов и тетра- азааннуленов – газочувствительных компонентов химических сенсоров//Тез. Межд. конф. ”SENSOR- TECHNO-93“.– Санкт-Петербург (Россия).– 1993.– С. 283. 6. Орлов В.Д., Удовицький В.Г.,Орлова Н.М. та ін. Вакуумне нанесення тонких плівок органічних на- півпровідників і дослідження їх будови//Мат. Міжн. конф. з фізики і технології тонких плівок. Ч. II.– Івано-Франківськ (Україна).– 1995. – С. 333. 7. Орлов В.Д., Удовицкий В.Г. Вакуумное напыление тонких пленок органических полупроводников и исследование их структуры//Технол. и конструир. в электрон. аппарат. – 2001. – № 6. – С. 9-11. 8. Снопок Б.А., Лампека Я.Д. О механизме форми- рования тонких пленок дибензотетраазааннулена на аморфной подложке//Теорет. и эксперим. хи- мия. – 1995. – Т. 31, № 6. – С. 365-369. 9. Snopok B.A., Lampeka Ya.D. Thin films of organic molecular crystals (OMC) possessing type B lattice: spatial structure of dibenzotetraazaannulene film is related to its thickness//Semiconductor Physics. Quantum Electronics and Optoelectronics. – 1999.– Vol. 2, № 2. – P. 69-72. 10. Slipchenko N.I., Udovitsky V.G., Orlov V.D. Thin films of organic semiconductor for gas sensor develop- ment//Functional Materials. – 2003. – Vol. 10, № 3. – P. 559-564. 11. Палатник Л.С, Черемской П.Г., Фукс М.Я. Поры в пленках. – М.: Энергоиздат, 1982. – 216 с. 12. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. – М.: Наука, 1972 . – 320 с. 13. Yuzo Nishida et. al. Synthesis and properties of new dibenzotetraaza[14]annulenes and its metal chelates //J. Coord. Chem. – 1979. – Vol. 9. – P. 161-166. 14. Marsan B., Grine J., Belanger G. Impurities in phtha- locyanines and structural modifications induced dur- ing thin film deposition//Materials Chemistry and Physics. – 1986. – Vol. 14. – P. 269-278. 15. Бублик А.И, Пинес Б.Я. Фазовый переход при изме- нении толщины в тонких металлических пленках// ДАН СССР. – 1952. – Т. 87, № 2. – C. 215 - 218. 16. Бойко Б.Т. Электронографическое исследование структуры и физических свойств островковых и сплошных пленок: Дис. докт. физ.-мат. нук: 01.04.07. – Харьков, 1971. – 293 с. 17. Гладких Н.Т. Фазовый размерный эффект в конденсированных пленках: Дис. докт. физ.-мат. наук: 01.04.07 – Харьков, 1974.– 296с. 18. Яцимирский К.Б., Лампека Я.Д. Физикохимия ком- плексов металлов с макроциклическими лиган- дами. – К.: Наукова думка, 1985. – 256 с. X-RAY INVESTIGATION OF DIBENZOTETRAAZA[14]ANNULENE THIN FILMS CRYSTAL STRUCTURE V.G. Udovitsky The results of X-ray crystal structure investigation of or- ganic semiconductor – dibenzotetraaza[14]annulene as thin films are given. The thin films were deposited on un- heated amorphous substrates by vacuum condensation. It is established that the films had high structural order (texture) which is stable during long-term preservation and also under repeated thermal treatment. Polymorphic structure (presence of two polymorphic modifications) for the films is assumed. The assumption has a good agreement with X-ray diffractogram peculiarities and experimental results published by other authors РЕНТГЕНІВСЬКЕ ДОСЛІДЖЕННЯ КРИСТАЛІЧНОЇ СТРУКТУРИ ТОНКИХ ПЛІВОК ДИБЕНЗОТЕТРААЗА[14]АНУЛЕНУ В.Г. Удовицький Наводяться результати рентгенівських досліджень крис- талічної структури тонких плівок органічного напівпро- відника – дибензотетрааза[14]анулену, конденсованих на не підігріті аморфні підкладки. Встановлено, що досконала текстура, яка спостерігається в плівках, зали- шається незмінною при їхньому тривалому зберіганні, а також після багаторазових термообробок. Вислов- лено припущення про можливість двохфазного складу плівок (одночасного існування в них двох поліморфних модифікацій), яке добре узгоджується з особливостями дифрактограм, а також експериментальними резуль- татами, опублікованими іншими авторами. В.Г. УДОВИЦКИЙ
id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98449
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn	1999-8074
language	Russian
last_indexed	2025-12-07T15:38:24Z
publishDate	2003
publisher	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
record_format	dspace
spelling	Удовицкий, В.Г. 2016-04-14T17:28:43Z 2016-04-14T17:28:43Z 2003 Рентгеновское исследование кристаллической структуры тонких пленок дибензотетрааза[14]аннулена / В.Г. Удовицкий // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 3-4. — С. 310–315. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98449 Приводятся результаты рентгеновских исследований кристаллической структуры тонких пленок органического полупроводника – дибензотетрааза[14]аннулена, cконденсированных на неподогретые аморфные подложки. Установлено, что совершенная текстура, наблюдаемая в пленках, сохраняется при их длительном хранении, а также после многократных термообработок. Высказано предположение о возможности двухфазного состава пленок (одновременном существовании в них двух полиморфных модификаций), которое хорошо согласуется с наблюдаемыми особенностями дифрактограмм, а также экспериментальными результатами, опубликованными другими авторами. Наводяться результати рентгенівських досліджень кристалічної структури тонких плівок органічного напівпровідника – дибензотетрааза[14]анулену, конденсованих на не підігріті аморфні підкладки. Встановлено, що досконала текстура, яка спостерігається в плівках, залишається незмінною при їхньому тривалому зберіганні, а також після багаторазових термообробок. Висловлено припущення про можливість двохфазного складу плівок (одночасного існування в них двох поліморфних модифікацій), яке добре узгоджується з особливостями дифрактограм, а також експериментальними результатами, опублікованими іншими авторами. The results of X-ray crystal structure investigation of organic semiconductor – dibenzotetraaza[14]annulene as thin films are given. The thin films were deposited on unheated amorphous substrates by vacuum condensation. It is established that the films had high structural order (texture) which is stable during long-term preservation and also under repeated thermal treatment. Polymorphic structure (presence of two polymorphic modifications) for the films is assumed. The assumption has a good agreement with X-ray diffractogram peculiarities and experimental results published by other authors. Автор благодарит проф. Орлова В.Д за постоянный интерес и поддержку проводимых исследований, доц. Колос Н.Н.за синтез ТАА, а также к.х.н. Баумера В.Н. и ст. инж. Вернигору К.П. за помощь в проведении дифрактометрических измерений. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Рентгеновское исследование кристаллической структуры тонких пленок дибензотетрааза[14]аннулена Рентгенівське дослідження кристалічної структури тонких плівок дібензотетрааза [14] аннулена X-ray investigation of dibenzotetraaza [14] annulene thin film crystal structure Article published earlier
spellingShingle	Рентгеновское исследование кристаллической структуры тонких пленок дибензотетрааза[14]аннулена Удовицкий, В.Г.
title	Рентгеновское исследование кристаллической структуры тонких пленок дибензотетрааза[14]аннулена
title_alt	Рентгенівське дослідження кристалічної структури тонких плівок дібензотетрааза [14] аннулена X-ray investigation of dibenzotetraaza [14] annulene thin film crystal structure
title_full	Рентгеновское исследование кристаллической структуры тонких пленок дибензотетрааза[14]аннулена
title_fullStr	Рентгеновское исследование кристаллической структуры тонких пленок дибензотетрааза[14]аннулена
title_full_unstemmed	Рентгеновское исследование кристаллической структуры тонких пленок дибензотетрааза[14]аннулена
title_short	Рентгеновское исследование кристаллической структуры тонких пленок дибензотетрааза[14]аннулена
title_sort	рентгеновское исследование кристаллической структуры тонких пленок дибензотетрааза[14]аннулена
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98449
work_keys_str_mv	AT udovickiivg rentgenovskoeissledovaniekristalličeskoistrukturytonkihplenokdibenzotetraaza14annulena AT udovickiivg rentgenívsʹkedoslídžennâkristalíčnoístrukturitonkihplívokdíbenzotetraaza14annulena AT udovickiivg xrayinvestigationofdibenzotetraaza14annulenethinfilmcrystalstructure

Рентгеновское исследование кристаллической структуры тонких пленок дибензотетрааза[14]аннулена

Institution

Similar Items