Формирование элементного состава гетероструктур A³B⁵ при эпитаксиииз ионизированных потоков - Вербицкий, В.Г.; Осинский, С.В. (Физическая инженерия поверхности, 2004)
Приведены результаты исследований процессов формирования атомного состава нанослоев соединений А³В⁵ и их твердых растворов при молекулярно-лучевой эпитаксии из ионизированных потоков. Показана важная роль одновременной ионизации как элементов А³ , так и элементов В⁵ для компьютерного управления составом интерфейсов и нанослоев гетероструктур Наведені результати досліджень процесів формування атомного складу наношарів сполук А³В⁵ і їх твердих розчинів при молекулярно-променевій епітаксіїзіонізованих потоків. Показана важлива роль одночасної іонізації як елементів А³ , так і елементів В⁵ для комп’ютерного управління складом інтерфейсів і наношарів гетероструктур. The results of researches of formation processes of the atomic composition of A³B⁵ nanolayers in Molecular Beam Epitaxy from ion beams. It is shown important role of simultaneous ionization A³ and B⁵ elements for computer formation of composition of heterostructure interfaces and nanolayers.