Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света

В настоящей работе рассчитаны значения энергий ионов, необходимых для получения однородных слоев шестикомпонентных твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v при создании варизонных структур светодиодов, излучающих в диапазоне длин волн видимого света. Определены критерии применимости выбранного под...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2004
Hauptverfasser: Вербицкий, В.Г., Осинский, С.В., Сариков, А.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2004
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98478
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света / В.Г. Вербицкий, С.В. Осинский, А.В. Сариков // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 74–78. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98478
record_format dspace
spelling Вербицкий, В.Г.
Осинский, С.В.
Сариков, А.В.
2016-04-15T07:36:46Z
2016-04-15T07:36:46Z
2004
Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света / В.Г. Вербицкий, С.В. Осинский, А.В. Сариков // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 74–78. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98478
535.37
В настоящей работе рассчитаны значения энергий ионов, необходимых для получения однородных слоев шестикомпонентных твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v при создании варизонных структур светодиодов, излучающих в диапазоне длин волн видимого света. Определены критерии применимости выбранного подхода расчета энергии ионов. Полученные результаты могут быть использованы в технологии получения светодиодных полупроводниковых структур.
Розраховані значення енергій іонів, які потрібні для одержання однорідних шарів шестикомпонентних твердих розчинів InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v при створенні варизонних структур світлодіодів, випромінюючих в діапазоні довжин хвиль видимого світла. Визначені критерії застосування даного підходу для розрахунків енергій іонів. Одержані результати можуть використовуватись в технології одержання структур світлодіодів.
The ion energies for growth of solid-state solutions InxGayAl1-x-yNuAsv P1-u-v are calculated. This is used for graded band structures in range of visible light emission. Criteries of ion energies calculations are considered. Calculations related to the LED structures technologies are made.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света
Іонна стимуляція отримання твердих розчинів InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v для діодних джерел білого світла
Ionic stimulation ofreceipt the hard solutions InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v for white light diode sources
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света
spellingShingle Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света
Вербицкий, В.Г.
Осинский, С.В.
Сариков, А.В.
title_short Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света
title_full Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света
title_fullStr Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света
title_full_unstemmed Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света
title_sort ионная стимуляция получения твердых растворов inxgayal1–x–ynuasvp1–u–v для диодных источников белого света
author Вербицкий, В.Г.
Осинский, С.В.
Сариков, А.В.
author_facet Вербицкий, В.Г.
Осинский, С.В.
Сариков, А.В.
publishDate 2004
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
title_alt Іонна стимуляція отримання твердих розчинів InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v для діодних джерел білого світла
Ionic stimulation ofreceipt the hard solutions InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v for white light diode sources
description В настоящей работе рассчитаны значения энергий ионов, необходимых для получения однородных слоев шестикомпонентных твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v при создании варизонных структур светодиодов, излучающих в диапазоне длин волн видимого света. Определены критерии применимости выбранного подхода расчета энергии ионов. Полученные результаты могут быть использованы в технологии получения светодиодных полупроводниковых структур. Розраховані значення енергій іонів, які потрібні для одержання однорідних шарів шестикомпонентних твердих розчинів InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v при створенні варизонних структур світлодіодів, випромінюючих в діапазоні довжин хвиль видимого світла. Визначені критерії застосування даного підходу для розрахунків енергій іонів. Одержані результати можуть використовуватись в технології одержання структур світлодіодів. The ion energies for growth of solid-state solutions InxGayAl1-x-yNuAsv P1-u-v are calculated. This is used for graded band structures in range of visible light emission. Criteries of ion energies calculations are considered. Calculations related to the LED structures technologies are made.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98478
citation_txt Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света / В.Г. Вербицкий, С.В. Осинский, А.В. Сариков // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 74–78. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT verbickiivg ionnaâstimulâciâpolučeniâtverdyhrastvorovinxgayal1xynuasvp1uvdlâdiodnyhistočnikovbelogosveta
AT osinskiisv ionnaâstimulâciâpolučeniâtverdyhrastvorovinxgayal1xynuasvp1uvdlâdiodnyhistočnikovbelogosveta
AT sarikovav ionnaâstimulâciâpolučeniâtverdyhrastvorovinxgayal1xynuasvp1uvdlâdiodnyhistočnikovbelogosveta
AT verbickiivg íonnastimulâcíâotrimannâtverdihrozčinívinxgayal1xynuasvp1uvdlâdíodnihdžerelbílogosvítla
AT osinskiisv íonnastimulâcíâotrimannâtverdihrozčinívinxgayal1xynuasvp1uvdlâdíodnihdžerelbílogosvítla
AT sarikovav íonnastimulâcíâotrimannâtverdihrozčinívinxgayal1xynuasvp1uvdlâdíodnihdžerelbílogosvítla
AT verbickiivg ionicstimulationofreceiptthehardsolutionsinxgayal1xynuasvp1uvforwhitelightdiodesources
AT osinskiisv ionicstimulationofreceiptthehardsolutionsinxgayal1xynuasvp1uvforwhitelightdiodesources
AT sarikovav ionicstimulationofreceiptthehardsolutionsinxgayal1xynuasvp1uvforwhitelightdiodesources
first_indexed 2025-12-07T17:47:37Z
last_indexed 2025-12-07T17:47:37Z
_version_ 1850872595337969664