Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света
В настоящей работе рассчитаны значения энергий ионов, необходимых для получения однородных слоев шестикомпонентных твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v при создании варизонных структур светодиодов, излучающих в диапазоне длин волн видимого света. Определены критерии применимости выбранного под...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2004
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98478 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света / В.Г. Вербицкий, С.В. Осинский, А.В. Сариков // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 74–78. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860137579567906816 |
|---|---|
| author | Вербицкий, В.Г. Осинский, С.В. Сариков, А.В. |
| author_facet | Вербицкий, В.Г. Осинский, С.В. Сариков, А.В. |
| citation_txt | Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света / В.Г. Вербицкий, С.В. Осинский, А.В. Сариков // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 74–78. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | В настоящей работе рассчитаны значения энергий ионов, необходимых для получения однородных слоев шестикомпонентных твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v при создании варизонных структур светодиодов, излучающих в диапазоне длин волн видимого света. Определены критерии применимости выбранного подхода расчета энергии ионов. Полученные результаты могут быть использованы в технологии получения светодиодных полупроводниковых структур.
Розраховані значення енергій іонів, які потрібні для одержання однорідних шарів шестикомпонентних твердих розчинів InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v при створенні варизонних структур світлодіодів, випромінюючих в діапазоні довжин хвиль видимого світла. Визначені критерії застосування даного підходу для розрахунків енергій іонів. Одержані результати можуть використовуватись в технології одержання структур світлодіодів.
The ion energies for growth of solid-state solutions InxGayAl1-x-yNuAsv P1-u-v are calculated. This is used for graded band structures in range of visible light emission. Criteries of ion energies calculations are considered. Calculations related to the LED structures technologies are made.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:47:37Z |
| format | Article |
| fulltext |
ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 274
ВВЕДЕНИЕ
Современные методы осаждения слоев, такие как
молекулярно–лучевая эпитаксия, эпитаксия из ме-
талл–органических соединений позволяют кон-
тролировано осаждать слои полупроводниковых
соединений и их твердых растворов с заданны-
ми значениями ширины запрещенной зоны, по-
стоянной решетки, требуемыми типом и уровнем
легирования и т. д., а также формировать после-
довательности этих слоев для создания много-
слойных приборных наноструктур [1]. Несмотря
на развитие технологии светодиодов, излучающих
в узком интервале длин волн, совершенной тех-
нологии изготовления однокристальных свето-
диодов белого света в настоящее время не су-
ществует.
В работе [2] нами предложен принцип созда-
ния светоизлучающей варизонной структуры на
основе шестикомпонентных твердых растворов
InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v, ширина запрещенной
зоны которой меняется таким образом, чтобы
перекрыть весь диапазон видимого света (при-
мерно 1,5 – 3 эВ). Применение таких твердых
растворов позволяет гибко управлять как зна-
чением ширины запрещенной зоны, так и по-
стоянной решетки для согласования решетки
соседних слоев варизонной структуры. Нами
предложена методика и проведен расчет последо-
вательностей составов слоев для формирования
таких структур. В то же время было показано,
что получение твердых растворов с большими
значениями ширины запрещенной зоны требуют
значительной концентрации растворенного азота,
которое возможно только при очень высоких
температурах, недостижимых в обычных техно-
логических условиях. Выходом из данной ситу-
ации может быть ионно–стимулированное осаж-
дение [3], при котором реагенты для формирова-
ния слоя доставляются в виде ионов. Ускоренные
электрическим полем, ионы, отдавая свою энер-
гию растущей пленке, вызывают значительное
повышение температуры в месте реакции, тем
самым позволяя более гибко управлять формиро-
ванием состава пленки.
Данная работа является продолжением работы
[4]. В ней проведен оценочный расчет энергий
ионов, необходимых для формирования вари-
зонных структур InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диод-
ных излучателей белого света, а также опреде-
лены критерии применимости использованного
подхода.
МЕТОДИКА РАСЧЕТА
Как уже говорилось выше, одним из путей эф-
фективного повышения локальной температуры
в месте реакции является частичная или полная
ионизация потока атомов реагентов. Рассмотрим
физические процессы, происходящие при взаимо-
действии налетающего иона с поверхностью рас-
тущей пленки. При этом мы будем опираться на
результаты работы [3], в которой рассмотрена об-
ратная задача – определение локальной темпера-
туры в зоне реакции при взаимодействии иона
определенной энергии с пленкой.
При ударе о поверхность пленки налетающий
ион теряет свою энергию. Скорость потери энер-
гии определяется силой противодействия движе-
нию иона в материале пленки (сила торможения),
которая зависит от массы и заряда иона, плот-
ности вещества пленки и выражается т. н. форму-
лой энергетических потерь [4]:
N
mm
m
ZZ
ZZ
F
ion
ion
ion
ion
++
⋅= −
3/23/2
321045.4 . (1)
где Zion и mion – соответственно заряд и масса па-
дающего иона Z и m – эффективный заряд и масса
усредненного атома пленки, N – атомная концент-
УДК 535.37
ИОННАЯ СТИМУЛЯЦИЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ
InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v ДЛЯ ДИОДНЫХ ИСТОЧНИКОВ БЕЛОГО СВЕТА
В. Г. Вербицкий, С.В. Осинский, А. В. Сариков*
НИИ Микроприборов (Киев),
*Институт физики полупроводников им. В. Лашкарева НАН Украины (Киев)
Украина
Поступила в редакцию 11.05.2004
В настоящей работе рассчитаны значения энергий ионов, необходимых для получения однородных слоев
шестикомпонентных твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v при создании варизонных структур
светодиодов, излучающих в диапазоне длин волн видимого света. Определены критерии применимости
выбранного подхода расчета энергии ионов. Полученные результаты могут быть использованы в
технологии получения светодиодных полупроводниковых структур.
ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 2 75
рация в пленке (см–3).
Величина силы торможения и энергия падаю-
щего иона определяют время полной остановки
иона, которое может быть найдено из выражения
для закона сохранения импульса:
F·∆t = mion·∆V, (2)
где ∆t – время торможения, ∆V – потеря ионом
скорости при изменении энергии от начальной
величины до 0:
ion
ion
m
E
V
2
=∆ , (3)
где Eion – начальная энергия падающего иона.
Подставляя выражение (3) в формулу закона
сохранения импульса (2), получим следующее
выражение для расчета времени торможения
иона в материале пленки:
F
Em
t ionion2
=∆ . (4)
Оценка локальной температуры, возникаю-
щей в зоне действия одиночного иона, возможна
из решения соответствующего уравнения тепло-
проводности [6]:
×
πλ
ρ=χηξ 2/3)(8
);,,;,,(
t
QctzyxT
0
222
4
)()()(exp T
t
zyxc +⎟⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
λ
χ−+η−+ξ−
ρ−× , (5)
где T – температура в точке (x, y, z) в момент вре-
мени t, вызываемая точечным мгновенным источ-
ником тепла Q, который размещается в точке сре-
ды (ξ, η, γ) в момент времени t = 0; λ, c и ρ – со-
ответственно теплопроводность, теплоемкость и
плотность вещества пленки, T0 – начальная тем-
пература пленки.
Если поместить начало координат в месте вы-
деления тепла, т. е. положить ξ = η = γ = 0, а так-
же рассматривать изменение локальной темпе-
ратуры в этой же точке, то формула для расчета
данной температуры в зависимости от времени
сильно упростится и примет следующий вид:
02/3)(8
T
t
QcT +
πλ
ρ= . (6)
Количество тепла, выделяемое в пленке, рав-
но начальной кинетической энергии иона, т. е.
Q = Eion. Из формул (4) и (6) можно рассчитать
энергию ионов, необходимых для получения за-
данной локальной температуры в месте падения
иона, положив t в формуле (6) равным времени
торможения. После преобразований выражение
для расчета энергии падающего иона может быть
записано в следующем виде:
4
0622
63615
)(2 TT
Fc
mE ion
ion −
ρ
λπ= . (7)
Следует отметить, что применимость выше-
описанного подхода для расчета необходимой
энергии падающих ионов определяется характер-
ными длиной и временем пробега ионов в мате-
риале пленки, а также плотностью их потока на
поверхность пленки. В следующем разделе мы
рассмотрим более подробно применимость
данного подхода к росту слоев шестикомпонент-
ных твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v.
РЕЗУЛЬТАТЫ
Для расчета энергии ионов, необходимой для по-
лучения шестикомпонентного твердого раствора
InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v заданного состава, нужно
вычислить усредненные параметры этого рас-
твора. Расчет массы и заряда усредненного атома
твердого раствора производился исходя из отно-
сительного содержания атомов элементов, состав-
ляющих твердый раствор, согласно общей фор-
муле:
P = α(xPIn+ yPGa + zPAl + uPN + vPAs + wPP), (8)
где P и Pi – соответственно усредненный параметр
твердого раствора и падающего иона элемента i,
α – обратная сумма относительных концентраций
элементов, α = 0,5.
Усредненные плотность и атомная концентра-
ция твердого раствора вычислялись, исходя из
относительных концентраций бинарных полупро-
водниковых соединений в твердом растворе,
согласно модели Вегарда. Значения плотностей
бинарных полупроводниковых соединений были
взяты из справочника [7], значение плотности
AlN – из работы [8]. Расчет концентрации атомов
в бинарных соединениях производился аналогич-
но сделанному в работе [4].
Для вычисления силы торможения ионов в ма-
териале растущей пленки нами принималось, что
на поверхность материала, состоящего из атомов
с усредненными характеристиками падают оди-
ночные ионы с такими же характеристиками. При
этом формула (1) упрощается и принимает сле-
дующий вид:
3/2
2
32
22
1045.4
Z
NZF −⋅= . (9)
Начальная температура подложки T0 была
выбрана равной 550° C. Поскольку в литературе
отсутствуют исчерпывающие данные по тепло-
проводности и теплоемкости бинарных соеди-
нений AIIIBV, соответствующие усредненные
В. Г. ВЕРБИЦКИЙ, С.В. ОСИНСКИЙ, А. В. САРИКОВ
ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 276
ИОННАЯ СТИМУЛЯЦИЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ InxGaYAl1–X–YNUAsVP1–U–V ДЛЯ ДИОДНЫХ ...
значения выбирались равными 50 Вт/м·К и
1000 Дж/кг·К, что согласуется с опубликованны-
ми значениями для ряда бинарных соединений
[5].
В табл. 1 приведена последовательность сос-
тавов слоев шестикомпонентных твердых рас-
творов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для создания вари-
зонной светоизлучающей структуры белого света,
которая была найдена в предыдущей работе [4].
Тут же указаны рассчитанные по известным тем-
пературам значения энергии ионов, необходимых
для формирования однородных твердых раство-
ров, согласно формуле (7).
Рассмотрим теперь вопрос о применимости
использованного подхода для расчета энергии
ионов, необходимых для формирования шестико-
мпонентных твердых растворов заданных соста-
вов. В наших рассуждениях мы неявно исходили
из следующих предположений, невыполнение ко-
торых приводит к неправомерности применения
использованного метода расчета:
1. время полной потери энергии ионов очень
мало и сопоставимо с периодом колебаний
атомов (мгновенность источника);
2. глубина проникновения ионов в материал со-
поставима с постоянной решетки (точеч-
ность источника);
3. суммарный поток ионов на поверхность на-
столько мал, что не позволяет заметно нагре-
ваться поверхности как целому (одиночные
ионы).
Время торможения ионов в материале пленки
рассчитывается по формуле (4). Длину пробега
ионов (глубину проникновения в материал)
можно вычислить, исходя из того, что кинетичес-
кая энергия иона равна работе силы торможения,
что выражается формулой:
F·L = Eion, (10)
откуда
F
EL ion= , (11)
где L – длина пробега падающего иона в мате-
Таблица 1
Последовательность составов слоев шестикомпонентных твердых
растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v.
№
п/п nI aG lA N sA P Eg Вэ, a мн, T K, E noi Вэ,
1 7510,0 89,0 3400,0 0 9,0 1,0 5,1 1765,0 - -
2 2610,0 89,0 8300,0 0 87,0 22,0 6,1 3465,0 - -
3 7610,0 89,0 3300,0 0 66,0 43,0 7,1 4165,0 - -
4 9300,0 29,0 1670,0 0 6,0 4,0 8,1 5955,0 - -
5 6300,0 27,0 4672,0 0 6,0 4,0 9,1 3955,0 - -
6 410,0 86,0 603,0 40,0 75,0 93,0 0,2 9455,0 71,7775 01·3,3 3
7 7110,0 76,0 3813,0 80,0 55,0 73,0 1,2 5055,0 49,7177 01·1,1 4
8 600,0 86,0 413,0 21,0 25,0 63,0 2,2 6545,0 55,3249 01·5,2 4
9 8400,0 36,0 2563,0 51,0 25,0 33,0 3,2 4245,0 5,41901 01·9,4 4
01 2400,0 46,0 8553,0 91,0 84,0 33,0 4,2 6735,0 4,29521 01·3,8 4
11 600,0 56,0 443,0 42,0 64,0 3,0 5,2 3235,0 1,70051 01·5,1 5
21 6500,0 56,0 4443,0 82,0 34,0 92,0 6,2 6725,0 3.66071 01·4,2 5
31 4710,0 26,0 6263,0 23,0 14,0 72,0 7,2 5325,0 6,18391 01·9,3 5
41 7710,0 26,0 3263,0 63,0 83,0 62,0 8,2 9815,0 6,51912 01·3,6 5
51 4700,0 36,0 6263,0 4,0 73,0 32,0 9,2 3415,0 6,22842 01·8,9 5
61 2500,0 36,0 8463,0 44,0 53,0 12,0 0,3 7905,0 7,54082 01·5,1 6
ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 2 77
риале пленки.
В табл. 2 представлены результаты расчетов
времени торможения и глубины проникновения
ионов при формировании последовательности
слоев шестикомпонентных твердых растворов,
показанных в табл. 1 (нумерация слоев соответст-
вует табл. 1). Как видно, во всех случаях время
торможения по порядку величины сравнимо с пе-
риодом колебаний атомов в кристаллической
решетке (10–13 – 10–12 с). В то же время высоко-
энергетические ионы, использование которых не-
обходимо при получении широкозонных твердых
растворов, проникают в растущую пленку на зна-
чительную глубину, на три порядка превышаю-
щую величину постоянной решетки. Это свиде-
тельствует о том, что более правильным в случае
высокоэнергетических ионов является тщатель-
ное рассмотрение процессов взаимодействия
ионов с растущей пленкой, учитывающее непре-
рывную потерю энергии ионами на пути до пол-
ной их остановки.
ионов с растущей пленкой, учитывающее непре-
рывную потерю энергии ионами на пути до пол-
ной их остановки.
Для расчета максимального потока ионов на
поверхность, при котором выполняется критерий
одиночности ионов, минимальное время между
ударами соседних ионов, падающих на опреде-
ленную площадь, допускалось таким, чтобы тем-
пература в месте падения предыдущего иона в
момент удара следующего иона отличалась бы
от начальной на величину, не больше заданной.
Используя заданную разность температур, это
время может быть вычислено из формулы (6)
следующим образом:
3/2
04
1
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−
ρ
πλ
=
TT
cE
t ion
min . (12)
С другой стороны, время между ударами со-
седних ионов падающих на площадь S, связано с
потоком ионов J следующим соотношением:
SJ
t
max
min
1= . (13)
Приравнивая выражения (12) и (13), получаем
следующее выражение для максимального потока
ионов, при котором еще выполняется критерий
одиночности ионов:
3/2
04
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
ρ
−πλ=
cE
TT
S
J
ion
max . (14)
Значения максимальных потоков ионов для
слоев в исследованной последовательности шес-
тикомпонентных твердых растворов InxGayAl1–x–
yNuAsvP1–u–v также показаны в табл. 2. При рас-
чете площадь S выбиралась равной 1 см2, а допус-
тимая разность температур составляла 1 K.
ВЫВОДЫ
Таким образом, в проведенной работе нами оце-
нены значения энергий ионов, необходимых для
получения однородных слоев шестикомпонент-
ных твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v
ремоН
яолс
яинежомротямерВ
с,вонои
яиневонкинорпанибулГ
мн,вонои
котопйыньламискаМ
мс,вонои 2- с· 1-
6
7
8
9
01
11
21
31
41
51
61
5, 01·58 41-
1, 01·70. 31-
1, 01·65 31-
2, 01·12 31-
2, 01·48 31-
3, 01·27 31-
01·96,4 31-
01·89,5 31-
01·94,7 31-
9, 01·72 31-
01·61,1 21-
3, 90
6,01
2,32
7,64
1,97
2,931
8,522
7,173
9,295
529
8,4641
5, 01·97 01
01·45,2 01
01·5,1 01
01·45,9 9
6, 01·7 9
01·55,4 9
01·3,3 9
01·73,2 9
01·43,1 9
01·92,1 9
01·45,9 8
Таблица 2
Характеристики процесса ионно–стимулированного осаждения слоев шестикомпонентных
твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v.
В. Г. ВЕРБИЦКИЙ, С.В. ОСИНСКИЙ, А. В. САРИКОВ
ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 278
для создания структур светодиодов, излучающих
во всем диапазоне длин волн видимого света.
Найдены критерии применимости предложен-
ного подхода для расчета энергии ионов и пока-
зано, что для высокоэнергетичных ионов, необхо-
димых для получения широкозонных твердых
растворов, более правильным является использо-
вание обобщенной модели, учитывающей потерю
энергии ионами на всем пути от момента соуда-
рения с поверхностью растущей пленки до пол-
ной остановки.
ЛИТЕРАТУРА
1. Осинский В.И., Вербицкий В.Г. Зонная инженерия:
ионная реализация виртуальных квантово-размер-
ных гетероструктур наноэлектроники// Оптоелект-
ронні інформаційно-енергетичні технології. –
2001. – № 1, 169 .
2. Вербицкий В.Г., Осинский С.В., Сариков А.В. Шес-
тикомпонентные твердые растворы для источ-
ников белого света. Нитриды галлия, индия и алю-
миния – структуры и приборы// Материалы 3-й
Всероссийской конференции Москва-С.Петер-
бург (Россия). – 2004. – С. 167.
3. Вербицкий В.Г. Ионные нанотехнологии в элект-
ронике. – К.: МП “Леся”, 2002. – 376 с.
4. Вербицкий В.Г., Осинский С.В., Сариков А.В. Рас-
чет элементного состава варизонных структур
А3В5 для белых светодиодов//Физическая инже-
нерия поверхности.– 2004. – Т 1, № 3 – 4. – С.
5. Броудай И., Мерей Дж. Физические основы мик-
ротехнологии. – М.: Мир, 1985. – 214 с.
6. Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения матема-
тической физики. – М.: Наука, 1972. – 454 с.
7. Физические величины. Справочник / Под ред.
И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. – М.: Энергоа-
томиздат, 1991.
8. Mohammad S. N., Morkoз H. Progress and prospects
of group–III nitride semiconductors// Prog. Quant.
Electr. – 1996. – Vol. 20, № 5/6. – p. 361.
IONIC STIMULATION OF RECEIPT THE HARD
SOLUTIONS InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v FOR WHITE
LIGHT DIODE SOURCES
V.G. Verbitsky, S.V. Osinsky, A.V. Sarikov
The ion energies for growth of solid-state solutions
InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v are calculated. This is used for
graded band structures in range of visible light emission.
Criteries of ion energies calculations are considered.
Calculations related to the LED structures technologies
are made.
ІОННА СТИМУЛЯЦІЯ ОДЕРЖАННЯ ТВЕРДИХ
РОЗЧИНІВ ІnxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v ДЛЯ
ДІОДНИХ ДЖЕРЕЛ БІЛОГО СВІТЛА
В. Г. Вербицький, С.В. Осінський, А. В. Саріков
Розраховані значення енергій іонів, які потрібні для
одержання однорідних шарів шестикомпонентних твер-
дих розчинів InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v при створенні вари-
зонних структур світлодіодів, випромінюючих в діа-
пазоні довжин хвиль видимого світла. Визначені кри-
терії застосування даного підходу для розрахунків енер-
гій іонів. Одержані результати можуть використову-
ватись в технології одержання структур світлодіодів.
ИОННАЯ СТИМУЛЯЦИЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ InxGaYAl1–X–YNUAsVP1–U–V ДЛЯ ДИОДНЫХ ...
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98478 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:47:37Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Вербицкий, В.Г. Осинский, С.В. Сариков, А.В. 2016-04-15T07:36:46Z 2016-04-15T07:36:46Z 2004 Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света / В.Г. Вербицкий, С.В. Осинский, А.В. Сариков // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 74–78. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98478 535.37 В настоящей работе рассчитаны значения энергий ионов, необходимых для получения однородных слоев шестикомпонентных твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v при создании варизонных структур светодиодов, излучающих в диапазоне длин волн видимого света. Определены критерии применимости выбранного подхода расчета энергии ионов. Полученные результаты могут быть использованы в технологии получения светодиодных полупроводниковых структур. Розраховані значення енергій іонів, які потрібні для одержання однорідних шарів шестикомпонентних твердих розчинів InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v при створенні варизонних структур світлодіодів, випромінюючих в діапазоні довжин хвиль видимого світла. Визначені критерії застосування даного підходу для розрахунків енергій іонів. Одержані результати можуть використовуватись в технології одержання структур світлодіодів. The ion energies for growth of solid-state solutions InxGayAl1-x-yNuAsv P1-u-v are calculated. This is used for graded band structures in range of visible light emission. Criteries of ion energies calculations are considered. Calculations related to the LED structures technologies are made. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света Іонна стимуляція отримання твердих розчинів InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v для діодних джерел білого світла Ionic stimulation ofreceipt the hard solutions InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v for white light diode sources Article published earlier |
| spellingShingle | Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света Вербицкий, В.Г. Осинский, С.В. Сариков, А.В. |
| title | Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света |
| title_alt | Іонна стимуляція отримання твердих розчинів InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v для діодних джерел білого світла Ionic stimulation ofreceipt the hard solutions InxGayAl1-x-yNuAsvP1-u-v for white light diode sources |
| title_full | Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света |
| title_fullStr | Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света |
| title_full_unstemmed | Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света |
| title_short | Ионная стимуляция получения твердых растворов InxGayAl1–x–yNuAsvP1–u–v для диодных источников белого света |
| title_sort | ионная стимуляция получения твердых растворов inxgayal1–x–ynuasvp1–u–v для диодных источников белого света |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98478 |
| work_keys_str_mv | AT verbickiivg ionnaâstimulâciâpolučeniâtverdyhrastvorovinxgayal1xynuasvp1uvdlâdiodnyhistočnikovbelogosveta AT osinskiisv ionnaâstimulâciâpolučeniâtverdyhrastvorovinxgayal1xynuasvp1uvdlâdiodnyhistočnikovbelogosveta AT sarikovav ionnaâstimulâciâpolučeniâtverdyhrastvorovinxgayal1xynuasvp1uvdlâdiodnyhistočnikovbelogosveta AT verbickiivg íonnastimulâcíâotrimannâtverdihrozčinívinxgayal1xynuasvp1uvdlâdíodnihdžerelbílogosvítla AT osinskiisv íonnastimulâcíâotrimannâtverdihrozčinívinxgayal1xynuasvp1uvdlâdíodnihdžerelbílogosvítla AT sarikovav íonnastimulâcíâotrimannâtverdihrozčinívinxgayal1xynuasvp1uvdlâdíodnihdžerelbílogosvítla AT verbickiivg ionicstimulationofreceiptthehardsolutionsinxgayal1xynuasvp1uvforwhitelightdiodesources AT osinskiisv ionicstimulationofreceiptthehardsolutionsinxgayal1xynuasvp1uvforwhitelightdiodesources AT sarikovav ionicstimulationofreceiptthehardsolutionsinxgayal1xynuasvp1uvforwhitelightdiodesources |