Отажонов, С. (2004). Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля. Физическая инженерия поверхности.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Отажонов, С.М. "Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля." Физическая инженерия поверхности 2004.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Отажонов, С.М. "Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля." Физическая инженерия поверхности, 2004.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.