Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2004
• Автор: Отажонов, С.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2004
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98486
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля / С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 28–31. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Исследовано влияние внешнего стационарного электрического поля и поля коронного разряда на фототок Iкз короткого замыкания аномального фотонапряжения (АФН) в гетерострукте CdTe-SiO₂ -Si в режиме “эффекта поля”. Обнаружена остаточная фоточувствительность АФН-пленки, обусловленная встроенными в диэлектрик SiO₂ объемными зарядами. Анализированы механизмы инверсии знака АФН и смещения ее по спектру Iкз в зависимости от напряженности поляризующего диэлектрик электрического поля. Досліджено вплив зовнішнього стаціонарного електричного поля та поля коронного розряду на фотострум Ікз короткого замикання аномальної фотонапруги (АФН) у гетероструктурі CdTe-SіО₂ -Sі у режимі “ефекту поля”. Виявлено залишкову фоточутливість АФН-плівки, яка зумовлена вбудованими в діелектрик SіО₂ об’ємними зарядами. Проаналізованомеханізми інверсіїзнаку АФН і зсуву її по спектрі Ікз у залежності від напруженості діелектрика електричного поля, який поляризує. Influence of the external dc and discharge electric field on short circuit photocurrent Ish.c. of anomalous photo-voltage was investigated in layered heterostructure CdTeSiO₂ -Si in “field effect” mode. The residual photo-sensitivity of the AFV-film appeared due to a built-in bulk charge in SiO₂ insulator. Mechanisms of inversion of AFV sign and its dependence on an excitation wavelength is discussed and a dependence on the polarizing electric field in the insulator was explained.