Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля

Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля

Исследовано влияние внешнего стационарного электрического поля и поля коронного разряда на фототок Iкз короткого замыкания аномального фотонапряжения (АФН) в гетерострукте CdTe-SiO₂ -Si в режиме “эффекта поля”. Обнаружена остаточная фоточувствительность АФН-пленки, обусловленная встроенными в диэлек...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2004
1. Verfasser: Отажонов, С.М.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2004
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98486
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля / С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 28–31. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98486
record_format dspace
spelling Отажонов, С.М.
2016-04-15T09:08:40Z
2016-04-15T09:08:40Z
2004
Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля / С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 28–31. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98486
621.315. 593
Исследовано влияние внешнего стационарного электрического поля и поля коронного разряда на фототок Iкз короткого замыкания аномального фотонапряжения (АФН) в гетерострукте CdTe-SiO₂ -Si в режиме “эффекта поля”. Обнаружена остаточная фоточувствительность АФН-пленки, обусловленная встроенными в диэлектрик SiO₂ объемными зарядами. Анализированы механизмы инверсии знака АФН и смещения ее по спектру Iкз в зависимости от напряженности поляризующего диэлектрик электрического поля.
Досліджено вплив зовнішнього стаціонарного електричного поля та поля коронного розряду на фотострум Ікз короткого замикання аномальної фотонапруги (АФН) у гетероструктурі CdTe-SіО₂ -Sі у режимі “ефекту поля”. Виявлено залишкову фоточутливість АФН-плівки, яка зумовлена вбудованими в діелектрик SіО₂ об’ємними зарядами. Проаналізованомеханізми інверсіїзнаку АФН і зсуву її по спектрі Ікз у залежності від напруженості діелектрика електричного поля, який поляризує.
Influence of the external dc and discharge electric field on short circuit photocurrent Ish.c. of anomalous photo-voltage was investigated in layered heterostructure CdTeSiO₂ -Si in “field effect” mode. The residual photo-sensitivity of the AFV-film appeared due to a built-in bulk charge in SiO₂ insulator. Mechanisms of inversion of AFV sign and its dependence on an excitation wavelength is discussed and a dependence on the polarizing electric field in the insulator was explained.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля
Фоточутливість АФН - плівок в гетероструктуре з CDTE-SiO₂-Si під дією зовнішнього електричного поля
The photo-sensitivity of APV - films in hetero-structure consisting of CDTE-SiO₂-Si under action of external electric field
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля
spellingShingle Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля
Отажонов, С.М.
title_short Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля
title_full Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля
title_fullStr Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля
title_full_unstemmed Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля
title_sort фоточувствительность афн – плёнок в гетероструктуре из cdte-sio₂-si под действием внешнего электрического поля
author Отажонов, С.М.
author_facet Отажонов, С.М.
publishDate 2004
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
title_alt Фоточутливість АФН - плівок в гетероструктуре з CDTE-SiO₂-Si під дією зовнішнього електричного поля
The photo-sensitivity of APV - films in hetero-structure consisting of CDTE-SiO₂-Si under action of external electric field
description Исследовано влияние внешнего стационарного электрического поля и поля коронного разряда на фототок Iкз короткого замыкания аномального фотонапряжения (АФН) в гетерострукте CdTe-SiO₂ -Si в режиме “эффекта поля”. Обнаружена остаточная фоточувствительность АФН-пленки, обусловленная встроенными в диэлектрик SiO₂ объемными зарядами. Анализированы механизмы инверсии знака АФН и смещения ее по спектру Iкз в зависимости от напряженности поляризующего диэлектрик электрического поля. Досліджено вплив зовнішнього стаціонарного електричного поля та поля коронного розряду на фотострум Ікз короткого замикання аномальної фотонапруги (АФН) у гетероструктурі CdTe-SіО₂ -Sі у режимі “ефекту поля”. Виявлено залишкову фоточутливість АФН-плівки, яка зумовлена вбудованими в діелектрик SіО₂ об’ємними зарядами. Проаналізованомеханізми інверсіїзнаку АФН і зсуву її по спектрі Ікз у залежності від напруженості діелектрика електричного поля, який поляризує. Influence of the external dc and discharge electric field on short circuit photocurrent Ish.c. of anomalous photo-voltage was investigated in layered heterostructure CdTeSiO₂ -Si in “field effect” mode. The residual photo-sensitivity of the AFV-film appeared due to a built-in bulk charge in SiO₂ insulator. Mechanisms of inversion of AFV sign and its dependence on an excitation wavelength is discussed and a dependence on the polarizing electric field in the insulator was explained.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98486
citation_txt Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля / С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 28–31. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT otažonovsm fotočuvstvitelʹnostʹafnplenokvgeterostruktureizcdtesio2sipoddeistviemvnešnegoélektričeskogopolâ
AT otažonovsm fotočutlivístʹafnplívokvgeterostrukturezcdtesio2sipíddíêûzovníšnʹogoelektričnogopolâ
AT otažonovsm thephotosensitivityofapvfilmsinheterostructureconsistingofcdtesio2siunderactionofexternalelectricfield
first_indexed 2025-11-26T00:10:39Z
last_indexed 2025-11-26T00:10:39Z
_version_ 1850595182557265920
fulltext ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 228 ВВЕДЕНИЕ При изготовлении многоканальных фотоэлект- рических преобразователей и других активных элементов схем оптоэлектроники проще и дешев- ле всего применять не эпитаксиальные, а поли- кристаллические пленки, напыленные на аморф- ные диэлектрические подложки из окиси или нит- рида полупроводников [1 – 3]. Такие структуры представляют большой интерес, так как фото- чувствительность их можно целенаправленно из- менять в широком диапазоне спектра излучения под действием различных внешних воздействий, таких, как электрическое поле, механическая де- формация и т.п. Цель настоящей работы заключается в иссле- довании фотоэлектрических свойств гетеро- структуры из СdTe-SiO2-Si, которая позволяет разработать новые оптоэлектронные приборы на основе АФН-пленки с управляемыми физичес- кими свойствами, в частности, транзистора с по- ляризующимся диэлектриком, допускающего электрическую перезапись информаций. Здесь рассматривается влияние внешнего электри- ческого поля в статическом режиме и в режиме коронного разряда, приложенного между слоем СdTe и оксидированной кристаллической плас- тиной Si, на фоточувствительность АФН-пленки. Анализируется механизм инверсии знака АФН и смещение ее по Iкз спектру в зависимости от на- пряженности приложенного поля. Показано, что встроенные в диэлектрик SiO2 объемные заряды индуцируют остаточную фоточувствительность, время релаксации которой составляет более 30 суток. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ Поликристаллические пленки из СdTe толщи-ной ~0,8 мкм, обладающие АФН свойством, по- лучены нанесением на оксидированную поверх- ность кристаллического кремния методом ваку- умной технологии [4]. Температура подложки и скорость конденсации слоя составляли 300 К и 1,7 нм/с, соответственно, а угол напыления – 40о. Взаимное расположение слоев структуры СdTe-SiO2-Si и омических контактов к ним схе- матически показано на вставке а к рис. 1. Ока- залось, что в такой структуре фоточувствитель- ность АФН-слоя можно управлять под действи- ем внешнего стационарного электрического поля и полем коронного разряда (по методу “эффекта поля”), которые как выясняется ниже, индуци- руют встроенные электрические заряды в ди- электрике. Постоянное электрическое напряже- ние подавалось через поперечные контакты 1 – 2, а коронный разряд осуществлялся контактом 2 и электрическим зондовым контактом к поверх- ности полупроводника CdTe [5] (рис 1а). АФН- слой возбуждалась нормально падающим светом из монохроматора ИКМ-1. Генерируемое АФН измерялось электрометром ЭД-05М, через про- дольные контакты 1 – 1′. Все измерения произво- дились при комнатной температуре. На рис. 1 представлены спектральные зависи- мости тока короткого замыкания Iкз (n) АФН-слоя для различных значений напряженности внешнего электрического поля, приложенного перпендику- лярно к плоскости структуры СdTe-SiO2-Si. Вид- но, что в отсутствии внешних воздействий в спек- трах Iкз (ν) наблюдается инверсия знака Iкз в ок- рестности значения энергии кванта света, равным hν = 0,95 эВ (кривая 5). Включение электричес- кого поля между АФН-пленкой и кремнием прив- одит к существенному изменению спектральной чувствительности тока короткого замыкания Iкз. С ростом внешнего напряжения Uвн в пределах его значений от 0 до 100 В положение инверсии знака тока короткого замыкания смещается в ко- ротковолновую область спектра в интервале зна- чения энергии кванта света от 1,2 эВ до 1,62 эВ. При дальнейшем росте приложенного напряже- ния (Uвн >100 В) инверсия знака Iкз постепенно исчезает и спектр Iкз становится монополярным. При этом максимальное значение Iкз при отсутст- вии внешнего электрического поля возрастает более чем в 1000 раз при Uвн = 300 В. УДК 621.315. 593 ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ АФН-ПЛЕНОК В ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ ИЗ СDTE-SiO2-Si ПОД ДЕЙСТВИЕМ ВНЕШНЕГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ С.М. Отажонов Ферганский Государственный Университет, Узбекистан Поступила в редакцию 23.03.2004 Исследовано влияние внешнего стационарного электрического поля и поля коронного разряда на фототок Iкз короткого замыкания аномального фотонапряжения (АФН) в гетерострукте CdTe-SiO2-Si в режиме “эффекта поля”. Обнаружена остаточная фоточувствительность АФН-пленки, обусловленная встроенными в диэлектрик SiO2 объемными зарядами. Анализированы механизмы инверсии знака АФН и смещения ее по спектру Iкз в зависимости от напряженности поляризующего диэлектрик электрического поля. ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 2 29 Интересно заметить, что спектральная фото- чувствительность Iкз АФН-пленки в структуре, подвергнутой к действию внешнего электри- ческого поля, обнаруживает остаточный харак- тер. Для изучения кинетику остаточной спект- ральной фоточувствительности в зависимости от времени выдержки были исследованы спектры Iкз (ν) после зарядки структуры в темноте внеш- ним напряжением, равным Uвн =300 В. На рис. 2 представлена спектральная зависи- мость тока короткого замыкания структуры СdTe-SiO2-Si перед зарядкой (кривая 4), сразу после зарядки (кривая 1), после выдержки в тем- ноте в течении 6 (кривая 2) и 19 (кривая 3) суток. Как видно из рисунка, сразу после зарядки с на- пряжением Uвн = 300 В максимум фоточувстви- тельности по Iкз(ν) наблюдается при hν = 1,60эВ, а с увеличением времени выдержки в темноте он смещается в длинноволновую область: до hν = 1,1эВ при выдержке 6 суток и до hν = 0,97эВ при – 19 суток. Эти исследования показывают, что с ростом времени выдержки исследуемой структуры в темноте остаточная спектральная фоточувствительность Iкз(ν) релаксируется в исходное положение с характерным временем t ≈ 30 суток.Рис. 1а. Cхема возможных электронных переходов по энергетической зонной диаграмме структуры CdTe- SiО2-Si. а) Рис. 1. Спектральные зависимости фототока короткого замы- кания Iкз АФН слоя структуры CdTe-SiO2-Si при разных значениях внешнего напряжения: Uвн=300 В (кривая 1), 200 В (2), 100 В (3), 35 В (4), 0 В (5). б) Рис. 2. Спектры Iкз в зависимости от времени выдержки в темноте после зарядки структуры CdTe-SiO2-Si под напря- жением 300 В. Кривая 1 – сразу после зарядки, 2 – через 6 суток, 3 – через 19 суток, 4 – до зарядки. С.М. ОТАЖОНОВ ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 230 Аналогичная картина остаточной спектраль- ной фоточувствительности Iкз(n) наблюдалась и при заряжении структуры СdTe-SiO2-Si корон- ным разрядом, вызывающим внешним напряже- нием ~6 кВ. Как видно из рис. 3, при изменении поверхностного потенциала jкр коронной зарядки от 0 до 80 В максимум фоточувствительности Iкз смещается в коротковолновую область спектра в пределах от 0,92 эВ до 1,32 эВ, а положение инверсии знака тока короткого замыкания смеща- ется от 1,05 эВ до 1,4 эВ. При этом значение максимума Iкз возрастает более чем в 550 раз при ϕкр= 80 В. ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ Для качественного описания физической приро- ды обнаруженной остаточной фоточувствитель- ности и механизма явления электронного перено- са, протекающего в структуре СdTe-SiO2-Si (полу- проводник – диэлектрик – полупроводник, т.е. ПДП), в условиях приложенного внешнего пос- тоянного электрического напряжения, нами рас- смотрена модель, в которой стационарный ток представляет собой из потока туннелирующих электронов из зоны проводимости полупровод- ника CdTe в зону проводимости полупроводника Si через слоя окисла SiO2 (1 – вклад) и из зоны проводимости полупроводника в глубокий уро- вень (2 – вклад), находящейся в диэлектрике, и в том числе в ловушку на границе их раздела (см. рис. 1). Поскольку толщина окисла кремния в рассматриваемой нами структуре оказалась ~0,4 мкм, то по нашим оценкам первым вкладом (менее 25 %) в суммарный ток через структуры ПДП можно пренебречь. Тогда можно предпо- ложить, что перенос электронов в основном осу- ществляется через поверхностные уровни и через уровни глубоких ловушек в диэлектрике. Туннельное просачивание носителей тока из пленки СdTe в глубокие уровни диэлектрика из окисла кремния приводит к изменению степени заполнения как медленных поверхностных сос- тояний, так и глубоких ловушек. А это, в зависи- мости от величины встроенного заряда, видо- изменяет потенциального рельефа АФН-пленки исследуемой структуры и, следовательно, ско- рость фотогенерации будет зависеть от величины встроенного заряда, т.е. от напряженности внеш- него поляризующего диэлектрик электрического поля. Это означает, что величина фото – ЭДС, обуcловленная степенью асимметрии потен- циального рельефа (т.е. косонапыленностью) АФН-пленки, можно управлять поперечным внешним электрическим полем. При включении источника электрического напряжения на границе пленок СdTe и слоя ди- электрика происходит туннелирование носителей заряда (электронов или дырок) из полупроводника CdTe в глубокие уровни и ловушки диэлектри- ческого слоя SiО2. Носители заряда, индуциро- ванные в пленке CdTe и на границе раздела его с диэлектриком в зависимости от величины встроенного заряда изменяют потенциальный рельеф пленки. Поэтому при фотовозбуждении АФН-слоя, фотоносители будут генерироваться под влиянием встроенного заряда диэлектрика. Так как, величина фото – ЭДС определяется ас- симметрией барьеров, которая изменяется с тол- щиной слоя, то электрическое поле встроенного заряда меняет распределение генерированных на поверхности носителей тока таким образом, что втягивает их в область, которая доступна только слабо поглощаемому электромагнитному излу- чению. Поэтому фото – ЭДС возникает и при длинноволновом возбуждении. Если асимметрия барьеров такова, что слабо поглощаемое излу- чение генерирует фото – ЭДС обратного знака по сравнению с сильно поглощаемым излучени- ем, то под влиянием объемного заряда инверсия знака фото – ЭДС смещается в коротковолновую область, а фот чувствительность увеличивается в исследуемой нами области спектра электро- магнитного излучения (как это видно из рис. 1). Отметим, что при коронном разряде наблю- дается изменение энергии активации глубокого уровня в SiO2 в зависимости от потенциала ко- ронного разряда (рис. 3). Это изменение связано с влиянием электрического поля на энергию оп- тической ионизации глубокого уровня в Si-O2. Если считаем, что изменение возникает за счет эффекта Пула – Френкеля [6], то смещение по энергии (∆Е) уровня можно оценить по формуле: Рис. 3. Спектральные зависимости Iкз для структуры CdTe-SiO2-Si от величины потенциала коронного разряда: ϕкр = 80 В (кривая 1), 50 В (2), 0 В (3). ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ АФН-ПЛЕНОК В ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ ИЗ СDTE-SiO2-Si ПОД ДЕЙСТВИЕМ ... ФІП ФИП PSE т. 2, № 1 – 2, vol. 2, No. 1 – 2 31 0 3 4/ πεε=∆ EeW где ∆W – энергетическое смещение уровня, Е – напряженность электрического поля в окрестнос- ти дефекта, ε – диэлектрическая проницаемость CdTe, ε0 – электрическая постоянная, е – заряд электрона. По нашим оценкам напряженность электрического поля в окрестности дефекта име- ет значение E = 105 В/см. Ситуация, возникающая в АФН-пленке CdTe на базе структуры СdTe-SiO2-Si под действием встроенного электрического поля в диэлектрике, соответствует модели, разработанной для поли- кремневого полевого транзистора (см., например, [7]). Предлагаемая здесь модель аналогична мо- дели [8], если формально идентифицировать слой SiO2-Si с управляющим электродом полевого транзистора. Поэтому проведенные ранее чис- ленные расчеты для распределения потенциала в поликристаллическом полупроводнике вполне применимы для встроенного заряда АФН-пленки CdTe. Из результатов расчета воздействия внеш- него электрического поля на потенциальный ре- льеф поликристаллической структуры следует, что слабое поле только деформирует пространст- венное и энергетическое распределения носите- лей, а сильное – приводит к уменьшению высоты межкристаллических потенциальных барьеров за счет перекрытия волновых функций электронов соседних кристаллитов в электрическом поле (т.е. как бы за счет объединения объема кристал- лита). Эти рассуждения и результаты наших экс- периментов показывают, что встроенное поле в диэлектрике SiO2 может привести к уменьшению высоты потенциального барьера в АФН-пленке (при Uвн<10 В), а в некоторых случаях к исчез- новению его (Uвн >200 В) в одной из ее приповерх- ностной, например, тыловой области, и тогда ста- новится преобладающим оставшийся потенци- альный барьер в другой – противоположной ее приповерхностной области. Описанная здесь модель качественно хорошо отражает основные особенности кривых на рис. 2 и 3. Действительно, если считать, что знаки ассимметрии потенциальных барьеров у фрон- тальной и тыловой приповерхностных областях разные, то вполне естественным является на- блюдение инверсии знака Iкз и VАФН в зависимости от эффективной глубины поглощения возбуж- дающего света. Включение внешнего электрического поля в структуре СdTe-SiO2-Si подавляет генерации фото – ЭДС в одной из двух противоборствующих систем потенциальных барьеров. Так, в соот- ветствии с кривыми на рисунках 2 и 3 наблюда- ется сначала смещение области инверсии знака Iкз, а затем полное исчезновение ее с ростом на- пряженности приложенного электрического поля. Подводя итоги анализа результатов настоящей работы, можно сказать, что здесь обнаружен но- вый эффект – остаточная спектральная фото- чувствительность АФН-пленки по току короткого замыкания и фото – ЭДС, индуцированная встроенным электрическим зарядом диэлект- рика, создаваемым внешним статическим элект- рическим полем или полем коронного разряда в гетероструктуре CdTe (АФН-пленка). SiO2 (ди- электрик) – Si (полупроводник). ЛИТЕРАТУРА 1. Маслов В.В.и др. МНОП матрица для постоянных запоминающих устройств с электрической переза- писью//Электронная техника.– 1974. – Сер.3, №2.– С. 1501. 2. Гиновкер А.С., Ржанов А.В. Запоминающее устрой- ство на основе МНОП структур//Микроэлектрони- ка.– 1973. – Т. 2, № 5. – С. 379. 3. Абдуллаев Э.А., Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М. За- поминающее устройства // Патент IНДР № 9700869.1. от 15.03 1999 4. Вайткус Ю.Ю., Расулов Р.Я. Отажонов С.М. Осо- бенности структуры и фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок CdTe:Ag// Поверхность АН Россия. – 1999. – № 3. – С. 44 - 49. 5. Иванов Р.Н. Репрография: методы и средства ко- пирования и размножения документов.– М.: сов. радио, 1977 – 384 с. 6. Юодвиршис А., Микалкявичюс М., Вянгрис С. Ос- новы физики полупроводников.–Вильнюс.: Мокс- лас, 1985.– 352 с. 7. Lenzlinger M. and Snow E.H.//J. Appl. Phys.–1969. – Vol. 40. – P. 278-283. 8. Guerrieri R., Giampolini P., Gnidi A. // IEEE Tranacac- tions on Electron Devieces.– 1986.– V.ED-33, № 8.– P. 1201-1206. THE PHOTO-SENSITIVITY OF APV-FILMS IN HETHERO-STRUCTURES CONSISTING OF CDTE- SiO2-Si UNDER ACTION OF EXTERNAL ELECTRIC FIELD S.M. Otazhenov Influence of the external dc and discharge electric field on short circuit photocurrent Ish.c. of anomalous photo-vol- tage was investigated in layered heterostructure CdTe- SiO2-Si in “field effect” mode. The residual photo-sensiti- vity of the AFV-film appeared due to a built-in bulk charge in SiO2 insulator. Mechanisms of inversion of AFV sign and its dependence on an excitation wavelength is dis- cussed and a dependence on the polarizing electric field in the insulator was explained. ФОТОЧУТЛИВІСТЬ АФН-ПЛІВОК У ГЕТЕРОСТРУКТУРІ З СDTE-SiО2-Si ПІД ДІЄЮ ЗОВНІШНЬОГО ЕЛЕКТРИЧНОГО ПОЛЯ С.М. Отажонов Досліджено вплив зовнішнього стаціонарного електрич- ного поля та поля коронного розряду на фотострум Ікз короткого замикання аномальної фотонапруги (АФН) у гетероструктурі CdTe-SіО2-Sі у режимі “ефекту поля”. Виявлено залишкову фоточутливість АФН-плівки, яка зумовлена вбудованими в діелектрик SіО2 об’ємними зарядами. Проаналізовано механізми інверсії знаку АФН і зсуву її по спектрі Ікз у залежності від напруженості діелектрика електричного поля, який поляризує. С.М. ОТАЖОНОВ

Ähnliche Einträge