Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля
Исследовано влияние внешнего стационарного электрического поля и поля коронного разряда на фототок Iкз короткого замыкания аномального фотонапряжения (АФН) в гетерострукте CdTe-SiO₂ -Si в режиме “эффекта поля”. Обнаружена остаточная фоточувствительность АФН-пленки, обусловленная встроенными в диэлек...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2004
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98486 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля / С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 28–31. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862566848495616000 |
|---|---|
| author | Отажонов, С.М. |
| author_facet | Отажонов, С.М. |
| citation_txt | Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля / С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 28–31. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Исследовано влияние внешнего стационарного электрического поля и поля коронного разряда на фототок Iкз короткого замыкания аномального фотонапряжения (АФН) в гетерострукте CdTe-SiO₂ -Si в режиме “эффекта поля”. Обнаружена остаточная фоточувствительность АФН-пленки, обусловленная встроенными в диэлектрик SiO₂ объемными зарядами. Анализированы механизмы инверсии знака АФН и смещения ее по спектру Iкз в зависимости от напряженности поляризующего диэлектрик электрического поля.
Досліджено вплив зовнішнього стаціонарного електричного поля та поля коронного розряду на фотострум Ікз короткого замикання аномальної фотонапруги (АФН) у гетероструктурі CdTe-SіО₂ -Sі у режимі “ефекту поля”. Виявлено залишкову фоточутливість АФН-плівки, яка зумовлена вбудованими в діелектрик SіО₂ об’ємними зарядами. Проаналізованомеханізми інверсіїзнаку АФН і зсуву її по спектрі Ікз у залежності від напруженості діелектрика електричного поля, який поляризує.
Influence of the external dc and discharge electric field on short circuit photocurrent Ish.c. of anomalous photo-voltage was investigated in layered heterostructure CdTeSiO₂ -Si in “field effect” mode. The residual photo-sensitivity of the AFV-film appeared due to a built-in bulk charge in SiO₂ insulator. Mechanisms of inversion of AFV sign and its dependence on an excitation wavelength is discussed and a dependence on the polarizing electric field in the insulator was explained.
|
| first_indexed | 2025-11-26T00:10:39Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98486 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-26T00:10:39Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Отажонов, С.М. 2016-04-15T09:08:40Z 2016-04-15T09:08:40Z 2004 Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля / С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 28–31. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98486 621.315. 593 Исследовано влияние внешнего стационарного электрического поля и поля коронного разряда на фототок Iкз короткого замыкания аномального фотонапряжения (АФН) в гетерострукте CdTe-SiO₂ -Si в режиме “эффекта поля”. Обнаружена остаточная фоточувствительность АФН-пленки, обусловленная встроенными в диэлектрик SiO₂ объемными зарядами. Анализированы механизмы инверсии знака АФН и смещения ее по спектру Iкз в зависимости от напряженности поляризующего диэлектрик электрического поля. Досліджено вплив зовнішнього стаціонарного електричного поля та поля коронного розряду на фотострум Ікз короткого замикання аномальної фотонапруги (АФН) у гетероструктурі CdTe-SіО₂ -Sі у режимі “ефекту поля”. Виявлено залишкову фоточутливість АФН-плівки, яка зумовлена вбудованими в діелектрик SіО₂ об’ємними зарядами. Проаналізованомеханізми інверсіїзнаку АФН і зсуву її по спектрі Ікз у залежності від напруженості діелектрика електричного поля, який поляризує. Influence of the external dc and discharge electric field on short circuit photocurrent Ish.c. of anomalous photo-voltage was investigated in layered heterostructure CdTeSiO₂ -Si in “field effect” mode. The residual photo-sensitivity of the AFV-film appeared due to a built-in bulk charge in SiO₂ insulator. Mechanisms of inversion of AFV sign and its dependence on an excitation wavelength is discussed and a dependence on the polarizing electric field in the insulator was explained. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля Фоточутливість АФН - плівок в гетероструктуре з CDTE-SiO₂-Si під дією зовнішнього електричного поля The photo-sensitivity of APV - films in hetero-structure consisting of CDTE-SiO₂-Si under action of external electric field Article published earlier |
| spellingShingle | Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля Отажонов, С.М. |
| title | Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля |
| title_alt | Фоточутливість АФН - плівок в гетероструктуре з CDTE-SiO₂-Si під дією зовнішнього електричного поля The photo-sensitivity of APV - films in hetero-structure consisting of CDTE-SiO₂-Si under action of external electric field |
| title_full | Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля |
| title_fullStr | Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля |
| title_full_unstemmed | Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля |
| title_short | Фоточувствительность АФН – плёнок в гетероструктуре из CDTE-SiO₂-Si под действием внешнего электрического поля |
| title_sort | фоточувствительность афн – плёнок в гетероструктуре из cdte-sio₂-si под действием внешнего электрического поля |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98486 |
| work_keys_str_mv | AT otažonovsm fotočuvstvitelʹnostʹafnplenokvgeterostruktureizcdtesio2sipoddeistviemvnešnegoélektričeskogopolâ AT otažonovsm fotočutlivístʹafnplívokvgeterostrukturezcdtesio2sipíddíêûzovníšnʹogoelektričnogopolâ AT otažonovsm thephotosensitivityofapvfilmsinheterostructureconsistingofcdtesio2siunderactionofexternalelectricfield |