Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2004
• Hauptverfasser: Богатыренко, С.И., Гладких, Н.Т., Дукаров, С.В., Крышталь, А.П.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2004
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98487
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Плавление и кристаллизация в слоистой плёночной системе Ge-Bi / С.И. Богатыренко, Н.Т. Гладких, С.В. Дукаров, А.П. Крышталь // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 1-2. — С. 32–36. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Приведены результаты исследований плавления и кристаллизации в слоистой пленочной системе висмут – германий, создаваемой в вакууме путем последовательной конденсации компонентов при испарении их из независимых источников. Показано, что температура плавления в указанной системе понижается с уменьшением толщины пленки легкоплавкого компонента. Дифференциальный метод, использованный для регистрации температуры плавления, позволил найти значение эвтектической температуры Tε = 542 K в системе Bi-Ge. Определены величина переохлаждения при кристаллизации (∆Т = 93 К) и краевой угол смачивания (θ = 68°) для островковых пленок висмута на аморфной германиевой подложке. Приводяться результати досліджень плавлення і кристалізації в шаруватій плівковій системі вісмут – германій, яка створюється у вакуумі шляхом послідовної конденсації компонентів при випаровуванні їх з незалежних джерел. Показано, що температура плавлення в указаній системізнижується зізменшенням товщини плівки легкоплавкого компонента. Диференціальний метод, використаний для реєстрації температури плавлення, дозволив знайти значення евтектичної температури Tε = 542 K у системі Bi-Ge. Визначено величину переохолодження при кристалізації (∆Т = 93 К) та крайовий кут змочування (θ = 68°) для острівцевих плівок вісмуту на аморфній германієвій підкладці . The results of studies of melting and crystallization processes in Bi-Ge layered film system are presented. These systems were prepared by subsequent condensation of components in vacuum. It has been shown that the melting temperature in system under study decreases with the decrease of Bi film thickness. The differential technique used for melting temperature registration enables us to measure the value of eutectic temperature Tε = 542 K in the system. The values of supercooling upon crystallization (∆Т = 93 К) and wetting angle (θ = 68°) have been determined for Bi islands on amorphous Ge substrate.