Плазменная очистка технологических камер в высокочастотном емкостном разряде
В настоящей работе исследованы характеристики процесса плазменной очистки технологической камеры, покрытой пленками нитрида кремния и аморфного кремния во фторсодержащих газах CF₄, SF₆ и NF₃ в высокочастотном емкостном разряде. Процесс очистки камеры контролировался с помощью масс-спектрометрии, рег...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2004 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2004
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98490 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Плазменная очистка технологических камер в высокочастотном емкостном разряде / В. Лисовский, Ж.П. Бут, K. Ландри, Д. Дуэ, В. Касань // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 4. — С. 168–183. — Бібліогр.: 77 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862662109674864640 |
|---|---|
| author | Лисовский, В. Бут, Ж.П. Ландри, K. Дуэ, Д. Касань, В. |
| author_facet | Лисовский, В. Бут, Ж.П. Ландри, K. Дуэ, Д. Касань, В. |
| citation_txt | Плазменная очистка технологических камер в высокочастотном емкостном разряде / В. Лисовский, Ж.П. Бут, K. Ландри, Д. Дуэ, В. Касань // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 4. — С. 168–183. — Бібліогр.: 77 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | В настоящей работе исследованы характеристики процесса плазменной очистки технологической камеры, покрытой пленками нитрида кремния и аморфного кремния во фторсодержащих газах CF₄, SF₆ и NF₃ в высокочастотном емкостном разряде. Процесс очистки камеры контролировался с помощью масс-спектрометрии, регистрации давления газа, амплитуды ВЧ напряжения, угла сдвига фазы между током и напряжением, тока проводимости, а также величины второй гармоники ВЧ тока. Анализируется возможность использования этих методов для контроля плазменной очистки и определения момента окончания процесса. Измерены скорости очистки камеры от пленок для различных условий. На основании полученных результатов сделан вывод о целесообразности использования NF₃ для процесса плазменной очистки технологических камер с кремнийсодержащими загрязнениями. Показано, что очистка камеры сложной геометрии или с неоднородным распределением осажденной пленки может иметь двухступенчатый характер.
У даній роботі досліджені характеристики процесу плазмового очищення технологічної камери, покритої плівками нітриду кремнію й аморфного кремнію у фторвмістимих газах CF₄, SF₆ і NF₃ у високочастотному ємнісному розряді. Процес очищення камери контролювався з допомогою мас-спектрометрії, реєстрації тиску газу, амплітуди ВЧ напруги, кута зрушення фази між струмом та напругою, струму провідності, а такожвеличини другої гармоніки ВЧ струму. Аналізується можливість використання цих методів для контролю плазмового очищення і визначення моменту закінчення процесу. Виміряні швидкості очищення камери від плівок в різних умовах. На підставі отриманих результатів зроблений висновок про доцільність використання NF₃ для процесу плазмового очищення технологічних камер із кремнійвмістимими забрудненнями. Показано, що очищення камери складної або геометріїз неоднорідним розподілом осадженої плівки може мати двоступінчастий характер.
This paper reports the results of studying the characteristics of cleaning technological chambers covered with silicone nitride and amorphous silicon films in perfluorocompound gases CF₄, SF₆ and NF₃ with RF capacitive discharges. Chamber cleaning processes were monitored with mass spectrometry, gas pressure recordings as well as those of RF voltage amplitude, phase shift angle between current and voltage, active current together with the second harmonic of RF current. An opportunity is discussed to use these quantities for monitoring plasma cleaning and the end-point detection. Rates of film removal off the chamber walls are recorded under different conditions. On the ground of the results obtained, a conclusion is drawn on the expediency of using NF₃ for plasma cleaning of technological chambers with silicon-containing impurities. The cleaning of chambers with a complicated design or with a nonuniform distribution of the deposited film is shown to have a two-stage pattern.
|
| first_indexed | 2025-12-02T13:38:52Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98490 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T13:38:52Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Лисовский, В. Бут, Ж.П. Ландри, K. Дуэ, Д. Касань, В. 2016-04-15T11:08:38Z 2016-04-15T11:08:38Z 2004 Плазменная очистка технологических камер в высокочастотном емкостном разряде / В. Лисовский, Ж.П. Бут, K. Ландри, Д. Дуэ, В. Касань // Физическая инженерия поверхности. — 2004. — Т. 2, № 4. — С. 168–183. — Бібліогр.: 77 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98490 543.51 В настоящей работе исследованы характеристики процесса плазменной очистки технологической камеры, покрытой пленками нитрида кремния и аморфного кремния во фторсодержащих газах CF₄, SF₆ и NF₃ в высокочастотном емкостном разряде. Процесс очистки камеры контролировался с помощью масс-спектрометрии, регистрации давления газа, амплитуды ВЧ напряжения, угла сдвига фазы между током и напряжением, тока проводимости, а также величины второй гармоники ВЧ тока. Анализируется возможность использования этих методов для контроля плазменной очистки и определения момента окончания процесса. Измерены скорости очистки камеры от пленок для различных условий. На основании полученных результатов сделан вывод о целесообразности использования NF₃ для процесса плазменной очистки технологических камер с кремнийсодержащими загрязнениями. Показано, что очистка камеры сложной геометрии или с неоднородным распределением осажденной пленки может иметь двухступенчатый характер. У даній роботі досліджені характеристики процесу плазмового очищення технологічної камери, покритої плівками нітриду кремнію й аморфного кремнію у фторвмістимих газах CF₄, SF₆ і NF₃ у високочастотному ємнісному розряді. Процес очищення камери контролювався з допомогою мас-спектрометрії, реєстрації тиску газу, амплітуди ВЧ напруги, кута зрушення фази між струмом та напругою, струму провідності, а такожвеличини другої гармоніки ВЧ струму. Аналізується можливість використання цих методів для контролю плазмового очищення і визначення моменту закінчення процесу. Виміряні швидкості очищення камери від плівок в різних умовах. На підставі отриманих результатів зроблений висновок про доцільність використання NF₃ для процесу плазмового очищення технологічних камер із кремнійвмістимими забрудненнями. Показано, що очищення камери складної або геометріїз неоднорідним розподілом осадженої плівки може мати двоступінчастий характер. This paper reports the results of studying the characteristics of cleaning technological chambers covered with silicone nitride and amorphous silicon films in perfluorocompound gases CF₄, SF₆ and NF₃ with RF capacitive discharges. Chamber cleaning processes were monitored with mass spectrometry, gas pressure recordings as well as those of RF voltage amplitude, phase shift angle between current and voltage, active current together with the second harmonic of RF current. An opportunity is discussed to use these quantities for monitoring plasma cleaning and the end-point detection. Rates of film removal off the chamber walls are recorded under different conditions. On the ground of the results obtained, a conclusion is drawn on the expediency of using NF₃ for plasma cleaning of technological chambers with silicon-containing impurities. The cleaning of chambers with a complicated design or with a nonuniform distribution of the deposited film is shown to have a two-stage pattern. Авторы признательны компании Юнаксис
 (UNAXIS France – Displays division, Palaiseau,
 France) за финансовую поддержку исследований и за предоставленное оборудование. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Плазменная очистка технологических камер в высокочастотном емкостном разряде Плазмова очищення технологічних камер у високочастотному місткості розряді Plasma cleaning of techological chambers in fr capacitive discharges Article published earlier |
| spellingShingle | Плазменная очистка технологических камер в высокочастотном емкостном разряде Лисовский, В. Бут, Ж.П. Ландри, K. Дуэ, Д. Касань, В. |
| title | Плазменная очистка технологических камер в высокочастотном емкостном разряде |
| title_alt | Плазмова очищення технологічних камер у високочастотному місткості розряді Plasma cleaning of techological chambers in fr capacitive discharges |
| title_full | Плазменная очистка технологических камер в высокочастотном емкостном разряде |
| title_fullStr | Плазменная очистка технологических камер в высокочастотном емкостном разряде |
| title_full_unstemmed | Плазменная очистка технологических камер в высокочастотном емкостном разряде |
| title_short | Плазменная очистка технологических камер в высокочастотном емкостном разряде |
| title_sort | плазменная очистка технологических камер в высокочастотном емкостном разряде |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98490 |
| work_keys_str_mv | AT lisovskiiv plazmennaâočistkatehnologičeskihkamervvysokočastotnomemkostnomrazrâde AT butžp plazmennaâočistkatehnologičeskihkamervvysokočastotnomemkostnomrazrâde AT landrik plazmennaâočistkatehnologičeskihkamervvysokočastotnomemkostnomrazrâde AT duéd plazmennaâočistkatehnologičeskihkamervvysokočastotnomemkostnomrazrâde AT kasanʹv plazmennaâočistkatehnologičeskihkamervvysokočastotnomemkostnomrazrâde AT lisovskiiv plazmovaočiŝennâtehnologíčnihkameruvisokočastotnomumístkostírozrâdí AT butžp plazmovaočiŝennâtehnologíčnihkameruvisokočastotnomumístkostírozrâdí AT landrik plazmovaočiŝennâtehnologíčnihkameruvisokočastotnomumístkostírozrâdí AT duéd plazmovaočiŝennâtehnologíčnihkameruvisokočastotnomumístkostírozrâdí AT kasanʹv plazmovaočiŝennâtehnologíčnihkameruvisokočastotnomumístkostírozrâdí AT lisovskiiv plasmacleaningoftechologicalchambersinfrcapacitivedischarges AT butžp plasmacleaningoftechologicalchambersinfrcapacitivedischarges AT landrik plasmacleaningoftechologicalchambersinfrcapacitivedischarges AT duéd plasmacleaningoftechologicalchambersinfrcapacitivedischarges AT kasanʹv plasmacleaningoftechologicalchambersinfrcapacitivedischarges |