Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок

Пленки ТаВ₂ были синтезированы ВЧ магнетронным распылением мишени ТаВ₂ на стеклянные
 и ситалловые подложки. Исследовано влияние параметров распыления магнетронной
 распылительной системы на состав и толщину покрытий методами фотометрии и вторичной
 ионной масс-спектрометр...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2005
Hauptverfasser: Петухов, В.В., Гончаров, А.А., Коновалов, В.А., Терпий, Д.Н., Ступак, В.А.
Format: Artikel
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2005
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98759
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок / В.В. Петухов, А.А. Гончаров, В.А. Коновалов, Д.Н.Терпий, В.А. Ступак // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 241–244. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:Пленки ТаВ₂ были синтезированы ВЧ магнетронным распылением мишени ТаВ₂ на стеклянные
 и ситалловые подложки. Исследовано влияние параметров распыления магнетронной
 распылительной системы на состав и толщину покрытий методами фотометрии и вторичной
 ионной масс-спектрометрии. Показано, что для получения стехиометрического состава и максимальной толщины необходимо предварительно определять величины оптимального давления рабочего газа, расстояния от мишени до подложки и затем размещать образцы в зоне равномерного распределения потока. Плівки TaB₂ були синтезовані ВЧ магнетронним
 розпиленням мішені ТаВ₂ на скляні та ситалові
 підкладинки. Досліджено вплив параметрів розпилення магнетронної розпилювальної системи
 на склад і товщину покрить методами фотометрії
 та вторинної іонної мас-спектрометрії. Показано,
 що для одержання стехиометричного складу й
 максимальної товщини необхідно попередньо визначати величини оптимального тиску робочого
 газу, відстані від мішені до підкладки і потім розміщати зразки в зоні рівномірного розподілу потоку. TaB₂ films were synthesised by hf magnetron spattering
 of the TaB₂ target onto glass and pyroceramic
 surface. The influence of spattering parameters of
 magnetron spattering system on the film composition
 and thickness was investigated by photo-metry and
 secondary mass-spectrometry methods. It was
 shown, that values of optimal working gas pressure,
 distances from the target to the substrate must be
 determined in advance as well as samples must be
 located in the flow uniform distribution zone in order
 to receive stoichiometric composition and top thickness.
ISSN:1999-8074