Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок
Пленки ТаВ₂ были синтезированы ВЧ магнетронным распылением мишени ТаВ₂ на стеклянные
 и ситалловые подложки. Исследовано влияние параметров распыления магнетронной
 распылительной системы на состав и толщину покрытий методами фотометрии и вторичной
 ионной масс-спектрометр...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98759 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок / В.В. Петухов, А.А. Гончаров, В.А. Коновалов, Д.Н.Терпий, В.А. Ступак // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 241–244. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862529862830391296 |
|---|---|
| author | Петухов, В.В. Гончаров, А.А. Коновалов, В.А. Терпий, Д.Н. Ступак, В.А. |
| author_facet | Петухов, В.В. Гончаров, А.А. Коновалов, В.А. Терпий, Д.Н. Ступак, В.А. |
| citation_txt | Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок / В.В. Петухов, А.А. Гончаров, В.А. Коновалов, Д.Н.Терпий, В.А. Ступак // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 241–244. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Пленки ТаВ₂ были синтезированы ВЧ магнетронным распылением мишени ТаВ₂ на стеклянные
и ситалловые подложки. Исследовано влияние параметров распыления магнетронной
распылительной системы на состав и толщину покрытий методами фотометрии и вторичной
ионной масс-спектрометрии. Показано, что для получения стехиометрического состава и максимальной толщины необходимо предварительно определять величины оптимального давления рабочего газа, расстояния от мишени до подложки и затем размещать образцы в зоне равномерного распределения потока.
Плівки TaB₂ були синтезовані ВЧ магнетронним
розпиленням мішені ТаВ₂ на скляні та ситалові
підкладинки. Досліджено вплив параметрів розпилення магнетронної розпилювальної системи
на склад і товщину покрить методами фотометрії
та вторинної іонної мас-спектрометрії. Показано,
що для одержання стехиометричного складу й
максимальної товщини необхідно попередньо визначати величини оптимального тиску робочого
газу, відстані від мішені до підкладки і потім розміщати зразки в зоні рівномірного розподілу потоку.
TaB₂ films were synthesised by hf magnetron spattering
of the TaB₂ target onto glass and pyroceramic
surface. The influence of spattering parameters of
magnetron spattering system on the film composition
and thickness was investigated by photo-metry and
secondary mass-spectrometry methods. It was
shown, that values of optimal working gas pressure,
distances from the target to the substrate must be
determined in advance as well as samples must be
located in the flow uniform distribution zone in order
to receive stoichiometric composition and top thickness.
|
| first_indexed | 2025-11-24T04:02:22Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98759 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-24T04:02:22Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Петухов, В.В. Гончаров, А.А. Коновалов, В.А. Терпий, Д.Н. Ступак, В.А. 2016-04-17T17:13:16Z 2016-04-17T17:13:16Z 2005 Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок / В.В. Петухов, А.А. Гончаров, В.А. Коновалов, Д.Н.Терпий, В.А. Ступак // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 241–244. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98759 546.471.2.539.23 Пленки ТаВ₂ были синтезированы ВЧ магнетронным распылением мишени ТаВ₂ на стеклянные
 и ситалловые подложки. Исследовано влияние параметров распыления магнетронной
 распылительной системы на состав и толщину покрытий методами фотометрии и вторичной
 ионной масс-спектрометрии. Показано, что для получения стехиометрического состава и максимальной толщины необходимо предварительно определять величины оптимального давления рабочего газа, расстояния от мишени до подложки и затем размещать образцы в зоне равномерного распределения потока. Плівки TaB₂ були синтезовані ВЧ магнетронним
 розпиленням мішені ТаВ₂ на скляні та ситалові
 підкладинки. Досліджено вплив параметрів розпилення магнетронної розпилювальної системи
 на склад і товщину покрить методами фотометрії
 та вторинної іонної мас-спектрометрії. Показано,
 що для одержання стехиометричного складу й
 максимальної товщини необхідно попередньо визначати величини оптимального тиску робочого
 газу, відстані від мішені до підкладки і потім розміщати зразки в зоні рівномірного розподілу потоку. TaB₂ films were synthesised by hf magnetron spattering
 of the TaB₂ target onto glass and pyroceramic
 surface. The influence of spattering parameters of
 magnetron spattering system on the film composition
 and thickness was investigated by photo-metry and
 secondary mass-spectrometry methods. It was
 shown, that values of optimal working gas pressure,
 distances from the target to the substrate must be
 determined in advance as well as samples must be
 located in the flow uniform distribution zone in order
 to receive stoichiometric composition and top thickness. Работа выполнена в рамках госбюджетных научно-исследовательских тем в соответствии с
 координационными планами МОиН Украины (номера госрегистрации проектов:
 № 0100U001544 и № 0103U003509). ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок Вплив режимів розпилення і геометрії розпилювальної системи на товщину та склад одержуваних плівок Influence of spattering regimes and spattering system geometry on the thickness and composition of prepared films Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок Петухов, В.В. Гончаров, А.А. Коновалов, В.А. Терпий, Д.Н. Ступак, В.А. |
| title | Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок |
| title_alt | Вплив режимів розпилення і геометрії розпилювальної системи на товщину та склад одержуваних плівок Influence of spattering regimes and spattering system geometry on the thickness and composition of prepared films |
| title_full | Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок |
| title_fullStr | Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок |
| title_full_unstemmed | Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок |
| title_short | Влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок |
| title_sort | влияние режимов распыления и геометрии распылительной системы на толщину и состав получаемых пленок |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98759 |
| work_keys_str_mv | AT petuhovvv vliânierežimovraspyleniâigeometriiraspylitelʹnoisistemynatolŝinuisostavpolučaemyhplenok AT gončarovaa vliânierežimovraspyleniâigeometriiraspylitelʹnoisistemynatolŝinuisostavpolučaemyhplenok AT konovalovva vliânierežimovraspyleniâigeometriiraspylitelʹnoisistemynatolŝinuisostavpolučaemyhplenok AT terpiidn vliânierežimovraspyleniâigeometriiraspylitelʹnoisistemynatolŝinuisostavpolučaemyhplenok AT stupakva vliânierežimovraspyleniâigeometriiraspylitelʹnoisistemynatolŝinuisostavpolučaemyhplenok AT petuhovvv vplivrežimívrozpilennâígeometríírozpilûvalʹnoísisteminatovŝinutaskladoderžuvanihplívok AT gončarovaa vplivrežimívrozpilennâígeometríírozpilûvalʹnoísisteminatovŝinutaskladoderžuvanihplívok AT konovalovva vplivrežimívrozpilennâígeometríírozpilûvalʹnoísisteminatovŝinutaskladoderžuvanihplívok AT terpiidn vplivrežimívrozpilennâígeometríírozpilûvalʹnoísisteminatovŝinutaskladoderžuvanihplívok AT stupakva vplivrežimívrozpilennâígeometríírozpilûvalʹnoísisteminatovŝinutaskladoderžuvanihplívok AT petuhovvv influenceofspatteringregimesandspatteringsystemgeometryonthethicknessandcompositionofpreparedfilms AT gončarovaa influenceofspatteringregimesandspatteringsystemgeometryonthethicknessandcompositionofpreparedfilms AT konovalovva influenceofspatteringregimesandspatteringsystemgeometryonthethicknessandcompositionofpreparedfilms AT terpiidn influenceofspatteringregimesandspatteringsystemgeometryonthethicknessandcompositionofpreparedfilms AT stupakva influenceofspatteringregimesandspatteringsystemgeometryonthethicknessandcompositionofpreparedfilms |