Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2005
• Автор: Бузруков, У. М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2005
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98766
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры / У. М. Бузруков // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 216–218. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

В настоящей работе приводятся результаты исследования интегральной фоточувствительности двухбарьерной p-n-m-структуры. Исследуемые структуры изготовлены выращиванием из жидкой фазы гетерослоя AlGaInAs р-типа проводимости толшиной 1 мкм на подложках nGaAs толшиной 350 мкм. У цій роботі приводяться результати дослідження інтегральної фоточутливості двохбар’єрної p-n-m-структур. Досліджувані структури виготовлені вирощуванням з рідкої фази гетерошару AlGaInAs р-типу провідності товщиною 1 мкм на підкладках nGaAs товщиною 350 мкм. The results of the research concerning the integral photosensitivity of 2-barrier p-n-m structure are given in the present work. Studied structures are prepared by hetero-layer AlGaInAs growing from the liquid phase with p type of conductivity and thickness of 1 mм on the substrates nGaAs with thickness of 350 mм.