Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2005
• 1. Verfasser: Бузруков, У. М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2005
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98766
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры / У. М. Бузруков // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 216–218. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

В настоящей работе приводятся результаты исследования интегральной фоточувствительности
 двухбарьерной p-n-m-структуры. Исследуемые структуры изготовлены выращиванием из жидкой фазы гетерослоя AlGaInAs р-типа проводимости толшиной 1 мкм на подложках nGaAs
 толшиной 350 мкм. У цій роботі приводяться результати дослідження інтегральної фоточутливості двохбар’єрної
 p-n-m-структур. Досліджувані структури виготовлені вирощуванням з рідкої фази гетерошару
 AlGaInAs р-типу провідності товщиною 1 мкм
 на підкладках nGaAs товщиною 350 мкм. The results of the research concerning the integral
 photosensitivity of 2-barrier p-n-m structure are
 given in the present work. Studied structures are
 prepared by hetero-layer AlGaInAs growing from
 the liquid phase with p type of conductivity and
 thickness of 1 mм on the substrates nGaAs with
 thickness of 350 mм.