Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры
В настоящей работе приводятся результаты исследования интегральной фоточувствительности двухбарьерной p-n-m-структуры. Исследуемые структуры изготовлены выращиванием из жидкой фазы гетерослоя AlGaInAs р-типа проводимости толшиной 1 мкм на подложках nGaAs толшиной 350 мкм. У цій роботі приводяться...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98766 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры / У. М. Бузруков // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 216–218. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98766 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Бузруков, У. М. 2016-04-17T17:29:01Z 2016-04-17T17:29:01Z 2005 Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры / У. М. Бузруков // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 216–218. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98766 В настоящей работе приводятся результаты исследования интегральной фоточувствительности двухбарьерной p-n-m-структуры. Исследуемые структуры изготовлены выращиванием из жидкой фазы гетерослоя AlGaInAs р-типа проводимости толшиной 1 мкм на подложках nGaAs толшиной 350 мкм. У цій роботі приводяться результати дослідження інтегральної фоточутливості двохбар’єрної p-n-m-структур. Досліджувані структури виготовлені вирощуванням з рідкої фази гетерошару AlGaInAs р-типу провідності товщиною 1 мкм на підкладках nGaAs товщиною 350 мкм. The results of the research concerning the integral photosensitivity of 2-barrier p-n-m structure are given in the present work. Studied structures are prepared by hetero-layer AlGaInAs growing from the liquid phase with p type of conductivity and thickness of 1 mм on the substrates nGaAs with thickness of 350 mм. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры Дослідження фоточутливості двобар’єрної pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структури Research of photo-sensitive 2-barrier pAlGaInAs-nGaAs: О-Au-structure Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры |
| spellingShingle |
Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры Бузруков, У. М. |
| title_short |
Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры |
| title_full |
Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры |
| title_fullStr |
Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры |
| title_full_unstemmed |
Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры |
| title_sort |
исследование фоточувствительности двухбарьерной palgainas-ngaas:o-au-структуры |
| author |
Бузруков, У. М. |
| author_facet |
Бузруков, У. М. |
| publishDate |
2005 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Дослідження фоточутливості двобар’єрної pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структури Research of photo-sensitive 2-barrier pAlGaInAs-nGaAs: О-Au-structure |
| description |
В настоящей работе приводятся результаты исследования интегральной фоточувствительности
двухбарьерной p-n-m-структуры. Исследуемые структуры изготовлены выращиванием из жидкой фазы гетерослоя AlGaInAs р-типа проводимости толшиной 1 мкм на подложках nGaAs
толшиной 350 мкм.
У цій роботі приводяться результати дослідження інтегральної фоточутливості двохбар’єрної
p-n-m-структур. Досліджувані структури виготовлені вирощуванням з рідкої фази гетерошару
AlGaInAs р-типу провідності товщиною 1 мкм
на підкладках nGaAs товщиною 350 мкм.
The results of the research concerning the integral
photosensitivity of 2-barrier p-n-m structure are
given in the present work. Studied structures are
prepared by hetero-layer AlGaInAs growing from
the liquid phase with p type of conductivity and
thickness of 1 mм on the substrates nGaAs with
thickness of 350 mм.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98766 |
| citation_txt |
Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры / У. М. Бузруков // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 216–218. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT buzrukovum issledovaniefotočuvstvitelʹnostidvuhbarʹernoipalgainasngaasoaustruktury AT buzrukovum doslídžennâfotočutlivostídvobarêrnoípalgainasngaasoaustrukturi AT buzrukovum researchofphotosensitive2barrierpalgainasngaasoaustructure |
| first_indexed |
2025-12-07T20:52:58Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:52:58Z |
| _version_ |
1850884257440858112 |