Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры - Бузруков, У. М. (Физическая инженерия поверхности, 2005)
В настоящей работе приводятся результаты исследования интегральной фоточувствительности
двухбарьерной p-n-m-структуры. Исследуемые структуры изготовлены выращиванием из жидкой фазы гетерослоя AlGaInAs р-типа проводимости толшиной 1 мкм на подложках nGaAs
толшиной 350 мкм. У цій роботі приводяться результати дослідження інтегральної фоточутливості двохбар’єрної
p-n-m-структур. Досліджувані структури виготовлені вирощуванням з рідкої фази гетерошару
AlGaInAs р-типу провідності товщиною 1 мкм
на підкладках nGaAs товщиною 350 мкм. The results of the research concerning the integral
photosensitivity of 2-barrier p-n-m structure are
given in the present work. Studied structures are
prepared by hetero-layer AlGaInAs growing from
the liquid phase with p type of conductivity and
thickness of 1 mм on the substrates nGaAs with
thickness of 350 mм.