Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры
В настоящей работе приводятся результаты исследования интегральной фоточувствительности двухбарьерной p-n-m-структуры. Исследуемые структуры изготовлены выращиванием из жидкой фазы гетерослоя AlGaInAs р-типа проводимости толшиной 1 мкм на подложках nGaAs толшиной 350 мкм. У цій роботі приводяться...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2005
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98766 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры / У. М. Бузруков // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 216–218. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |