Cover Image

Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры

В настоящей работе приводятся результаты исследования интегральной фоточувствительности
 двухбарьерной p-n-m-структуры. Исследуемые структуры изготовлены выращиванием из жидкой фазы гетерослоя AlGaInAs р-типа проводимости толшиной 1 мкм на подложках nGaAs
 толшиной 350 мкм. У цій роб...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физическая инженерия поверхности
Date:2005
Main Author: Бузруков, У. М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2005
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98766
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры / У. М. Бузруков // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 216–218. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items