Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2005
• 1. Verfasser: Бузруков, У. М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2005
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98766
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Исследование фоточувствительности двухбарьерной pAlGaInAs-nGaAs:O-Au-структуры / У. М. Бузруков // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 216–218. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

В настоящей работе приводятся результаты исследования интегральной фоточувствительности двухбарьерной p-n-m-структуры. Исследуемые структуры изготовлены выращиванием из жидкой фазы гетерослоя AlGaInAs р-типа проводимости толшиной 1 мкм на подложках nGaAs толшиной 350 мкм. У цій роботі приводяться...