О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2005
• Main Authors: Вайткус, Ю.Ю., Юлдашев, Н.Х., Отажонов, С.М.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2005
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98767
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении / Ю.Ю. Вайткус, Н.Х Юлдашев, С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 219–227. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Предложена новая модель АФН-пленки и новые механизмы образования АФН, на основе которых рассчитана высоковольтная фото-ЭДС при собственном и примесном фотовозбуждении.
 Теоретически предсказана линейная зависимость люксвольтовой характеристики при малых
 освещенностях, что подтверждается экспериментальными ЛВХ пленки CdTe:Ag в монохроматическом свете. Запропоновано нову модель АФН-плівки й нові
 механізми утворення АФН, на основі яких розрахована високовольтна фото-ЭДС за власного і
 примісного фотопорушення. Теоретично обгрунтована лінійна залежність люкс-вольтової характеристики при малих освітленнях, що підтверджується експериментальними ЛВХ плівки
 CdTe:Ag у монохроматичному світлі. It was offered a new model for APV film and new
 mechanisms of APV formation , on the basic of
 which high-voltage photo emf was calculated at own
 and admixture light excitation. Theoretically it was
 predicted a linear dependence of lux-voltage
 characteristic at low illuminations, which is
 confirmed by experimental LVC of the CdTe:Ag film
 in monochromatic light.