О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении

Предложена новая модель АФН-пленки и новые механизмы образования АФН, на основе которых рассчитана высоковольтная фото-ЭДС при собственном и примесном фотовозбуждении. Теоретически предсказана линейная зависимость люксвольтовой характеристики при малых освещенностях, что подтверждается эксперимент...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2005
Hauptverfasser: Вайткус, Ю.Ю., Юлдашев, Н.Х., Отажонов, С.М.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2005
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98767
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении / Ю.Ю. Вайткус, Н.Х Юлдашев, С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 219–227. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98767
record_format dspace
spelling Вайткус, Ю.Ю.
Юлдашев, Н.Х.
Отажонов, С.М.
2016-04-17T17:33:01Z
2016-04-17T17:33:01Z
2005
О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении / Ю.Ю. Вайткус, Н.Х Юлдашев, С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 219–227. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98767
Предложена новая модель АФН-пленки и новые механизмы образования АФН, на основе которых рассчитана высоковольтная фото-ЭДС при собственном и примесном фотовозбуждении. Теоретически предсказана линейная зависимость люксвольтовой характеристики при малых освещенностях, что подтверждается экспериментальными ЛВХ пленки CdTe:Ag в монохроматическом свете.
Запропоновано нову модель АФН-плівки й нові механізми утворення АФН, на основі яких розрахована високовольтна фото-ЭДС за власного і примісного фотопорушення. Теоретично обгрунтована лінійна залежність люкс-вольтової характеристики при малих освітленнях, що підтверджується експериментальними ЛВХ плівки CdTe:Ag у монохроматичному світлі.
It was offered a new model for APV film and new mechanisms of APV formation , on the basic of which high-voltage photo emf was calculated at own and admixture light excitation. Theoretically it was predicted a linear dependence of lux-voltage characteristic at low illuminations, which is confirmed by experimental LVC of the CdTe:Ag film in monochromatic light.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении
Про механізм утворення високовольтної фото-ЭДС у тонких косонапилених плівках CdTe:Ag за власного і примісного поглинання
About mechanism of high-voltage photo EMF formation in thin slanting deposited films CdTe:Ag by own and admixture absorption
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении
spellingShingle О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении
Вайткус, Ю.Ю.
Юлдашев, Н.Х.
Отажонов, С.М.
title_short О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении
title_full О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении
title_fullStr О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении
title_full_unstemmed О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении
title_sort о механизме образования высоковольтной фото – эдс в тонких косонапыленных пленках cdte:ag при собственном и примесном поглощении
author Вайткус, Ю.Ю.
Юлдашев, Н.Х.
Отажонов, С.М.
author_facet Вайткус, Ю.Ю.
Юлдашев, Н.Х.
Отажонов, С.М.
publishDate 2005
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
title_alt Про механізм утворення високовольтної фото-ЭДС у тонких косонапилених плівках CdTe:Ag за власного і примісного поглинання
About mechanism of high-voltage photo EMF formation in thin slanting deposited films CdTe:Ag by own and admixture absorption
description Предложена новая модель АФН-пленки и новые механизмы образования АФН, на основе которых рассчитана высоковольтная фото-ЭДС при собственном и примесном фотовозбуждении. Теоретически предсказана линейная зависимость люксвольтовой характеристики при малых освещенностях, что подтверждается экспериментальными ЛВХ пленки CdTe:Ag в монохроматическом свете. Запропоновано нову модель АФН-плівки й нові механізми утворення АФН, на основі яких розрахована високовольтна фото-ЭДС за власного і примісного фотопорушення. Теоретично обгрунтована лінійна залежність люкс-вольтової характеристики при малих освітленнях, що підтверджується експериментальними ЛВХ плівки CdTe:Ag у монохроматичному світлі. It was offered a new model for APV film and new mechanisms of APV formation , on the basic of which high-voltage photo emf was calculated at own and admixture light excitation. Theoretically it was predicted a linear dependence of lux-voltage characteristic at low illuminations, which is confirmed by experimental LVC of the CdTe:Ag film in monochromatic light.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98767
citation_txt О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении / Ю.Ю. Вайткус, Н.Х Юлдашев, С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 219–227. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT vaitkusûû omehanizmeobrazovaniâvysokovolʹtnoifotoédsvtonkihkosonapylennyhplenkahcdteagprisobstvennomiprimesnompogloŝenii
AT ûldaševnh omehanizmeobrazovaniâvysokovolʹtnoifotoédsvtonkihkosonapylennyhplenkahcdteagprisobstvennomiprimesnompogloŝenii
AT otažonovsm omehanizmeobrazovaniâvysokovolʹtnoifotoédsvtonkihkosonapylennyhplenkahcdteagprisobstvennomiprimesnompogloŝenii
AT vaitkusûû promehanízmutvorennâvisokovolʹtnoífotoédsutonkihkosonapilenihplívkahcdteagzavlasnogoíprimísnogopoglinannâ
AT ûldaševnh promehanízmutvorennâvisokovolʹtnoífotoédsutonkihkosonapilenihplívkahcdteagzavlasnogoíprimísnogopoglinannâ
AT otažonovsm promehanízmutvorennâvisokovolʹtnoífotoédsutonkihkosonapilenihplívkahcdteagzavlasnogoíprimísnogopoglinannâ
AT vaitkusûû aboutmechanismofhighvoltagephotoemfformationinthinslantingdepositedfilmscdteagbyownandadmixtureabsorption
AT ûldaševnh aboutmechanismofhighvoltagephotoemfformationinthinslantingdepositedfilmscdteagbyownandadmixtureabsorption
AT otažonovsm aboutmechanismofhighvoltagephotoemfformationinthinslantingdepositedfilmscdteagbyownandadmixtureabsorption
first_indexed 2025-12-07T18:25:20Z
last_indexed 2025-12-07T18:25:20Z
_version_ 1850874968817008640