О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2005
• Hauptverfasser: Вайткус, Ю.Ю., Юлдашев, Н.Х., Отажонов, С.М.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2005
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98767
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении / Ю.Ю. Вайткус, Н.Х Юлдашев, С.М. Отажонов // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 219–227. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Предложена новая модель АФН-пленки и новые механизмы образования АФН, на основе которых рассчитана высоковольтная фото-ЭДС при собственном и примесном фотовозбуждении. Теоретически предсказана линейная зависимость люксвольтовой характеристики при малых освещенностях, что подтверждается эксперимент...