Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с
 аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение
 на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный
 данный эффект в ле...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98769 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe / М.А. Каримов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 228–231. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с
аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение
на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный
данный эффект в легированных пленках CdTe:In, объясняется асимметричной термополевой
миграцией (ТПМ) во внутрикристаллическом поле границы зерен ионов In<sup> +i</sup> и вакансий кадмия
VCd−j в процессе термической обработки.
Розроблено технологію легування домішками індію полікристалічних плівок CdTe з аномальним
фотовольтаїчним (АФВ) властивістю, що дозволяє збільшити фотонапругу на порядок, а струм
короткого замикання більш ніж на два порядки.
Уперше виявлений даний ефект у легованих плівках CdTe:In, пояснюється асиметричною термополевою міграцією (ТПМ) у внутрікристалічному полі границі зерен іонів In+i і вакансій
кадмію VCd−j в процесі термічної обробки.
It was developed a technology for Indium admixture
doping of polycrystal films CdTe with anomalous
photo-voltaic (APV) property, allowing to increase
photo voltage up to 1 order and short circuit current
more than up to 2 orders. Such effect in doped films
CdTe:In revealed for the first time is explained by
asymmetric thermo-field migration (TFM) in the
boundary field of ions In+i grains and cadmium
vacancies VCd−j during thermal treatment process.
|
|---|---|
| ISSN: | 1999-8074 |