Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe

Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe

Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный данный эффект в легированных пленках CdTe:...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2005
Hauptverfasser: Каримов, М.А., Юлдашев, Н.Х.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2005
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98769
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe / М.А. Каримов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 228–231. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98769
record_format dspace
spelling Каримов, М.А.
Юлдашев, Н.Х.
2016-04-17T17:37:29Z
2016-04-17T17:37:29Z
2005
Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe / М.А. Каримов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 228–231. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98769
621.315.592
Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный данный эффект в легированных пленках CdTe:In, объясняется асимметричной термополевой миграцией (ТПМ) во внутрикристаллическом поле границы зерен ионов In<sup> +i</sup> и вакансий кадмия VCd−j в процессе термической обработки.
Розроблено технологію легування домішками індію полікристалічних плівок CdTe з аномальним фотовольтаїчним (АФВ) властивістю, що дозволяє збільшити фотонапругу на порядок, а струм короткого замикання більш ніж на два порядки. Уперше виявлений даний ефект у легованих плівках CdTe:In, пояснюється асиметричною термополевою міграцією (ТПМ) у внутрікристалічному полі границі зерен іонів In+i і вакансій кадмію VCd−j в процесі термічної обробки.
It was developed a technology for Indium admixture doping of polycrystal films CdTe with anomalous photo-voltaic (APV) property, allowing to increase photo voltage up to 1 order and short circuit current more than up to 2 orders. Such effect in doped films CdTe:In revealed for the first time is explained by asymmetric thermo-field migration (TFM) in the boundary field of ions In+i grains and cadmium vacancies VCd−j during thermal treatment process.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
Вплив домішків індія на фотовольтаїчні властивості косонапилених плівок CdTe
IIndium admixture influence on photo-voltaic properties of slanting deposited films CdTe
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
spellingShingle Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
Каримов, М.А.
Юлдашев, Н.Х.
title_short Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
title_full Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
title_fullStr Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
title_full_unstemmed Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
title_sort влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок cdte
author Каримов, М.А.
Юлдашев, Н.Х.
author_facet Каримов, М.А.
Юлдашев, Н.Х.
publishDate 2005
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
title_alt Вплив домішків індія на фотовольтаїчні властивості косонапилених плівок CdTe
IIndium admixture influence on photo-voltaic properties of slanting deposited films CdTe
description Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный данный эффект в легированных пленках CdTe:In, объясняется асимметричной термополевой миграцией (ТПМ) во внутрикристаллическом поле границы зерен ионов In<sup> +i</sup> и вакансий кадмия VCd−j в процессе термической обработки. Розроблено технологію легування домішками індію полікристалічних плівок CdTe з аномальним фотовольтаїчним (АФВ) властивістю, що дозволяє збільшити фотонапругу на порядок, а струм короткого замикання більш ніж на два порядки. Уперше виявлений даний ефект у легованих плівках CdTe:In, пояснюється асиметричною термополевою міграцією (ТПМ) у внутрікристалічному полі границі зерен іонів In+i і вакансій кадмію VCd−j в процесі термічної обробки. It was developed a technology for Indium admixture doping of polycrystal films CdTe with anomalous photo-voltaic (APV) property, allowing to increase photo voltage up to 1 order and short circuit current more than up to 2 orders. Such effect in doped films CdTe:In revealed for the first time is explained by asymmetric thermo-field migration (TFM) in the boundary field of ions In+i grains and cadmium vacancies VCd−j during thermal treatment process.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98769
citation_txt Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe / М.А. Каримов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 228–231. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT karimovma vliânieprimesiindiânafotovolʹtaičeskiesvoistvakosonapylennyhplenokcdte
AT ûldaševnh vliânieprimesiindiânafotovolʹtaičeskiesvoistvakosonapylennyhplenokcdte
AT karimovma vplivdomíškívíndíânafotovolʹtaíčnívlastivostíkosonapilenihplívokcdte
AT ûldaševnh vplivdomíškívíndíânafotovolʹtaíčnívlastivostíkosonapilenihplívokcdte
AT karimovma iindiumadmixtureinfluenceonphotovoltaicpropertiesofslantingdepositedfilmscdte
AT ûldaševnh iindiumadmixtureinfluenceonphotovoltaicpropertiesofslantingdepositedfilmscdte
first_indexed 2025-12-07T19:23:21Z
last_indexed 2025-12-07T19:23:21Z
_version_ 1850878618773749760

Ähnliche Einträge