Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с
 аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение
 на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный
 данный эффект в ле...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2005
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98769 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe / М.А. Каримов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 228–231. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862730884395827200 |
|---|---|
| author | Каримов, М.А. Юлдашев, Н.Х. |
| author_facet | Каримов, М.А. Юлдашев, Н.Х. |
| citation_txt | Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe / М.А. Каримов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 228–231. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с
аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение
на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный
данный эффект в легированных пленках CdTe:In, объясняется асимметричной термополевой
миграцией (ТПМ) во внутрикристаллическом поле границы зерен ионов In<sup> +i</sup> и вакансий кадмия
VCd−j в процессе термической обработки.
Розроблено технологію легування домішками індію полікристалічних плівок CdTe з аномальним
фотовольтаїчним (АФВ) властивістю, що дозволяє збільшити фотонапругу на порядок, а струм
короткого замикання більш ніж на два порядки.
Уперше виявлений даний ефект у легованих плівках CdTe:In, пояснюється асиметричною термополевою міграцією (ТПМ) у внутрікристалічному полі границі зерен іонів In+i і вакансій
кадмію VCd−j в процесі термічної обробки.
It was developed a technology for Indium admixture
doping of polycrystal films CdTe with anomalous
photo-voltaic (APV) property, allowing to increase
photo voltage up to 1 order and short circuit current
more than up to 2 orders. Such effect in doped films
CdTe:In revealed for the first time is explained by
asymmetric thermo-field migration (TFM) in the
boundary field of ions In+i grains and cadmium
vacancies VCd−j during thermal treatment process.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:23:21Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98769 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:23:21Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Каримов, М.А. Юлдашев, Н.Х. 2016-04-17T17:37:29Z 2016-04-17T17:37:29Z 2005 Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe / М.А. Каримов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 228–231. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98769 621.315.592 Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с
 аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение
 на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный
 данный эффект в легированных пленках CdTe:In, объясняется асимметричной термополевой
 миграцией (ТПМ) во внутрикристаллическом поле границы зерен ионов In<sup> +i</sup> и вакансий кадмия
 VCd−j в процессе термической обработки. Розроблено технологію легування домішками індію полікристалічних плівок CdTe з аномальним
 фотовольтаїчним (АФВ) властивістю, що дозволяє збільшити фотонапругу на порядок, а струм
 короткого замикання більш ніж на два порядки.
 Уперше виявлений даний ефект у легованих плівках CdTe:In, пояснюється асиметричною термополевою міграцією (ТПМ) у внутрікристалічному полі границі зерен іонів In+i і вакансій
 кадмію VCd−j в процесі термічної обробки. It was developed a technology for Indium admixture
 doping of polycrystal films CdTe with anomalous
 photo-voltaic (APV) property, allowing to increase
 photo voltage up to 1 order and short circuit current
 more than up to 2 orders. Such effect in doped films
 CdTe:In revealed for the first time is explained by
 asymmetric thermo-field migration (TFM) in the
 boundary field of ions In+i grains and cadmium
 vacancies VCd−j during thermal treatment process. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe Вплив домішків індія на фотовольтаїчні властивості косонапилених плівок CdTe IIndium admixture influence on photo-voltaic properties of slanting deposited films CdTe Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe Каримов, М.А. Юлдашев, Н.Х. |
| title | Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe |
| title_alt | Вплив домішків індія на фотовольтаїчні властивості косонапилених плівок CdTe IIndium admixture influence on photo-voltaic properties of slanting deposited films CdTe |
| title_full | Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe |
| title_fullStr | Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe |
| title_full_unstemmed | Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe |
| title_short | Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe |
| title_sort | влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок cdte |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98769 |
| work_keys_str_mv | AT karimovma vliânieprimesiindiânafotovolʹtaičeskiesvoistvakosonapylennyhplenokcdte AT ûldaševnh vliânieprimesiindiânafotovolʹtaičeskiesvoistvakosonapylennyhplenokcdte AT karimovma vplivdomíškívíndíânafotovolʹtaíčnívlastivostíkosonapilenihplívokcdte AT ûldaševnh vplivdomíškívíndíânafotovolʹtaíčnívlastivostíkosonapilenihplívokcdte AT karimovma iindiumadmixtureinfluenceonphotovoltaicpropertiesofslantingdepositedfilmscdte AT ûldaševnh iindiumadmixtureinfluenceonphotovoltaicpropertiesofslantingdepositedfilmscdte |