Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe
Разработана технология легирования примесью индия поликристаллических пленок CdTe с аномальным фотовольтаическим (АФВ) свойством, позволяющая увеличить фотонапряжение на порядок, а ток короткого замыкания более чем на два порядка. Впервые обнаруженный данный эффект в легированных пленках CdTe:...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| Hauptverfasser: | Каримов, М.А., Юлдашев, Н.Х. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2005
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98769 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние примеси индия на фотовольтаические свойства косонапыленных пленок CdTe / М.А. Каримов, Н.Х. Юлдашев // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 228–231. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Низкотемпературная фотолюминесценция тонких пленок CdTe, CdTe:In с аномальным фотовольтаическим свойством
von: Ахмадалиев, Б.Ж., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
О механизме образования высоковольтной фото – ЭДС в тонких косонапыленных пленках CdTe:Ag при собственном и примесном поглощении
von: Вайткус, Ю.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Поляритонная люминесценция в кристаллах типа CdTe c учетом затухания экситонов
von: Ахмадалиев, Б.Ж., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
von: Klad'ko, V.P., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Surface and interface bands of the CdTe–HgTe–CdTe heterostructure: Evidence of metallicity
von: I. N. Yakovkin
Veröffentlicht: (2021)