Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда
 р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности
 изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено,
 что чем резче и...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2005 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2005
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98770 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода / Д.М. Ёдгорова // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 232–234. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862751560139800576 |
|---|---|
| author | Ёдгорова, Д.М. |
| author_facet | Ёдгорова, Д.М. |
| citation_txt | Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода / Д.М. Ёдгорова // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 232–234. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда
р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности
изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено,
что чем резче и тоньше p-n-переход, тем выше крутизна передаточной характеристики изготовленного на его основе полевого транзистора.
У роботі приведені результати дослідження процесів розширення шару об’ємного заряду р-n-переходу затвору польового транзистора. Прямими
дослідженнями закономірності зміни ємності
p-n-переходу від напруги і характеристичного
параметра установлено, що чим різкіше і тонше
p-n-перехід, тим вище крутість передатної характеристики виготовленого на його основі польового транзистора.
In the work the results of research of processes of pn-junction
gates space charge layer expansion in the
field transistor are given. By direct researches of
change of р-n-junction capacity with voltage and
characteristic parameter is established, that the more
abruptly and the thiner р-n-junction on the higher
steepness of the transfer characteristics of the field
transistor, made on its base is.
|
| first_indexed | 2025-12-07T21:12:11Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98770 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T21:12:11Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ёдгорова, Д.М. 2016-04-17T17:39:03Z 2016-04-17T17:39:03Z 2005 Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода / Д.М. Ёдгорова // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 232–234. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98770 В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда
 р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности
 изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено,
 что чем резче и тоньше p-n-переход, тем выше крутизна передаточной характеристики изготовленного на его основе полевого транзистора. У роботі приведені результати дослідження процесів розширення шару об’ємного заряду р-n-переходу затвору польового транзистора. Прямими
 дослідженнями закономірності зміни ємності
 p-n-переходу від напруги і характеристичного
 параметра установлено, що чим різкіше і тонше
 p-n-перехід, тим вище крутість передатної характеристики виготовленого на його основі польового транзистора. In the work the results of research of processes of pn-junction
 gates space charge layer expansion in the
 field transistor are given. By direct researches of
 change of р-n-junction capacity with voltage and
 characteristic parameter is established, that the more
 abruptly and the thiner р-n-junction on the higher
 steepness of the transfer characteristics of the field
 transistor, made on its base is. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода Дослідження залежності вихідних характеристик польового транзистора від параметрів керуючого переходу Research of dependence of the target characteristics of the field transistor Article published earlier |
| spellingShingle | Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода Ёдгорова, Д.М. |
| title | Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода |
| title_alt | Дослідження залежності вихідних характеристик польового транзистора від параметрів керуючого переходу Research of dependence of the target characteristics of the field transistor |
| title_full | Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода |
| title_fullStr | Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода |
| title_full_unstemmed | Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода |
| title_short | Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода |
| title_sort | исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98770 |
| work_keys_str_mv | AT edgorovadm issledovaniezavisimostivyhodnyhharakteristikpolevogotranzistoraotparametrovupravlâûŝegoperehoda AT edgorovadm doslídžennâzaležnostívihídnihharakteristikpolʹovogotranzistoravídparametrívkeruûčogoperehodu AT edgorovadm researchofdependenceofthetargetcharacteristicsofthefieldtransistor |