Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода

Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода

В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено, что чем резче и тоньше p-n-переход, тем...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2005
1. Verfasser: Ёдгорова, Д.М.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2005
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98770
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода / Д.М. Ёдгорова // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 232–234. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98770
record_format dspace
spelling Ёдгорова, Д.М.
2016-04-17T17:39:03Z
2016-04-17T17:39:03Z
2005
Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода / Д.М. Ёдгорова // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 232–234. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98770
В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено, что чем резче и тоньше p-n-переход, тем выше крутизна передаточной характеристики изготовленного на его основе полевого транзистора.
У роботі приведені результати дослідження процесів розширення шару об’ємного заряду р-n-переходу затвору польового транзистора. Прямими дослідженнями закономірності зміни ємності p-n-переходу від напруги і характеристичного параметра установлено, що чим різкіше і тонше p-n-перехід, тим вище крутість передатної характеристики виготовленого на його основі польового транзистора.
In the work the results of research of processes of pn-junction gates space charge layer expansion in the field transistor are given. By direct researches of change of р-n-junction capacity with voltage and characteristic parameter is established, that the more abruptly and the thiner р-n-junction on the higher steepness of the transfer characteristics of the field transistor, made on its base is.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
Дослідження залежності вихідних характеристик польового транзистора від параметрів керуючого переходу
Research of dependence of the target characteristics of the field transistor
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
spellingShingle Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
Ёдгорова, Д.М.
title_short Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
title_full Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
title_fullStr Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
title_full_unstemmed Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
title_sort исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
author Ёдгорова, Д.М.
author_facet Ёдгорова, Д.М.
publishDate 2005
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
title_alt Дослідження залежності вихідних характеристик польового транзистора від параметрів керуючого переходу
Research of dependence of the target characteristics of the field transistor
description В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено, что чем резче и тоньше p-n-переход, тем выше крутизна передаточной характеристики изготовленного на его основе полевого транзистора. У роботі приведені результати дослідження процесів розширення шару об’ємного заряду р-n-переходу затвору польового транзистора. Прямими дослідженнями закономірності зміни ємності p-n-переходу від напруги і характеристичного параметра установлено, що чим різкіше і тонше p-n-перехід, тим вище крутість передатної характеристики виготовленого на його основі польового транзистора. In the work the results of research of processes of pn-junction gates space charge layer expansion in the field transistor are given. By direct researches of change of р-n-junction capacity with voltage and characteristic parameter is established, that the more abruptly and the thiner р-n-junction on the higher steepness of the transfer characteristics of the field transistor, made on its base is.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98770
citation_txt Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода / Д.М. Ёдгорова // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 232–234. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT edgorovadm issledovaniezavisimostivyhodnyhharakteristikpolevogotranzistoraotparametrovupravlâûŝegoperehoda
AT edgorovadm doslídžennâzaležnostívihídnihharakteristikpolʹovogotranzistoravídparametrívkeruûčogoperehodu
AT edgorovadm researchofdependenceofthetargetcharacteristicsofthefieldtransistor
first_indexed 2025-12-07T21:12:11Z
last_indexed 2025-12-07T21:12:11Z
_version_ 1850885465854443520

Ähnliche Einträge