Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено, что чем резче и тоньше p-n-переход, тем...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2005 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2005
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98770 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода / Д.М. Ёдгорова // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 232–234. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |