Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода
В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено, что чем резче и тоньше p-n-переход, тем...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2005 |
| Main Author: | Ёдгорова, Д.М. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2005
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98770 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода / Д.М. Ёдгорова // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 232–234. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006) -
Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2012) -
Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2015) -
Функциональные характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом при различных режимах включения
by: Абдулхаев, О.А., et al.
Published: (2012) -
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
by: Ёдгорова, Д.М.
Published: (2006)