Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода

В работе приведены результаты исследования процессов расширения слоя объемного заряда р-n-перехода затвора полевого транзистора. Прямыми исследованиями закономерности изменения емкости p-n-перехода от напряжения и характеристического параметра установлено, что чем резче и тоньше p-n-переход, тем...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физическая инженерия поверхности
Date:2005
Main Author: Ёдгорова, Д.М.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2005
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98770
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Исследование зависимости выходных характеристик полевого транзистора от параметров управляющего перехода / Д.М. Ёдгорова // Физическая инженерия поверхности. — 2005. — Т. 3, № 3-4. — С. 232–234. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine