Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2006
• 1. Verfasser: Хайдаров, 3.X.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2006
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98776
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере / 3.X. Хайдаров // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 4–7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований физических
 процессов в сверхтонкой – порядка 40 мкм газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основным механизмом
 формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является
 автоэлектронная эмиссия. В рамках этой работы установлено, что обнаруженный
 новый положительный эффект в виде нормального изменения фототоков и аномального изменения темновых токов, обеспечивает разрешающую способность фотографического процесса в полупроводниковой ионизационной камере со сверхтонкой газоразрядной ячейкой. У роботі наводяться результати експериментальних
 досліджень фізичних процесів у надтонкій – близько
 40 мкм газорозрядній комірці з напівпровідниковим
 електродом. Експериментально підтверджується,
 що основним механізмом формування зображення
 в напівпровідниковій іонізаційній камері є автоелектронна емісія. Встановлено, що виявлений
 новий позитивний ефект у вигляді нормальної
 зміни фотострумів і аномальної зміни темнових
 струмів, забезпечують розрізнювальну здатність
 фотографічного процесу у напівпровідниковій
 іонізаційній камері з надтонкою газорозрядною
 коміркою. The results of experimental researches of the physical
 processes in excessively thin gas-discharged cell
 with semiconductor electrode are given in this work.
 It is confirmed that the main mechanism of the
 formation of the image in semiconductor ionization
 camera is auto electron emission. Within the
 framework of this work it is installed that discovered
 new positive effect in the manner of normal change
 of photocurrent and anomalous change of obscure
 dark current, provide the allowing ability of photo -
 process in semiconductor ionization camera with
 excessively thin gas-discharged cell.