Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере
В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований физических процессов в сверхтонкой – порядка 40 мкм газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основным механизмом формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере я...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2006 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2006
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98776 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере / 3.X. Хайдаров // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 4–7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98776 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Хайдаров, 3.X. 2016-04-17T17:51:14Z 2016-04-17T17:51:14Z 2006 Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере / 3.X. Хайдаров // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 4–7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98776 621.315.592:621.382:621.385 В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований физических процессов в сверхтонкой – порядка 40 мкм газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основным механизмом формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является автоэлектронная эмиссия. В рамках этой работы установлено, что обнаруженный новый положительный эффект в виде нормального изменения фототоков и аномального изменения темновых токов, обеспечивает разрешающую способность фотографического процесса в полупроводниковой ионизационной камере со сверхтонкой газоразрядной ячейкой. У роботі наводяться результати експериментальних досліджень фізичних процесів у надтонкій – близько 40 мкм газорозрядній комірці з напівпровідниковим електродом. Експериментально підтверджується, що основним механізмом формування зображення в напівпровідниковій іонізаційній камері є автоелектронна емісія. Встановлено, що виявлений новий позитивний ефект у вигляді нормальної зміни фотострумів і аномальної зміни темнових струмів, забезпечують розрізнювальну здатність фотографічного процесу у напівпровідниковій іонізаційній камері з надтонкою газорозрядною коміркою. The results of experimental researches of the physical processes in excessively thin gas-discharged cell with semiconductor electrode are given in this work. It is confirmed that the main mechanism of the formation of the image in semiconductor ionization camera is auto electron emission. Within the framework of this work it is installed that discovered new positive effect in the manner of normal change of photocurrent and anomalous change of obscure dark current, provide the allowing ability of photo - process in semiconductor ionization camera with excessively thin gas-discharged cell. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере Особливості автоелектронної емісії в надтонкому зазорі газорозрядної комірки в напівпровідниковій іонізаційній камері Features of autoelectronic emission in the superthin gap of the gas-discharge cell in ionization semi-conductor the chamber Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| spellingShingle |
Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере Хайдаров, 3.X. |
| title_short |
Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| title_full |
Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| title_fullStr |
Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| title_full_unstemmed |
Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| title_sort |
особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| author |
Хайдаров, 3.X. |
| author_facet |
Хайдаров, 3.X. |
| publishDate |
2006 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Особливості автоелектронної емісії в надтонкому зазорі газорозрядної комірки в напівпровідниковій іонізаційній камері Features of autoelectronic emission in the superthin gap of the gas-discharge cell in ionization semi-conductor the chamber |
| description |
В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований физических
процессов в сверхтонкой – порядка 40 мкм газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основным механизмом
формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является
автоэлектронная эмиссия. В рамках этой работы установлено, что обнаруженный
новый положительный эффект в виде нормального изменения фототоков и аномального изменения темновых токов, обеспечивает разрешающую способность фотографического процесса в полупроводниковой ионизационной камере со сверхтонкой газоразрядной ячейкой.
У роботі наводяться результати експериментальних
досліджень фізичних процесів у надтонкій – близько
40 мкм газорозрядній комірці з напівпровідниковим
електродом. Експериментально підтверджується,
що основним механізмом формування зображення
в напівпровідниковій іонізаційній камері є автоелектронна емісія. Встановлено, що виявлений
новий позитивний ефект у вигляді нормальної
зміни фотострумів і аномальної зміни темнових
струмів, забезпечують розрізнювальну здатність
фотографічного процесу у напівпровідниковій
іонізаційній камері з надтонкою газорозрядною
коміркою.
The results of experimental researches of the physical
processes in excessively thin gas-discharged cell
with semiconductor electrode are given in this work.
It is confirmed that the main mechanism of the
formation of the image in semiconductor ionization
camera is auto electron emission. Within the
framework of this work it is installed that discovered
new positive effect in the manner of normal change
of photocurrent and anomalous change of obscure
dark current, provide the allowing ability of photo -
process in semiconductor ionization camera with
excessively thin gas-discharged cell.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98776 |
| citation_txt |
Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере / 3.X. Хайдаров // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 4–7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT haidarov3x osobennostiavtoélektronnoiémissiivsverhtonkomzazoregazorazrâdnoiâčeikivpoluprovodnikovoiionizacionnoikamere AT haidarov3x osoblivostíavtoelektronnoíemísíívnadtonkomuzazorígazorozrâdnoíkomírkivnapívprovídnikovíiíonízacíiníikamerí AT haidarov3x featuresofautoelectronicemissioninthesuperthingapofthegasdischargecellinionizationsemiconductorthechamber |
| first_indexed |
2025-12-07T20:09:43Z |
| last_indexed |
2025-12-07T20:09:43Z |
| _version_ |
1850881535791595520 |