Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере
В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований физических
 процессов в сверхтонкой – порядка 40 мкм газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основным механизмом
 формирования изображения в полупроводниковой иониза...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2006 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2006
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98776 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере / 3.X. Хайдаров // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 4–7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862739512733466624 |
|---|---|
| author | Хайдаров, 3.X. |
| author_facet | Хайдаров, 3.X. |
| citation_txt | Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере / 3.X. Хайдаров // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 4–7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований физических
процессов в сверхтонкой – порядка 40 мкм газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основным механизмом
формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является
автоэлектронная эмиссия. В рамках этой работы установлено, что обнаруженный
новый положительный эффект в виде нормального изменения фототоков и аномального изменения темновых токов, обеспечивает разрешающую способность фотографического процесса в полупроводниковой ионизационной камере со сверхтонкой газоразрядной ячейкой.
У роботі наводяться результати експериментальних
досліджень фізичних процесів у надтонкій – близько
40 мкм газорозрядній комірці з напівпровідниковим
електродом. Експериментально підтверджується,
що основним механізмом формування зображення
в напівпровідниковій іонізаційній камері є автоелектронна емісія. Встановлено, що виявлений
новий позитивний ефект у вигляді нормальної
зміни фотострумів і аномальної зміни темнових
струмів, забезпечують розрізнювальну здатність
фотографічного процесу у напівпровідниковій
іонізаційній камері з надтонкою газорозрядною
коміркою.
The results of experimental researches of the physical
processes in excessively thin gas-discharged cell
with semiconductor electrode are given in this work.
It is confirmed that the main mechanism of the
formation of the image in semiconductor ionization
camera is auto electron emission. Within the
framework of this work it is installed that discovered
new positive effect in the manner of normal change
of photocurrent and anomalous change of obscure
dark current, provide the allowing ability of photo -
process in semiconductor ionization camera with
excessively thin gas-discharged cell.
|
| first_indexed | 2025-12-07T20:09:43Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98776 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T20:09:43Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Хайдаров, 3.X. 2016-04-17T17:51:14Z 2016-04-17T17:51:14Z 2006 Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере / 3.X. Хайдаров // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 4–7. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98776 621.315.592:621.382:621.385 В данной работе приводятся результаты экспериментальных исследований физических
 процессов в сверхтонкой – порядка 40 мкм газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом. Экспериментально подтверждается, что основным механизмом
 формирования изображения в полупроводниковой ионизационной камере является
 автоэлектронная эмиссия. В рамках этой работы установлено, что обнаруженный
 новый положительный эффект в виде нормального изменения фототоков и аномального изменения темновых токов, обеспечивает разрешающую способность фотографического процесса в полупроводниковой ионизационной камере со сверхтонкой газоразрядной ячейкой. У роботі наводяться результати експериментальних
 досліджень фізичних процесів у надтонкій – близько
 40 мкм газорозрядній комірці з напівпровідниковим
 електродом. Експериментально підтверджується,
 що основним механізмом формування зображення
 в напівпровідниковій іонізаційній камері є автоелектронна емісія. Встановлено, що виявлений
 новий позитивний ефект у вигляді нормальної
 зміни фотострумів і аномальної зміни темнових
 струмів, забезпечують розрізнювальну здатність
 фотографічного процесу у напівпровідниковій
 іонізаційній камері з надтонкою газорозрядною
 коміркою. The results of experimental researches of the physical
 processes in excessively thin gas-discharged cell
 with semiconductor electrode are given in this work.
 It is confirmed that the main mechanism of the
 formation of the image in semiconductor ionization
 camera is auto electron emission. Within the
 framework of this work it is installed that discovered
 new positive effect in the manner of normal change
 of photocurrent and anomalous change of obscure
 dark current, provide the allowing ability of photo -
 process in semiconductor ionization camera with
 excessively thin gas-discharged cell. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере Особливості автоелектронної емісії в надтонкому зазорі газорозрядної комірки в напівпровідниковій іонізаційній камері Features of autoelectronic emission in the superthin gap of the gas-discharge cell in ionization semi-conductor the chamber Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере Хайдаров, 3.X. |
| title | Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| title_alt | Особливості автоелектронної емісії в надтонкому зазорі газорозрядної комірки в напівпровідниковій іонізаційній камері Features of autoelectronic emission in the superthin gap of the gas-discharge cell in ionization semi-conductor the chamber |
| title_full | Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| title_fullStr | Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| title_full_unstemmed | Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| title_short | Особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| title_sort | особенности автоэлектронной эмиссии в сверхтонком зазоре газоразрядной ячейки в полупроводниковой ионизационной камере |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98776 |
| work_keys_str_mv | AT haidarov3x osobennostiavtoélektronnoiémissiivsverhtonkomzazoregazorazrâdnoiâčeikivpoluprovodnikovoiionizacionnoikamere AT haidarov3x osoblivostíavtoelektronnoíemísíívnadtonkomuzazorígazorozrâdnoíkomírkivnapívprovídnikovíiíonízacíiníikamerí AT haidarov3x featuresofautoelectronicemissioninthesuperthingapofthegasdischargecellinionizationsemiconductorthechamber |