Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃ – Sb₂Te₃ - Шамирзаев, С.Х.; Юсупова, Д.А.; Мухамедиев, Э.Д.; Онаркулов, К.Э. (Физическая инженерия поверхности, 2006)
Использование временных рядов и регрессионного анализа, совместно с вычислением размерности вложения “временного ряда” позволило разработать методику определения эффективной плотности электронных поверхностных состояний (ЭПЭПС) в нанокристаллических полупроводниковых пленках при наложении циклической деформации. “Временные ряды” составлены из деформационной зависимости активной и реактивной частей импеданса пленок теллуридов висмута-сурьмы, измеренных в широком частотном диапазоне. Измерены вариации активного сопротивления и емкости нанокристаллических пленок теллуридов висмута-сурьмы при наложении необратимой деформации. По этим вариациям определена ЭПЭПС и найдена ее деформационная зависимость. Процедура определения электронных поверхностных состояний требует высокого уровня автоматизации проводимых измерений. Для каждой частоты, на которой определяется импеданс, требуется измерить более 10³ значений активной и реактивной частей импеданса при наложении деформации. Використання часових рядів і регресивного
аналізу, разом з обчисленням розмірності вкладення “часового ряду” дозволило розробити
методику визначення ефективної щільності
електронних поверхневих станів (ЕЩЕПС) у
нанокристалічних напівпровідникових плівках
при накладенні циклічної деформації. “Часові
ряди” складені з деформаційної залежності активної і реактивної частин імпедансу плівок телуридів вісмуту-сурми, виміряних у широкому
частотному діапазоні. Виміряно варіації активного опору і ємності нанокристалічних плівок телуридів вісмуту-сурми при накладенні необоротної деформації. За цими варіаціями визначена
ЕЩЕПС і знайдена її деформаційна залежність.
Процедура визначення електронних поверхневих
станів вимагає високого рівня автоматизації проведених вимірів. Для кожної частоти на якій визначається імпеданс, потрібно вимірити понад 10³
значень активної і реактивної частин імпедансу
при накладенні деформації. Use of temporary lines and regression analysis, together with calculation of dimension of
an investment “of a temporary line” has allowed to
develop a technique of definition of effective density
of electronic superficial condition (EDESC) in
nanocrystal of semiconductor films at imposing
cyclic deformation. “Temporary lines” are made
from deformation of dependence of active and jet
parts of an impedance films tellurid of vismutantimony
measured in a wide frequency range. The
variations of active resistance and capacities
nanocrystal films tellurid of vismut-antimony are
measured at imposing irreversible deformation. On
these variations is determined (EDESC) and is found
her deformation dependence. The procedure of
definition of electronic superficial condition requires
a high level of automation of spent measurements.
For each frequency on which the impedance is
defined, it is required to measure more than 10³
meanings of active and jet parts of an impedance at
imposing deformation.