Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик

• Veröffentlicht in: Физическая инженерия поверхности
• Datum: 2006
• Hauptverfasser: Возный, А.В., Ям, Дж.Ю., Кропотов, А.Ю., Фареник, В.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2006
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98787
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик / А.В. Возный, Дж.Ю. Ям, А.Ю. Кропотов, В.И. Фареник // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 97–103. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

При ионно-лучевом травлении диэлектрических образцов через маску субмикронных размеров
 зарядка поверхности вызывает искривление траектории ионов, что в конечном итоге делает
 невозможным получение более мелких микроструктур. В данной работе в качестве инструмента
 для сухого травления предлагается использовать пучок нейтральных частиц, который образуется
 в результате гетерогенной нейтрализации медленных ионов при отражении от поверхности
 плоскопараллельных проводящих пластин. Исследованы скорость травления кремниевых
 образцов и степень нейтрализации потока. Было показано, что при отражении ионов от
 поверхности под углом 5° подавляющая часть из них нейтрализуется. При іонно-променевому травленні діелектричних зразків через маску субмікронних розмірів
 заряд на поверхні спричиняє викривлення
 траєкторії іонів, що призводить до неможливості
 одержання дрібніших мікроструктур. У роботі,
 для сухого травлення, пропонується використовувати пучок нейтральних часток, що утворюється
 в результаті гетерогенної нейтралізації повільних
 іонів при їх відбитті від поверхні плоскопаралельних провідних пластин. Досліджено швидкість травлення зразків оксиду кремнію і ступінь
 нейтралізації потоку. Встановлено, що при
 відбитті іонів від поверхні під кутом 5° більша
 частина їх нейтралізується. During ion beam etching of dielectric samples through
 a mask of submicron size surface charge causes ion
 trajectory deviation which makes receiving smaller
 microstructures impossible. In this work beam of
 neutral particles is proposed as an instrument for dry
 etching which is formed due to reflection from a set
 of parallel conductive plates. Degree of neutralization
 was studied, as well as the energy of the obtained
 flux. It was shown that during ion reflection at the
 angle 5° with the surface most of them neutralized.