Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик
При ионно-лучевом травлении диэлектрических образцов через маску субмикронных размеров зарядка поверхности вызывает искривление траектории ионов, что в конечном итоге делает невозможным получение более мелких микроструктур. В данной работе в качестве инструмента для сухого травления предлагается...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98787 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик / А.В. Возный, Дж.Ю. Ям, А.Ю. Кропотов, В.И. Фареник // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 97–103. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98787 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Возный, А.В. Ям, Дж.Ю. Кропотов, А.Ю. Фареник, В.И. 2016-04-17T19:00:41Z 2016-04-17T19:00:41Z 2006 Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик / А.В. Возный, Дж.Ю. Ям, А.Ю. Кропотов, В.И. Фареник // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 97–103. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98787 539.198 При ионно-лучевом травлении диэлектрических образцов через маску субмикронных размеров зарядка поверхности вызывает искривление траектории ионов, что в конечном итоге делает невозможным получение более мелких микроструктур. В данной работе в качестве инструмента для сухого травления предлагается использовать пучок нейтральных частиц, который образуется в результате гетерогенной нейтрализации медленных ионов при отражении от поверхности плоскопараллельных проводящих пластин. Исследованы скорость травления кремниевых образцов и степень нейтрализации потока. Было показано, что при отражении ионов от поверхности под углом 5° подавляющая часть из них нейтрализуется. При іонно-променевому травленні діелектричних зразків через маску субмікронних розмірів заряд на поверхні спричиняє викривлення траєкторії іонів, що призводить до неможливості одержання дрібніших мікроструктур. У роботі, для сухого травлення, пропонується використовувати пучок нейтральних часток, що утворюється в результаті гетерогенної нейтралізації повільних іонів при їх відбитті від поверхні плоскопаралельних провідних пластин. Досліджено швидкість травлення зразків оксиду кремнію і ступінь нейтралізації потоку. Встановлено, що при відбитті іонів від поверхні під кутом 5° більша частина їх нейтралізується. During ion beam etching of dielectric samples through a mask of submicron size surface charge causes ion trajectory deviation which makes receiving smaller microstructures impossible. In this work beam of neutral particles is proposed as an instrument for dry etching which is formed due to reflection from a set of parallel conductive plates. Degree of neutralization was studied, as well as the energy of the obtained flux. It was shown that during ion reflection at the angle 5° with the surface most of them neutralized. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик Формування пучка нейтральних атомів для сухого травлення і дослідження його характеристик Formation of neutral atomic beam for dry etching and study its charachteristics Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| spellingShingle |
Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик Возный, А.В. Ям, Дж.Ю. Кропотов, А.Ю. Фареник, В.И. |
| title_short |
Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| title_full |
Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| title_fullStr |
Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| title_full_unstemmed |
Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| title_sort |
формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| author |
Возный, А.В. Ям, Дж.Ю. Кропотов, А.Ю. Фареник, В.И. |
| author_facet |
Возный, А.В. Ям, Дж.Ю. Кропотов, А.Ю. Фареник, В.И. |
| publishDate |
2006 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Формування пучка нейтральних атомів для сухого травлення і дослідження його характеристик Formation of neutral atomic beam for dry etching and study its charachteristics |
| description |
При ионно-лучевом травлении диэлектрических образцов через маску субмикронных размеров
зарядка поверхности вызывает искривление траектории ионов, что в конечном итоге делает
невозможным получение более мелких микроструктур. В данной работе в качестве инструмента
для сухого травления предлагается использовать пучок нейтральных частиц, который образуется
в результате гетерогенной нейтрализации медленных ионов при отражении от поверхности
плоскопараллельных проводящих пластин. Исследованы скорость травления кремниевых
образцов и степень нейтрализации потока. Было показано, что при отражении ионов от
поверхности под углом 5° подавляющая часть из них нейтрализуется.
При іонно-променевому травленні діелектричних зразків через маску субмікронних розмірів
заряд на поверхні спричиняє викривлення
траєкторії іонів, що призводить до неможливості
одержання дрібніших мікроструктур. У роботі,
для сухого травлення, пропонується використовувати пучок нейтральних часток, що утворюється
в результаті гетерогенної нейтралізації повільних
іонів при їх відбитті від поверхні плоскопаралельних провідних пластин. Досліджено швидкість травлення зразків оксиду кремнію і ступінь
нейтралізації потоку. Встановлено, що при
відбитті іонів від поверхні під кутом 5° більша
частина їх нейтралізується.
During ion beam etching of dielectric samples through
a mask of submicron size surface charge causes ion
trajectory deviation which makes receiving smaller
microstructures impossible. In this work beam of
neutral particles is proposed as an instrument for dry
etching which is formed due to reflection from a set
of parallel conductive plates. Degree of neutralization
was studied, as well as the energy of the obtained
flux. It was shown that during ion reflection at the
angle 5° with the surface most of them neutralized.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98787 |
| citation_txt |
Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик / А.В. Возный, Дж.Ю. Ям, А.Ю. Кропотов, В.И. Фареник // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 97–103. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT voznyiav formirovaniepučkaneitralʹnyhatomovdlâsuhogotravleniâiissledovanieegoharakteristik AT âmdžû formirovaniepučkaneitralʹnyhatomovdlâsuhogotravleniâiissledovanieegoharakteristik AT kropotovaû formirovaniepučkaneitralʹnyhatomovdlâsuhogotravleniâiissledovanieegoharakteristik AT farenikvi formirovaniepučkaneitralʹnyhatomovdlâsuhogotravleniâiissledovanieegoharakteristik AT voznyiav formuvannâpučkaneitralʹnihatomívdlâsuhogotravlennâídoslídžennâiogoharakteristik AT âmdžû formuvannâpučkaneitralʹnihatomívdlâsuhogotravlennâídoslídžennâiogoharakteristik AT kropotovaû formuvannâpučkaneitralʹnihatomívdlâsuhogotravlennâídoslídžennâiogoharakteristik AT farenikvi formuvannâpučkaneitralʹnihatomívdlâsuhogotravlennâídoslídžennâiogoharakteristik AT voznyiav formationofneutralatomicbeamfordryetchingandstudyitscharachteristics AT âmdžû formationofneutralatomicbeamfordryetchingandstudyitscharachteristics AT kropotovaû formationofneutralatomicbeamfordryetchingandstudyitscharachteristics AT farenikvi formationofneutralatomicbeamfordryetchingandstudyitscharachteristics |
| first_indexed |
2025-12-07T16:31:28Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:31:28Z |
| _version_ |
1850867805235183616 |