Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик
При ионно-лучевом травлении диэлектрических образцов через маску субмикронных размеров
 зарядка поверхности вызывает искривление траектории ионов, что в конечном итоге делает
 невозможным получение более мелких микроструктур. В данной работе в качестве инструмента
 для сухого...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98787 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик / А.В. Возный, Дж.Ю. Ям, А.Ю. Кропотов, В.И. Фареник // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 97–103. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862697935138979840 |
|---|---|
| author | Возный, А.В. Ям, Дж.Ю. Кропотов, А.Ю. Фареник, В.И. |
| author_facet | Возный, А.В. Ям, Дж.Ю. Кропотов, А.Ю. Фареник, В.И. |
| citation_txt | Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик / А.В. Возный, Дж.Ю. Ям, А.Ю. Кропотов, В.И. Фареник // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 97–103. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | При ионно-лучевом травлении диэлектрических образцов через маску субмикронных размеров
зарядка поверхности вызывает искривление траектории ионов, что в конечном итоге делает
невозможным получение более мелких микроструктур. В данной работе в качестве инструмента
для сухого травления предлагается использовать пучок нейтральных частиц, который образуется
в результате гетерогенной нейтрализации медленных ионов при отражении от поверхности
плоскопараллельных проводящих пластин. Исследованы скорость травления кремниевых
образцов и степень нейтрализации потока. Было показано, что при отражении ионов от
поверхности под углом 5° подавляющая часть из них нейтрализуется.
При іонно-променевому травленні діелектричних зразків через маску субмікронних розмірів
заряд на поверхні спричиняє викривлення
траєкторії іонів, що призводить до неможливості
одержання дрібніших мікроструктур. У роботі,
для сухого травлення, пропонується використовувати пучок нейтральних часток, що утворюється
в результаті гетерогенної нейтралізації повільних
іонів при їх відбитті від поверхні плоскопаралельних провідних пластин. Досліджено швидкість травлення зразків оксиду кремнію і ступінь
нейтралізації потоку. Встановлено, що при
відбитті іонів від поверхні під кутом 5° більша
частина їх нейтралізується.
During ion beam etching of dielectric samples through
a mask of submicron size surface charge causes ion
trajectory deviation which makes receiving smaller
microstructures impossible. In this work beam of
neutral particles is proposed as an instrument for dry
etching which is formed due to reflection from a set
of parallel conductive plates. Degree of neutralization
was studied, as well as the energy of the obtained
flux. It was shown that during ion reflection at the
angle 5° with the surface most of them neutralized.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:31:28Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98787 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:31:28Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Возный, А.В. Ям, Дж.Ю. Кропотов, А.Ю. Фареник, В.И. 2016-04-17T19:00:41Z 2016-04-17T19:00:41Z 2006 Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик / А.В. Возный, Дж.Ю. Ям, А.Ю. Кропотов, В.И. Фареник // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 97–103. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98787 539.198 При ионно-лучевом травлении диэлектрических образцов через маску субмикронных размеров
 зарядка поверхности вызывает искривление траектории ионов, что в конечном итоге делает
 невозможным получение более мелких микроструктур. В данной работе в качестве инструмента
 для сухого травления предлагается использовать пучок нейтральных частиц, который образуется
 в результате гетерогенной нейтрализации медленных ионов при отражении от поверхности
 плоскопараллельных проводящих пластин. Исследованы скорость травления кремниевых
 образцов и степень нейтрализации потока. Было показано, что при отражении ионов от
 поверхности под углом 5° подавляющая часть из них нейтрализуется. При іонно-променевому травленні діелектричних зразків через маску субмікронних розмірів
 заряд на поверхні спричиняє викривлення
 траєкторії іонів, що призводить до неможливості
 одержання дрібніших мікроструктур. У роботі,
 для сухого травлення, пропонується використовувати пучок нейтральних часток, що утворюється
 в результаті гетерогенної нейтралізації повільних
 іонів при їх відбитті від поверхні плоскопаралельних провідних пластин. Досліджено швидкість травлення зразків оксиду кремнію і ступінь
 нейтралізації потоку. Встановлено, що при
 відбитті іонів від поверхні під кутом 5° більша
 частина їх нейтралізується. During ion beam etching of dielectric samples through
 a mask of submicron size surface charge causes ion
 trajectory deviation which makes receiving smaller
 microstructures impossible. In this work beam of
 neutral particles is proposed as an instrument for dry
 etching which is formed due to reflection from a set
 of parallel conductive plates. Degree of neutralization
 was studied, as well as the energy of the obtained
 flux. It was shown that during ion reflection at the
 angle 5° with the surface most of them neutralized. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик Формування пучка нейтральних атомів для сухого травлення і дослідження його характеристик Formation of neutral atomic beam for dry etching and study its charachteristics Article published earlier |
| spellingShingle | Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик Возный, А.В. Ям, Дж.Ю. Кропотов, А.Ю. Фареник, В.И. |
| title | Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| title_alt | Формування пучка нейтральних атомів для сухого травлення і дослідження його характеристик Formation of neutral atomic beam for dry etching and study its charachteristics |
| title_full | Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| title_fullStr | Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| title_full_unstemmed | Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| title_short | Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| title_sort | формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98787 |
| work_keys_str_mv | AT voznyiav formirovaniepučkaneitralʹnyhatomovdlâsuhogotravleniâiissledovanieegoharakteristik AT âmdžû formirovaniepučkaneitralʹnyhatomovdlâsuhogotravleniâiissledovanieegoharakteristik AT kropotovaû formirovaniepučkaneitralʹnyhatomovdlâsuhogotravleniâiissledovanieegoharakteristik AT farenikvi formirovaniepučkaneitralʹnyhatomovdlâsuhogotravleniâiissledovanieegoharakteristik AT voznyiav formuvannâpučkaneitralʹnihatomívdlâsuhogotravlennâídoslídžennâiogoharakteristik AT âmdžû formuvannâpučkaneitralʹnihatomívdlâsuhogotravlennâídoslídžennâiogoharakteristik AT kropotovaû formuvannâpučkaneitralʹnihatomívdlâsuhogotravlennâídoslídžennâiogoharakteristik AT farenikvi formuvannâpučkaneitralʹnihatomívdlâsuhogotravlennâídoslídžennâiogoharakteristik AT voznyiav formationofneutralatomicbeamfordryetchingandstudyitscharachteristics AT âmdžû formationofneutralatomicbeamfordryetchingandstudyitscharachteristics AT kropotovaû formationofneutralatomicbeamfordryetchingandstudyitscharachteristics AT farenikvi formationofneutralatomicbeamfordryetchingandstudyitscharachteristics |