Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик
При ионно-лучевом травлении диэлектрических образцов через маску субмикронных размеров зарядка поверхности вызывает искривление траектории ионов, что в конечном итоге делает невозможным получение более мелких микроструктур. В данной работе в качестве инструмента для сухого травления предлагается...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | Возный, А.В., Ям, Дж.Ю., Кропотов, А.Ю., Фареник, В.И. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98787 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Формирование пучка нейтральных атомов для сухого травления и исследование его характеристик / А.В. Возный, Дж.Ю. Ям, А.Ю. Кропотов, В.И. Фареник // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 97–103. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Динамическая электрострикция бозе-конденсата и системы нейтральных атомов
за авторством: Косевич, А.М.
Опубліковано: (2005) -
Высокочастотные разряды низкого давления в технологии малоэнергоемкого вакуумно-плазменного травления микроструктур
за авторством: Фареник, В.И.
Опубліковано: (2004) -
Формирование радиотерапевтического протонного пучка фазотрона ЛЯП ОИЯИ
за авторством: Молоканов, А.Г.
Опубліковано: (2008) -
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009) -
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009)