Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2006
• Автор: Дудин, С.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2006
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98790
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств / С.В. Дудин // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 117–123. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления до 100 нм/мин и селективность относительно SiO₂ на уровне 6:1, что демонстрирует пригодность данной технологии для использования в производстве белых светодиодов. Травление проводится без использования агрессивных соединений, которые содержат хлор и фтор. Відпрацьовано технологічні режими анізотропного травління багатошарових структур на базі GaN для потреб сучасної оптоелектроніки з використанням комбінованого індукційно-ємнісного розряду в суміші метану з воднем. Отримано швидкість травління до 100 нм/хв і селективність відносно SiO₂ на рівні 6:1, що демонструє придатність даної технології для використання у виробництві білих світлодіодів. Травління проводиться без використання агресивних сполук, які містять хлор і фтор. Technological regimes of anisotropic etching of multilayer GaN-based structures for needs of modern optoelectronics have been developed with use of combined ICP reactor with RF bias in methanehydrogen mixture. Etch rate up to 100 nanometers/ mines have been reached along with selectivity of 6:1 against SiO₂, that shows suitability of the given technology for use in manufacture of white lightemitting diodes. Etching is carried out without use of aggressive gases containing chlorine and a fluorine.