Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на
 базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного
 индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления
 до 100 нм/мин и селе...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98790 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств / С.В. Дудин // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 117–123. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на
базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного
индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления
до 100 нм/мин и селективность относительно SiO₂ на уровне 6:1, что демонстрирует пригодность
данной технологии для использования в производстве белых светодиодов. Травление
проводится без использования агрессивных соединений, которые содержат хлор и фтор.
Відпрацьовано технологічні режими анізотропного травління багатошарових структур на базі
GaN для потреб сучасної оптоелектроніки з використанням комбінованого індукційно-ємнісного
розряду в суміші метану з воднем. Отримано швидкість травління до 100 нм/хв і селективність відносно SiO₂ на рівні 6:1, що демонструє придатність даної технології для використання у виробництві білих світлодіодів. Травління проводиться
без використання агресивних сполук, які містять
хлор і фтор.
Technological regimes of anisotropic etching of
multilayer GaN-based structures for needs of modern
optoelectronics have been developed with use of
combined ICP reactor with RF bias in methanehydrogen
mixture. Etch rate up to 100 nanometers/
mines have been reached along with selectivity of 6:1
against SiO₂, that shows suitability of the given
technology for use in manufacture of white lightemitting
diodes. Etching is carried out without use of
aggressive gases containing chlorine and a fluorine.
|
|---|---|
| ISSN: | 1999-8074 |