Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на
 базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного
 индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления
 до 100 нм/мин и селе...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2006 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2006
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98790 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств / С.В. Дудин // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 117–123. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862643017380265984 |
|---|---|
| author | Дудин, С.В. |
| author_facet | Дудин, С.В. |
| citation_txt | Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств / С.В. Дудин // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 117–123. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на
базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного
индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления
до 100 нм/мин и селективность относительно SiO₂ на уровне 6:1, что демонстрирует пригодность
данной технологии для использования в производстве белых светодиодов. Травление
проводится без использования агрессивных соединений, которые содержат хлор и фтор.
Відпрацьовано технологічні режими анізотропного травління багатошарових структур на базі
GaN для потреб сучасної оптоелектроніки з використанням комбінованого індукційно-ємнісного
розряду в суміші метану з воднем. Отримано швидкість травління до 100 нм/хв і селективність відносно SiO₂ на рівні 6:1, що демонструє придатність даної технології для використання у виробництві білих світлодіодів. Травління проводиться
без використання агресивних сполук, які містять
хлор і фтор.
Technological regimes of anisotropic etching of
multilayer GaN-based structures for needs of modern
optoelectronics have been developed with use of
combined ICP reactor with RF bias in methanehydrogen
mixture. Etch rate up to 100 nanometers/
mines have been reached along with selectivity of 6:1
against SiO₂, that shows suitability of the given
technology for use in manufacture of white lightemitting
diodes. Etching is carried out without use of
aggressive gases containing chlorine and a fluorine.
|
| first_indexed | 2025-12-01T07:20:10Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98790 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-01T07:20:10Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Дудин, С.В. 2016-04-17T19:15:35Z 2016-04-17T19:15:35Z 2006 Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств / С.В. Дудин // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 117–123. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98790 539.198 Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на
 базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного
 индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления
 до 100 нм/мин и селективность относительно SiO₂ на уровне 6:1, что демонстрирует пригодность
 данной технологии для использования в производстве белых светодиодов. Травление
 проводится без использования агрессивных соединений, которые содержат хлор и фтор. Відпрацьовано технологічні режими анізотропного травління багатошарових структур на базі
 GaN для потреб сучасної оптоелектроніки з використанням комбінованого індукційно-ємнісного
 розряду в суміші метану з воднем. Отримано швидкість травління до 100 нм/хв і селективність відносно SiO₂ на рівні 6:1, що демонструє придатність даної технології для використання у виробництві білих світлодіодів. Травління проводиться
 без використання агресивних сполук, які містять
 хлор і фтор. Technological regimes of anisotropic etching of
 multilayer GaN-based structures for needs of modern
 optoelectronics have been developed with use of
 combined ICP reactor with RF bias in methanehydrogen
 mixture. Etch rate up to 100 nanometers/
 mines have been reached along with selectivity of 6:1
 against SiO₂, that shows suitability of the given
 technology for use in manufacture of white lightemitting
 diodes. Etching is carried out without use of
 aggressive gases containing chlorine and a fluorine. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств Плазмове травління гетероструктур на основі нітриду галія при виготовленні оптоелектронних пристроїв Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices Article published earlier |
| spellingShingle | Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств Дудин, С.В. |
| title | Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств |
| title_alt | Плазмове травління гетероструктур на основі нітриду галія при виготовленні оптоелектронних пристроїв Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices |
| title_full | Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств |
| title_fullStr | Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств |
| title_full_unstemmed | Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств |
| title_short | Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств |
| title_sort | плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98790 |
| work_keys_str_mv | AT dudinsv plazmennoetravleniegeterostrukturnaosnovenitridagalliâpriizgotovleniioptoélektronnyhustroistv AT dudinsv plazmovetravlínnâgeterostrukturnaosnovínítridugalíâprivigotovlenníoptoelektronnihpristroív AT dudinsv plasmaetchingofgalliumnitridebasedheterostructuresinproductionofoptoelectronicdevices |