Зображення обкладинки

Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств

Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления до 100 нм/мин и селе...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Физическая инженерия поверхности
Дата:	2006
Автор:	Дудин, С.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2006
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98790
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств / С.В. Дудин // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 117–123. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

Ионно-плазменное покрытие AlN–(TiCr)B₂ для режущего инструмента из поликристаллического сверхтвердого материала на основе кубического нитрида бора
за авторством: Клименко, С.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Фотоэлектрические преобразователи на основе пористого арсенида галлия
за авторством: Кирилаш, А.И., та інші
Опубліковано: (2012)

Неразрушающий контроль качественных параметров металлических поверхностей на основе оптоэлектронных датчиков
за авторством: Тожиев, Р.Ж., та інші
Опубліковано: (2002)

Формообразование плоских поверхностей оптоэлектронных элементов при алмазном полировании
за авторством: Филатов, Ю.Д., та інші
Опубліковано: (2017)

Шероховатость поверхностей оптоэлектронных элементов при механическом полировании
за авторством: Филатов, Ю.Д.
Опубліковано: (2018)

Плазменное упрочнение лезвийного почвообрабатывающего инструмента
за авторством: Самотугин, С.С., та інші
Опубліковано: (2009)

Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2003)

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ ЛАВИННОГО ФОТОДИОДА ДЛЯ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫХ СИСТЕМ
за авторством: Брагинец, И.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Исследование высокочувствительного фотоприемного устройства на основе лавинного фотодиода для оптоэлектронных измерительных систем
за авторством: Брагинец, И.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Травление поверхности металлов в плазме аргона
за авторством: Капустин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2001)

Травление поверхности металлов в плазме аргона
за авторством: Капустин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2007)

Ионно-плазменное нанесение наноструктурированных многокомпонентныхпокрытий на термолабильные материалы
за авторством: Осипов, Л.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Методика определения содержания галлия в сплаве на основе кремния
за авторством: Пироженко, Л.А., та інші
Опубліковано: (2006)

Исследование анизотропии поверхности поликристаллического покрытия нитрида галлия на туннельном микроскопе, оснащенном острием из алмаза, легированного бором
за авторством: Цысарь, М.А.
Опубліковано: (2016)

Магнитный контроль при изготовлении сварных баллонов
за авторством: Лобанов, Л.М., та інші
Опубліковано: (2009)

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
за авторством: Терлецкая, Л.Л., та інші
Опубліковано: (2003)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Яцуненко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)

Применение газопламенной пайки при изготовлении узлов охладителей пива
за авторством: Хорунов, В.Ф., та інші
Опубліковано: (2004)

Электрофизические свойства полимерных нанокомпозитов на основе гетероструктур Ag₂S/CdS
за авторством: Котенок, Е.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Трехбарьерные фотодиоды на основе соединений арсенида галлия для оптических систем связи
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2009)

Системы верификации на основе реконфигурируемых устройств
за авторством: Палагин, А.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Применение нитроцеллюлозных лаков при изготовлении влажных макроскопических препаратов
за авторством: Богачук, Г.П., та інші
Опубліковано: (1978)

Применение дуговой точечной сварки при изготовлении кузовов вагонов
за авторством: Ткаченко, А.Н., та інші
Опубліковано: (2005)

Взаимодействие частиц шлама с частицами износа полировального порошка при полировании оптоэлектронных элементов
за авторством: Филатов, Ю.Д.
Опубліковано: (2018)

Свойства нанокристаллических материалов на основе нитрида титана
за авторством: Згалат-Лозинский, О.Б., та інші
Опубліковано: (2010)

Лазерно-плазменное ускорение сгустка электронов, инжектируемых перед лазерным импульсом, генерирующим кильватерную волну
за авторством: Кузнецов, С.В.
Опубліковано: (2012)

Фоторефрактивные кристаллы в запоминающих устройствах оптоэлектронных процессоров корреляционного типа
за авторством: Липинский, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2011)

Термодинамический анализ шлаковых расплавов при изготовлении сварочных плавленых флюсов
за авторством: Жданов, Л.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Мониторинг и контроль параметров при изготовлении литейных пенополистироловых моделей
за авторством: Шалевская, И.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)

Изучение теплопроводности композиционных материалов на основе алмаза, кубического нитрида бора, карбида вольфрама и нитрида алюминия
за авторством: Осипов, А.С., та інші
Опубліковано: (2010)

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
за авторством: Sai, P. O.
Опубліковано: (2016)

Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия
за авторством: Шутов, С.В.
Опубліковано: (1999)

Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия
за авторством: Завадский, В.А., та інші
Опубліковано: (2002)

Кинетика и механизм взаимодействия сплавов на основе алюминия, галлия и таллия с водой
за авторством: Козин, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (1984)