Cover Image

Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств

Отработаны технологические режимы анизотропного травления многослойных структур на
 базе GaN для нужд современной оптоэлектроники с использованием комбинированного
 индукционно-емкостного разряда в смеси метана с водородом. Получена скорость травления
 до 100 нм/мин и селе...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физическая инженерия поверхности
Date:2006
ISSN:1999-8074
Main Author: Дудин, С.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2006
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98790
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств / С.В. Дудин // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 1-2. — С. 117–123. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items