Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления

В данной работе представлены результаты экспериментального исследования ВЧ емкостного разряда в SF₆, NF₃ и SiH₄ низкого давления. У роботі наведено результати експериментального дослідження ВЧ ємнісного розряду у SF₆, NF₃ та SiH₄ низького тиску. This paper presents the results of experimental stud...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Физическая инженерия поверхности
Date:2006
Main Author: Лисовский, В.А.
Format: Article
Language:Russian
Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2006
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98793
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України / В.А. Лисовский // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 3-4. — С. 143–168. — Бібліогр.: 77 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862568142346125312
author Лисовский, В.А.
author_facet Лисовский, В.А.
citation_txt Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України / В.А. Лисовский // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 3-4. — С. 143–168. — Бібліогр.: 77 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Физическая инженерия поверхности
description В данной работе представлены результаты экспериментального исследования ВЧ емкостного разряда в SF₆, NF₃ и SiH₄ низкого давления. У роботі наведено результати експериментального дослідження ВЧ ємнісного розряду у SF₆, NF₃ та SiH₄ низького тиску. This paper presents the results of experimental studying rf capacitive discharge in low-pressure SF₆, NF₃ and SiH₄ .
 .
first_indexed 2025-11-26T00:17:47Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98793
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1999-8074
language Russian
last_indexed 2025-11-26T00:17:47Z
publishDate 2006
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
record_format dspace
spelling Лисовский, В.А.
2016-04-17T19:40:46Z
2016-04-17T19:40:46Z
2006
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України / В.А. Лисовский // Физическая инженерия поверхности. — 2006. — Т. 4, № 3-4. — С. 143–168. — Бібліогр.: 77 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98793
533. 915
В данной работе представлены результаты экспериментального исследования ВЧ емкостного разряда в SF₆, NF₃ и SiH₄ низкого давления.
У роботі наведено результати експериментального дослідження ВЧ ємнісного розряду у SF₆, NF₃ та SiH₄ низького тиску.
This paper presents the results of experimental studying rf capacitive discharge in low-pressure SF₆, NF₃ and SiH₄ .
 .
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления
Дисоціативна мода вч ємнісного розряду низького тиску
Dissociative mode in low-pressure rf discharge
Article
published earlier
spellingShingle Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления
Лисовский, В.А.
title Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления
title_alt Дисоціативна мода вч ємнісного розряду низького тиску
Dissociative mode in low-pressure rf discharge
title_full Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления
title_fullStr Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления
title_full_unstemmed Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления
title_short Диссоциативный режим ВЧ емкостного разряда низкого давления
title_sort диссоциативный режим вч емкостного разряда низкого давления
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98793
work_keys_str_mv AT lisovskiiva dissociativnyirežimvčemkostnogorazrâdanizkogodavleniâ
AT lisovskiiva disocíativnamodavčêmnísnogorozrâdunizʹkogotisku
AT lisovskiiva dissociativemodeinlowpressurerfdischarge