Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2007
• Автори: Выровец, И.И., Грицына, В.И., Опалев, О.А., Решетняк, Е.Н., Стрельницкий, В.Е.
• Формат: Стаття
• Мова: Російська
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2007
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98812
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде / И.И. Выровец, В.И. Грицына, О.А. Опалев, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 1-2. — С. 87–93. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Поликристаллические алмазные пленки осаждались на подложки из поликристаллического Mo
 и монокристаллического Si в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем, в смеси
 Н2 и СН4
 . Методами рентгеноструктурного анализа и оптической микроскопии исследовано
 влияние температуры подложек и их предварительной подготовки на процессы зарождения и
 роста пленок, а также параметры их субструктуры. Показано, что во всем исследованном диапазоне температур (900 – 1300 °С) механическая обработка поверхности подложек алмазной
 пастой или порошком детонационного ультрадисперсного алмаза обеспечивает существенное
 повышение плотности центров зародышеобразования алмаза и позволяет осаждать качественные сплошные пленки толщиной от 2 мкм со скоростью не менее 1 мкм/ч. Полікристалічні алмазні плівки осаджувалися
 на підкладки з полікристалічного Mo і монокристалічного Si у тліючому розряді, стабілізованому
 магнітним полем, у суміші Н2 і СН4
 . Методами
 рентгеноструктурного аналізу й оптичної мікроскопії досліджений вплив температури підкладинок і їхньої попередньої підготовки на процеси
 зародження і росту плівок, а також параметри їх
 субструктури. Показано, що на всьому дослідженому діапазоні температур (900 – 1300 °С) механічна обробка поверхні підкладинок алмазною пастою або порошком детонаційного ультрадисперсного алмаза забезпечує істотне підвищення щільності центрів зародишоутворення
 алмаза та дозволяє осаджувати якісні суцільні
 плівки товщиною від 2 мкм зі швидкістю не менш
 1 мкм/ч. Polycrystalline diamond films have been deposited
 on polycrystalline Mo and monocrystalline Si
 substrates in glow discharge, stabilized by the
 magnetic field, in mixtures H2
 and CH4
 . The influence
 of substrate temperature and its preliminary
 preparation on processes of nucleation, films growth
 and films substructural parameters was investigated
 by use of X-ray analysis and optical microscopy. It
 was shown that in all studied temperature range (900
 – 1300°C) processing of substrate surface by
 diamond paste or nanodiamond powder enables
 enhancing of nucleation density, allows to deposit the
 continuous high-quality diamond films with thickness
 from 2 мm and deposition rate more than 1 мm/h.