Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде

Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде

Поликристаллические алмазные пленки осаждались на подложки из поликристаллического Mo и монокристаллического Si в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем, в смеси Н2 и СН4 . Методами рентгеноструктурного анализа и оптической микроскопии исследовано влияние температуры подложек и их пр...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Физическая инженерия поверхности
Datum:2007
Hauptverfasser: Выровец, И.И., Грицына, В.И., Опалев, О.А., Решетняк, Е.Н., Стрельницкий, В.Е.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2007
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98812
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде / И.И. Выровец, В.И. Грицына, О.А. Опалев, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 1-2. — С. 87–93. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98812
record_format dspace
spelling Выровец, И.И.
Грицына, В.И.
Опалев, О.А.
Решетняк, Е.Н.
Стрельницкий, В.Е.
2016-04-17T21:54:25Z
2016-04-17T21:54:25Z
2007
Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде / И.И. Выровец, В.И. Грицына, О.А. Опалев, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 1-2. — С. 87–93. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
1999-8074
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98812
537.534.2:679.826
Поликристаллические алмазные пленки осаждались на подложки из поликристаллического Mo и монокристаллического Si в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем, в смеси Н2 и СН4 . Методами рентгеноструктурного анализа и оптической микроскопии исследовано влияние температуры подложек и их предварительной подготовки на процессы зарождения и роста пленок, а также параметры их субструктуры. Показано, что во всем исследованном диапазоне температур (900 – 1300 °С) механическая обработка поверхности подложек алмазной пастой или порошком детонационного ультрадисперсного алмаза обеспечивает существенное повышение плотности центров зародышеобразования алмаза и позволяет осаждать качественные сплошные пленки толщиной от 2 мкм со скоростью не менее 1 мкм/ч.
Полікристалічні алмазні плівки осаджувалися на підкладки з полікристалічного Mo і монокристалічного Si у тліючому розряді, стабілізованому магнітним полем, у суміші Н2 і СН4 . Методами рентгеноструктурного аналізу й оптичної мікроскопії досліджений вплив температури підкладинок і їхньої попередньої підготовки на процеси зародження і росту плівок, а також параметри їх субструктури. Показано, що на всьому дослідженому діапазоні температур (900 – 1300 °С) механічна обробка поверхні підкладинок алмазною пастою або порошком детонаційного ультрадисперсного алмаза забезпечує істотне підвищення щільності центрів зародишоутворення алмаза та дозволяє осаджувати якісні суцільні плівки товщиною від 2 мкм зі швидкістю не менш 1 мкм/ч.
Polycrystalline diamond films have been deposited on polycrystalline Mo and monocrystalline Si substrates in glow discharge, stabilized by the magnetic field, in mixtures H2 and CH4 . The influence of substrate temperature and its preliminary preparation on processes of nucleation, films growth and films substructural parameters was investigated by use of X-ray analysis and optical microscopy. It was shown that in all studied temperature range (900 – 1300°C) processing of substrate surface by diamond paste or nanodiamond powder enables enhancing of nucleation density, allows to deposit the continuous high-quality diamond films with thickness from 2 мm and deposition rate more than 1 мm/h.
ru
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
Физическая инженерия поверхности
Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде
Використання мікро- та нанодисперсного алмаза для осадження полікристалічних алмазних плівок у тліючому розряді
Using micro- and nanodispersive diamonds for deposition of polycrystalline diamond films in glow discharge
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде
spellingShingle Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде
Выровец, И.И.
Грицына, В.И.
Опалев, О.А.
Решетняк, Е.Н.
Стрельницкий, В.Е.
title_short Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде
title_full Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде
title_fullStr Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде
title_full_unstemmed Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде
title_sort использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде
author Выровец, И.И.
Грицына, В.И.
Опалев, О.А.
Решетняк, Е.Н.
Стрельницкий, В.Е.
author_facet Выровец, И.И.
Грицына, В.И.
Опалев, О.А.
Решетняк, Е.Н.
Стрельницкий, В.Е.
publishDate 2007
language Russian
container_title Физическая инженерия поверхности
publisher Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
format Article
title_alt Використання мікро- та нанодисперсного алмаза для осадження полікристалічних алмазних плівок у тліючому розряді
Using micro- and nanodispersive diamonds for deposition of polycrystalline diamond films in glow discharge
description Поликристаллические алмазные пленки осаждались на подложки из поликристаллического Mo и монокристаллического Si в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем, в смеси Н2 и СН4 . Методами рентгеноструктурного анализа и оптической микроскопии исследовано влияние температуры подложек и их предварительной подготовки на процессы зарождения и роста пленок, а также параметры их субструктуры. Показано, что во всем исследованном диапазоне температур (900 – 1300 °С) механическая обработка поверхности подложек алмазной пастой или порошком детонационного ультрадисперсного алмаза обеспечивает существенное повышение плотности центров зародышеобразования алмаза и позволяет осаждать качественные сплошные пленки толщиной от 2 мкм со скоростью не менее 1 мкм/ч. Полікристалічні алмазні плівки осаджувалися на підкладки з полікристалічного Mo і монокристалічного Si у тліючому розряді, стабілізованому магнітним полем, у суміші Н2 і СН4 . Методами рентгеноструктурного аналізу й оптичної мікроскопії досліджений вплив температури підкладинок і їхньої попередньої підготовки на процеси зародження і росту плівок, а також параметри їх субструктури. Показано, що на всьому дослідженому діапазоні температур (900 – 1300 °С) механічна обробка поверхні підкладинок алмазною пастою або порошком детонаційного ультрадисперсного алмаза забезпечує істотне підвищення щільності центрів зародишоутворення алмаза та дозволяє осаджувати якісні суцільні плівки товщиною від 2 мкм зі швидкістю не менш 1 мкм/ч. Polycrystalline diamond films have been deposited on polycrystalline Mo and monocrystalline Si substrates in glow discharge, stabilized by the magnetic field, in mixtures H2 and CH4 . The influence of substrate temperature and its preliminary preparation on processes of nucleation, films growth and films substructural parameters was investigated by use of X-ray analysis and optical microscopy. It was shown that in all studied temperature range (900 – 1300°C) processing of substrate surface by diamond paste or nanodiamond powder enables enhancing of nucleation density, allows to deposit the continuous high-quality diamond films with thickness from 2 мm and deposition rate more than 1 мm/h.
issn 1999-8074
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98812
citation_txt Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде / И.И. Выровец, В.И. Грицына, О.А. Опалев, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 1-2. — С. 87–93. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT vyrovecii ispolʹzovaniemikroinanodispersnogoalmazadlâosaždeniâpolikristalličeskihalmaznyhplenokvtleûŝemrazrâde
AT gricynavi ispolʹzovaniemikroinanodispersnogoalmazadlâosaždeniâpolikristalličeskihalmaznyhplenokvtleûŝemrazrâde
AT opalevoa ispolʹzovaniemikroinanodispersnogoalmazadlâosaždeniâpolikristalličeskihalmaznyhplenokvtleûŝemrazrâde
AT rešetnâken ispolʹzovaniemikroinanodispersnogoalmazadlâosaždeniâpolikristalličeskihalmaznyhplenokvtleûŝemrazrâde
AT strelʹnickiive ispolʹzovaniemikroinanodispersnogoalmazadlâosaždeniâpolikristalličeskihalmaznyhplenokvtleûŝemrazrâde
AT vyrovecii vikoristannâmíkrotananodispersnogoalmazadlâosadžennâpolíkristalíčnihalmaznihplívokutlíûčomurozrâdí
AT gricynavi vikoristannâmíkrotananodispersnogoalmazadlâosadžennâpolíkristalíčnihalmaznihplívokutlíûčomurozrâdí
AT opalevoa vikoristannâmíkrotananodispersnogoalmazadlâosadžennâpolíkristalíčnihalmaznihplívokutlíûčomurozrâdí
AT rešetnâken vikoristannâmíkrotananodispersnogoalmazadlâosadžennâpolíkristalíčnihalmaznihplívokutlíûčomurozrâdí
AT strelʹnickiive vikoristannâmíkrotananodispersnogoalmazadlâosadžennâpolíkristalíčnihalmaznihplívokutlíûčomurozrâdí
AT vyrovecii usingmicroandnanodispersivediamondsfordepositionofpolycrystallinediamondfilmsinglowdischarge
AT gricynavi usingmicroandnanodispersivediamondsfordepositionofpolycrystallinediamondfilmsinglowdischarge
AT opalevoa usingmicroandnanodispersivediamondsfordepositionofpolycrystallinediamondfilmsinglowdischarge
AT rešetnâken usingmicroandnanodispersivediamondsfordepositionofpolycrystallinediamondfilmsinglowdischarge
AT strelʹnickiive usingmicroandnanodispersivediamondsfordepositionofpolycrystallinediamondfilmsinglowdischarge
first_indexed 2025-11-28T02:02:46Z
last_indexed 2025-11-28T02:02:46Z
_version_ 1850853192155267072

Ähnliche Einträge