Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде
Поликристаллические алмазные пленки осаждались на подложки из поликристаллического Mo
 и монокристаллического Si в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем, в смеси
 Н2 и СН4
 . Методами рентгеноструктурного анализа и оптической микроскопии исследовано
 влия...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2007
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98812 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде / И.И. Выровец, В.И. Грицына, О.А. Опалев, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 1-2. — С. 87–93. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862601425508368384 |
|---|---|
| author | Выровец, И.И. Грицына, В.И. Опалев, О.А. Решетняк, Е.Н. Стрельницкий, В.Е. |
| author_facet | Выровец, И.И. Грицына, В.И. Опалев, О.А. Решетняк, Е.Н. Стрельницкий, В.Е. |
| citation_txt | Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде / И.И. Выровец, В.И. Грицына, О.А. Опалев, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 1-2. — С. 87–93. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Поликристаллические алмазные пленки осаждались на подложки из поликристаллического Mo
и монокристаллического Si в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем, в смеси
Н2 и СН4
. Методами рентгеноструктурного анализа и оптической микроскопии исследовано
влияние температуры подложек и их предварительной подготовки на процессы зарождения и
роста пленок, а также параметры их субструктуры. Показано, что во всем исследованном диапазоне температур (900 – 1300 °С) механическая обработка поверхности подложек алмазной
пастой или порошком детонационного ультрадисперсного алмаза обеспечивает существенное
повышение плотности центров зародышеобразования алмаза и позволяет осаждать качественные сплошные пленки толщиной от 2 мкм со скоростью не менее 1 мкм/ч.
Полікристалічні алмазні плівки осаджувалися
на підкладки з полікристалічного Mo і монокристалічного Si у тліючому розряді, стабілізованому
магнітним полем, у суміші Н2 і СН4
. Методами
рентгеноструктурного аналізу й оптичної мікроскопії досліджений вплив температури підкладинок і їхньої попередньої підготовки на процеси
зародження і росту плівок, а також параметри їх
субструктури. Показано, що на всьому дослідженому діапазоні температур (900 – 1300 °С) механічна обробка поверхні підкладинок алмазною пастою або порошком детонаційного ультрадисперсного алмаза забезпечує істотне підвищення щільності центрів зародишоутворення
алмаза та дозволяє осаджувати якісні суцільні
плівки товщиною від 2 мкм зі швидкістю не менш
1 мкм/ч.
Polycrystalline diamond films have been deposited
on polycrystalline Mo and monocrystalline Si
substrates in glow discharge, stabilized by the
magnetic field, in mixtures H2
and CH4
. The influence
of substrate temperature and its preliminary
preparation on processes of nucleation, films growth
and films substructural parameters was investigated
by use of X-ray analysis and optical microscopy. It
was shown that in all studied temperature range (900
– 1300°C) processing of substrate surface by
diamond paste or nanodiamond powder enables
enhancing of nucleation density, allows to deposit the
continuous high-quality diamond films with thickness
from 2 мm and deposition rate more than 1 мm/h.
|
| first_indexed | 2025-11-28T02:02:46Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98812 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-28T02:02:46Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Выровец, И.И. Грицына, В.И. Опалев, О.А. Решетняк, Е.Н. Стрельницкий, В.Е. 2016-04-17T21:54:25Z 2016-04-17T21:54:25Z 2007 Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде / И.И. Выровец, В.И. Грицына, О.А. Опалев, Е.Н. Решетняк, В.Е. Стрельницкий // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 1-2. — С. 87–93. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98812 537.534.2:679.826 Поликристаллические алмазные пленки осаждались на подложки из поликристаллического Mo
 и монокристаллического Si в тлеющем разряде, стабилизированном магнитным полем, в смеси
 Н2 и СН4
 . Методами рентгеноструктурного анализа и оптической микроскопии исследовано
 влияние температуры подложек и их предварительной подготовки на процессы зарождения и
 роста пленок, а также параметры их субструктуры. Показано, что во всем исследованном диапазоне температур (900 – 1300 °С) механическая обработка поверхности подложек алмазной
 пастой или порошком детонационного ультрадисперсного алмаза обеспечивает существенное
 повышение плотности центров зародышеобразования алмаза и позволяет осаждать качественные сплошные пленки толщиной от 2 мкм со скоростью не менее 1 мкм/ч. Полікристалічні алмазні плівки осаджувалися
 на підкладки з полікристалічного Mo і монокристалічного Si у тліючому розряді, стабілізованому
 магнітним полем, у суміші Н2 і СН4
 . Методами
 рентгеноструктурного аналізу й оптичної мікроскопії досліджений вплив температури підкладинок і їхньої попередньої підготовки на процеси
 зародження і росту плівок, а також параметри їх
 субструктури. Показано, що на всьому дослідженому діапазоні температур (900 – 1300 °С) механічна обробка поверхні підкладинок алмазною пастою або порошком детонаційного ультрадисперсного алмаза забезпечує істотне підвищення щільності центрів зародишоутворення
 алмаза та дозволяє осаджувати якісні суцільні
 плівки товщиною від 2 мкм зі швидкістю не менш
 1 мкм/ч. Polycrystalline diamond films have been deposited
 on polycrystalline Mo and monocrystalline Si
 substrates in glow discharge, stabilized by the
 magnetic field, in mixtures H2
 and CH4
 . The influence
 of substrate temperature and its preliminary
 preparation on processes of nucleation, films growth
 and films substructural parameters was investigated
 by use of X-ray analysis and optical microscopy. It
 was shown that in all studied temperature range (900
 – 1300°C) processing of substrate surface by
 diamond paste or nanodiamond powder enables
 enhancing of nucleation density, allows to deposit the
 continuous high-quality diamond films with thickness
 from 2 мm and deposition rate more than 1 мm/h. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде Використання мікро- та нанодисперсного алмаза для осадження полікристалічних алмазних плівок у тліючому розряді Using micro- and nanodispersive diamonds for deposition of polycrystalline diamond films in glow discharge Article published earlier |
| spellingShingle | Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде Выровец, И.И. Грицына, В.И. Опалев, О.А. Решетняк, Е.Н. Стрельницкий, В.Е. |
| title | Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде |
| title_alt | Використання мікро- та нанодисперсного алмаза для осадження полікристалічних алмазних плівок у тліючому розряді Using micro- and nanodispersive diamonds for deposition of polycrystalline diamond films in glow discharge |
| title_full | Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде |
| title_fullStr | Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде |
| title_full_unstemmed | Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде |
| title_short | Использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде |
| title_sort | использование микро- и нанодисперсного алмаза для осаждения поликристаллических алмазных пленок в тлеющем разряде |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98812 |
| work_keys_str_mv | AT vyrovecii ispolʹzovaniemikroinanodispersnogoalmazadlâosaždeniâpolikristalličeskihalmaznyhplenokvtleûŝemrazrâde AT gricynavi ispolʹzovaniemikroinanodispersnogoalmazadlâosaždeniâpolikristalličeskihalmaznyhplenokvtleûŝemrazrâde AT opalevoa ispolʹzovaniemikroinanodispersnogoalmazadlâosaždeniâpolikristalličeskihalmaznyhplenokvtleûŝemrazrâde AT rešetnâken ispolʹzovaniemikroinanodispersnogoalmazadlâosaždeniâpolikristalličeskihalmaznyhplenokvtleûŝemrazrâde AT strelʹnickiive ispolʹzovaniemikroinanodispersnogoalmazadlâosaždeniâpolikristalličeskihalmaznyhplenokvtleûŝemrazrâde AT vyrovecii vikoristannâmíkrotananodispersnogoalmazadlâosadžennâpolíkristalíčnihalmaznihplívokutlíûčomurozrâdí AT gricynavi vikoristannâmíkrotananodispersnogoalmazadlâosadžennâpolíkristalíčnihalmaznihplívokutlíûčomurozrâdí AT opalevoa vikoristannâmíkrotananodispersnogoalmazadlâosadžennâpolíkristalíčnihalmaznihplívokutlíûčomurozrâdí AT rešetnâken vikoristannâmíkrotananodispersnogoalmazadlâosadžennâpolíkristalíčnihalmaznihplívokutlíûčomurozrâdí AT strelʹnickiive vikoristannâmíkrotananodispersnogoalmazadlâosadžennâpolíkristalíčnihalmaznihplívokutlíûčomurozrâdí AT vyrovecii usingmicroandnanodispersivediamondsfordepositionofpolycrystallinediamondfilmsinglowdischarge AT gricynavi usingmicroandnanodispersivediamondsfordepositionofpolycrystallinediamondfilmsinglowdischarge AT opalevoa usingmicroandnanodispersivediamondsfordepositionofpolycrystallinediamondfilmsinglowdischarge AT rešetnâken usingmicroandnanodispersivediamondsfordepositionofpolycrystallinediamondfilmsinglowdischarge AT strelʹnickiive usingmicroandnanodispersivediamondsfordepositionofpolycrystallinediamondfilmsinglowdischarge |