Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD

• Опубліковано в: : Физическая инженерия поверхности
• Дата: 2007
• Автори: Ковальчук, И.К., Левенец, В.В., Омельник, А.П., Щур, А.А., Широков, Б.М.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2007
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98831
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD / И.К. Ковальчук, В.В. Левенец, А.П. Омельник, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 197–202. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Метод ХРИ и деконволюционная процедура на основе алгоритма максимального правдоподобия была применена для неразрушающего 3D исследования образцов сплава Si-Ge, полученного методом CVD. Показано, что разработанная технология позволяет изучать локальное распределение элементов и определять профили концентрации Ge до глубины около 20 мкм для данного конкретного сочетания определяемый элемент-матрица. Метод ХРВ и деконволюційна процедура на основі алгоритму максимальної правдоподібності була використана для неруйнівного 3D дослідження зразків сплаву Si-Ge, отриманого методом CVD. Показано що розроблена технологія дозволяє вивчати локальний розподіл елементів і визначати профілі концентрації Ge до глибини біля 20 мкм для даного конкретного сполучення елемент-матриця. Method PIXE and deconvoluted procedure on the basis of algorithm of the maximum likelihood has been applied for not destroying 3D researches of samples of alloy Si-Ge received by method CVD. It is shown, that the developed technology allows to study local distribution of elements and to define structures of concentration Ge up to depth about 20 microns for the given concrete combination a defined element-matrix.