Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD

• Published in: Физическая инженерия поверхности
• Date: 2007
• Main Authors: Ковальчук, И.К., Левенец, В.В., Омельник, А.П., Щур, А.А., Широков, Б.М.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України 2007
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98831
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD / И.К. Ковальчук, В.В. Левенец, А.П. Омельник, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 197–202. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Метод ХРИ и деконволюционная процедура на основе алгоритма максимального правдоподобия была применена для неразрушающего 3D исследования образцов сплава Si-Ge, полученного методом CVD. Показано, что разработанная технология позволяет изучать локальное
 распределение элементов и определять профили концентрации Ge до глубины около 20 мкм
 для данного конкретного сочетания определяемый элемент-матрица. Метод ХРВ и деконволюційна процедура на основі алгоритму максимальної правдоподібності
 була використана для неруйнівного 3D дослідження зразків сплаву Si-Ge, отриманого методом
 CVD. Показано що розроблена технологія дозволяє вивчати локальний розподіл елементів і визначати профілі концентрації Ge до глибини біля
 20 мкм для даного конкретного сполучення елемент-матриця. Method PIXE and deconvoluted procedure on the
 basis of algorithm of the maximum likelihood has
 been applied for not destroying 3D researches of
 samples of alloy Si-Ge received by method CVD. It
 is shown, that the developed technology allows to
 study local distribution of elements and to define
 structures of concentration Ge up to depth about 20
 microns for the given concrete combination a defined
 element-matrix.