Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD
Метод ХРИ и деконволюционная процедура на основе алгоритма максимального правдоподобия была применена для неразрушающего 3D исследования образцов сплава Si-Ge, полученного методом CVD. Показано, что разработанная технология позволяет изучать локальное распределение элементов и определять профили ко...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2007
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98831 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD / И.К. Ковальчук, В.В. Левенец, А.П. Омельник, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 197–202. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98831 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Ковальчук, И.К. Левенец, В.В. Омельник, А.П. Щур, А.А. Широков, Б.М. 2016-04-18T07:08:49Z 2016-04-18T07:08:49Z 2007 Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD / И.К. Ковальчук, В.В. Левенец, А.П. Омельник, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 197–202. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98831 539.1.074.55 Метод ХРИ и деконволюционная процедура на основе алгоритма максимального правдоподобия была применена для неразрушающего 3D исследования образцов сплава Si-Ge, полученного методом CVD. Показано, что разработанная технология позволяет изучать локальное распределение элементов и определять профили концентрации Ge до глубины около 20 мкм для данного конкретного сочетания определяемый элемент-матрица. Метод ХРВ и деконволюційна процедура на основі алгоритму максимальної правдоподібності була використана для неруйнівного 3D дослідження зразків сплаву Si-Ge, отриманого методом CVD. Показано що розроблена технологія дозволяє вивчати локальний розподіл елементів і визначати профілі концентрації Ge до глибини біля 20 мкм для даного конкретного сполучення елемент-матриця. Method PIXE and deconvoluted procedure on the basis of algorithm of the maximum likelihood has been applied for not destroying 3D researches of samples of alloy Si-Ge received by method CVD. It is shown, that the developed technology allows to study local distribution of elements and to define structures of concentration Ge up to depth about 20 microns for the given concrete combination a defined element-matrix. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD Вивчення властивостей плівок сплаву Si-Ge на пучці протонів, отриманих методом CVD Studying on a beam of protons film of alloy Si-Ge, received by method CVD Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD |
| spellingShingle |
Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD Ковальчук, И.К. Левенец, В.В. Омельник, А.П. Щур, А.А. Широков, Б.М. |
| title_short |
Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD |
| title_full |
Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD |
| title_fullStr |
Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD |
| title_full_unstemmed |
Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD |
| title_sort |
изучение свойств пленок сплава si-ge на пучке протонов, полученных методом cvd |
| author |
Ковальчук, И.К. Левенец, В.В. Омельник, А.П. Щур, А.А. Широков, Б.М. |
| author_facet |
Ковальчук, И.К. Левенец, В.В. Омельник, А.П. Щур, А.А. Широков, Б.М. |
| publishDate |
2007 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физическая инженерия поверхности |
| publisher |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вивчення властивостей плівок сплаву Si-Ge на пучці протонів, отриманих методом CVD Studying on a beam of protons film of alloy Si-Ge, received by method CVD |
| description |
Метод ХРИ и деконволюционная процедура на основе алгоритма максимального правдоподобия была применена для неразрушающего 3D исследования образцов сплава Si-Ge, полученного методом CVD. Показано, что разработанная технология позволяет изучать локальное
распределение элементов и определять профили концентрации Ge до глубины около 20 мкм
для данного конкретного сочетания определяемый элемент-матрица.
Метод ХРВ и деконволюційна процедура на основі алгоритму максимальної правдоподібності
була використана для неруйнівного 3D дослідження зразків сплаву Si-Ge, отриманого методом
CVD. Показано що розроблена технологія дозволяє вивчати локальний розподіл елементів і визначати профілі концентрації Ge до глибини біля
20 мкм для даного конкретного сполучення елемент-матриця.
Method PIXE and deconvoluted procedure on the
basis of algorithm of the maximum likelihood has
been applied for not destroying 3D researches of
samples of alloy Si-Ge received by method CVD. It
is shown, that the developed technology allows to
study local distribution of elements and to define
structures of concentration Ge up to depth about 20
microns for the given concrete combination a defined
element-matrix.
|
| issn |
1999-8074 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98831 |
| citation_txt |
Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD / И.К. Ковальчук, В.В. Левенец, А.П. Омельник, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 197–202. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT kovalʹčukik izučeniesvoistvplenoksplavasigenapučkeprotonovpolučennyhmetodomcvd AT levenecvv izučeniesvoistvplenoksplavasigenapučkeprotonovpolučennyhmetodomcvd AT omelʹnikap izučeniesvoistvplenoksplavasigenapučkeprotonovpolučennyhmetodomcvd AT ŝuraa izučeniesvoistvplenoksplavasigenapučkeprotonovpolučennyhmetodomcvd AT širokovbm izučeniesvoistvplenoksplavasigenapučkeprotonovpolučennyhmetodomcvd AT kovalʹčukik vivčennâvlastivosteiplívoksplavusigenapučcíprotonívotrimanihmetodomcvd AT levenecvv vivčennâvlastivosteiplívoksplavusigenapučcíprotonívotrimanihmetodomcvd AT omelʹnikap vivčennâvlastivosteiplívoksplavusigenapučcíprotonívotrimanihmetodomcvd AT ŝuraa vivčennâvlastivosteiplívoksplavusigenapučcíprotonívotrimanihmetodomcvd AT širokovbm vivčennâvlastivosteiplívoksplavusigenapučcíprotonívotrimanihmetodomcvd AT kovalʹčukik studyingonabeamofprotonsfilmofalloysigereceivedbymethodcvd AT levenecvv studyingonabeamofprotonsfilmofalloysigereceivedbymethodcvd AT omelʹnikap studyingonabeamofprotonsfilmofalloysigereceivedbymethodcvd AT ŝuraa studyingonabeamofprotonsfilmofalloysigereceivedbymethodcvd AT širokovbm studyingonabeamofprotonsfilmofalloysigereceivedbymethodcvd |
| first_indexed |
2025-12-07T18:38:57Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:38:57Z |
| _version_ |
1850875825715412992 |