Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD
Метод ХРИ и деконволюционная процедура на основе алгоритма максимального правдоподобия была применена для неразрушающего 3D исследования образцов сплава Si-Ge, полученного методом CVD. Показано, что разработанная технология позволяет изучать локальное
 распределение элементов и определять пр...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2007
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98831 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD / И.К. Ковальчук, В.В. Левенец, А.П. Омельник, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 197–202. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862723004394373120 |
|---|---|
| author | Ковальчук, И.К. Левенец, В.В. Омельник, А.П. Щур, А.А. Широков, Б.М. |
| author_facet | Ковальчук, И.К. Левенец, В.В. Омельник, А.П. Щур, А.А. Широков, Б.М. |
| citation_txt | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD / И.К. Ковальчук, В.В. Левенец, А.П. Омельник, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 197–202. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Метод ХРИ и деконволюционная процедура на основе алгоритма максимального правдоподобия была применена для неразрушающего 3D исследования образцов сплава Si-Ge, полученного методом CVD. Показано, что разработанная технология позволяет изучать локальное
распределение элементов и определять профили концентрации Ge до глубины около 20 мкм
для данного конкретного сочетания определяемый элемент-матрица.
Метод ХРВ и деконволюційна процедура на основі алгоритму максимальної правдоподібності
була використана для неруйнівного 3D дослідження зразків сплаву Si-Ge, отриманого методом
CVD. Показано що розроблена технологія дозволяє вивчати локальний розподіл елементів і визначати профілі концентрації Ge до глибини біля
20 мкм для даного конкретного сполучення елемент-матриця.
Method PIXE and deconvoluted procedure on the
basis of algorithm of the maximum likelihood has
been applied for not destroying 3D researches of
samples of alloy Si-Ge received by method CVD. It
is shown, that the developed technology allows to
study local distribution of elements and to define
structures of concentration Ge up to depth about 20
microns for the given concrete combination a defined
element-matrix.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:38:57Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98831 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:38:57Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковальчук, И.К. Левенец, В.В. Омельник, А.П. Щур, А.А. Широков, Б.М. 2016-04-18T07:08:49Z 2016-04-18T07:08:49Z 2007 Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD / И.К. Ковальчук, В.В. Левенец, А.П. Омельник, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 197–202. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98831 539.1.074.55 Метод ХРИ и деконволюционная процедура на основе алгоритма максимального правдоподобия была применена для неразрушающего 3D исследования образцов сплава Si-Ge, полученного методом CVD. Показано, что разработанная технология позволяет изучать локальное
 распределение элементов и определять профили концентрации Ge до глубины около 20 мкм
 для данного конкретного сочетания определяемый элемент-матрица. Метод ХРВ и деконволюційна процедура на основі алгоритму максимальної правдоподібності
 була використана для неруйнівного 3D дослідження зразків сплаву Si-Ge, отриманого методом
 CVD. Показано що розроблена технологія дозволяє вивчати локальний розподіл елементів і визначати профілі концентрації Ge до глибини біля
 20 мкм для даного конкретного сполучення елемент-матриця. Method PIXE and deconvoluted procedure on the
 basis of algorithm of the maximum likelihood has
 been applied for not destroying 3D researches of
 samples of alloy Si-Ge received by method CVD. It
 is shown, that the developed technology allows to
 study local distribution of elements and to define
 structures of concentration Ge up to depth about 20
 microns for the given concrete combination a defined
 element-matrix. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD Вивчення властивостей плівок сплаву Si-Ge на пучці протонів, отриманих методом CVD Studying on a beam of protons film of alloy Si-Ge, received by method CVD Article published earlier |
| spellingShingle | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD Ковальчук, И.К. Левенец, В.В. Омельник, А.П. Щур, А.А. Широков, Б.М. |
| title | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD |
| title_alt | Вивчення властивостей плівок сплаву Si-Ge на пучці протонів, отриманих методом CVD Studying on a beam of protons film of alloy Si-Ge, received by method CVD |
| title_full | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD |
| title_fullStr | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD |
| title_full_unstemmed | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD |
| title_short | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD |
| title_sort | изучение свойств пленок сплава si-ge на пучке протонов, полученных методом cvd |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98831 |
| work_keys_str_mv | AT kovalʹčukik izučeniesvoistvplenoksplavasigenapučkeprotonovpolučennyhmetodomcvd AT levenecvv izučeniesvoistvplenoksplavasigenapučkeprotonovpolučennyhmetodomcvd AT omelʹnikap izučeniesvoistvplenoksplavasigenapučkeprotonovpolučennyhmetodomcvd AT ŝuraa izučeniesvoistvplenoksplavasigenapučkeprotonovpolučennyhmetodomcvd AT širokovbm izučeniesvoistvplenoksplavasigenapučkeprotonovpolučennyhmetodomcvd AT kovalʹčukik vivčennâvlastivosteiplívoksplavusigenapučcíprotonívotrimanihmetodomcvd AT levenecvv vivčennâvlastivosteiplívoksplavusigenapučcíprotonívotrimanihmetodomcvd AT omelʹnikap vivčennâvlastivosteiplívoksplavusigenapučcíprotonívotrimanihmetodomcvd AT ŝuraa vivčennâvlastivosteiplívoksplavusigenapučcíprotonívotrimanihmetodomcvd AT širokovbm vivčennâvlastivosteiplívoksplavusigenapučcíprotonívotrimanihmetodomcvd AT kovalʹčukik studyingonabeamofprotonsfilmofalloysigereceivedbymethodcvd AT levenecvv studyingonabeamofprotonsfilmofalloysigereceivedbymethodcvd AT omelʹnikap studyingonabeamofprotonsfilmofalloysigereceivedbymethodcvd AT ŝuraa studyingonabeamofprotonsfilmofalloysigereceivedbymethodcvd AT širokovbm studyingonabeamofprotonsfilmofalloysigereceivedbymethodcvd |