Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD
Метод ХРИ и деконволюционная процедура на основе алгоритма максимального правдоподобия была применена для неразрушающего 3D исследования образцов сплава Si-Ge, полученного методом CVD. Показано, что разработанная технология позволяет изучать локальное
 распределение элементов и определять пр...
Saved in:
| Published in: | Физическая инженерия поверхности |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2007
|
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98831 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD / И.К. Ковальчук, В.В. Левенец, А.П. Омельник, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 197–202. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1860247767339761664 |
|---|---|
| author | Ковальчук, И.К. Левенец, В.В. Омельник, А.П. Щур, А.А. Широков, Б.М. |
| author_facet | Ковальчук, И.К. Левенец, В.В. Омельник, А.П. Щур, А.А. Широков, Б.М. |
| citation_txt | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD / И.К. Ковальчук, В.В. Левенец, А.П. Омельник, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 197–202. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физическая инженерия поверхности |
| description | Метод ХРИ и деконволюционная процедура на основе алгоритма максимального правдоподобия была применена для неразрушающего 3D исследования образцов сплава Si-Ge, полученного методом CVD. Показано, что разработанная технология позволяет изучать локальное
распределение элементов и определять профили концентрации Ge до глубины около 20 мкм
для данного конкретного сочетания определяемый элемент-матрица.
Метод ХРВ и деконволюційна процедура на основі алгоритму максимальної правдоподібності
була використана для неруйнівного 3D дослідження зразків сплаву Si-Ge, отриманого методом
CVD. Показано що розроблена технологія дозволяє вивчати локальний розподіл елементів і визначати профілі концентрації Ge до глибини біля
20 мкм для даного конкретного сполучення елемент-матриця.
Method PIXE and deconvoluted procedure on the
basis of algorithm of the maximum likelihood has
been applied for not destroying 3D researches of
samples of alloy Si-Ge received by method CVD. It
is shown, that the developed technology allows to
study local distribution of elements and to define
structures of concentration Ge up to depth about 20
microns for the given concrete combination a defined
element-matrix.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:38:57Z |
| format | Article |
| fulltext |
ФІП ФИП PSE, 2007, т. 5, № 3-4, vol. 5, No. 3-4 197
ВВЕДЕНИЕ
Метод газофазного совместного восстановле-
ния водородом хлоридов кремния и германия
на горячих подложках (CVD) позволяет полу-
чать кремний-гарманиевые сплавы с улуч-
шенными электро- и теплофизическими ха-
рактеристиками [1]. Оптимальным для испо-
льзования в качестве термопребразователей
считается сплав состава Si0,7Ge0,3. И, несмотря
на то, что для метода CVD характерна высо-
кая равномерность распределения Gе в спла-
ве, необходима аналитическая технология,
позволяющая без разрушения образца, в
реальном масштабе времени контролировать
локальное распределение по поверхности
(квадратные сантиметры) и профиль кон-
центрации в глубину (до десятков микрон).
Для решения подобной задачи можно ис-
пользовать масспектрометрический метод с
лазерной абляцией. Последние приборные
реализации этой технологии с применением
аргонового лазера позволяют получать дос-
таточно равномерное испарение вещества в
облучаемой области и, таким образом, вести
послойный анализ объекта. Размеры зонда от
5 нм до 1 мм, глубина испарения до 60 мкм
[2]. Но при использовании этого метода по-
верхностный слой объекта в процессе иссле-
дования будет разрушаться.
Альтернативой может выступать метод на
пучке протонов с регистрацией характерис-
тического рентгеновского излучения (метод
ХРИ). Современные системы фокусировки
пучков позволяют получать пучки с диамет-
рами от сантиметровых до десятков нано-
метров. Сканирующие системы реализуют
возможность исследования поверхности с
визуальным отображением получаемой ин-
формации. Но существуют ограничения по
определению профиля концентрации. Тради-
ционные пучковые технологии – резерфор-
довское обратное рассеяние и метод ядерных
реакций дают такую возможность, но только
на маленьких глубинах и для ограниченного
количества элементов и комбинаций мат-
рица-определяемый элемент. Для глубин в
10 мкм может рассматриваться метод ХРИ.
В основе применения метода ХРИ для та-
кой задачи лежит регистрация характеристи-
ческого рентгеновского излучения от всех
элементов с порядковым номером более де-
сяти. При этом выходы от всех элементов мо-
гут быть преобразованы в профили. Посколь-
ку одно измерение дает по одному значению
выхода для каждого элемента, то необходимо
проводить серию измерений при разных эне-
ргиях налетающих частиц или разных гео-
метрических условиях (углах). За последние
20 лет были выполнены работы, в которых
использовались разные подходы при проведе-
нии измерений спектра рентгеновского из-
лучения и математической обработки при
получении профиля распределения элемента
в образце [3-5].
Целью данной работы является исследова-
ние распределения германия в сплаве Si-Ge,
полученном методом СVD при разных пара-
метрах осаждения с определением профиля
концентрации с помощью регистрации рент-
геновского излучения при разных энергиях
протонов и метода максимального правдо-
подобия.
УДК 539.1.074.55
ИЗУЧЕНИЕ СВОЙСТВ ПЛЕНОК СПЛАВА Si-Ge НА ПУЧКЕ ПРОТОНОВ,
ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ CVD
И.К. Ковальчук, В.В. Левенец, А.П. Омельник, А.А. Щур, Б.М. Широков
Институт физики твердого тела, материаловедения и технологий ННЦ ХФТИ
Украина
Поступила в редакцию 26.07.2007
Метод ХРИ и деконволюционная процедура на основе алгоритма максимального правдо-
подобия была применена для неразрушающего 3D исследования образцов сплава Si-Ge, полу-
ченного методом CVD. Показано, что разработанная технология позволяет изучать локальное
распределение элементов и определять профили концентрации Ge до глубины около 20 мкм
для данного конкретного сочетания определяемый элемент-матрица.
ФІП ФИП PSE, 2007, т. 5, № 3-4, vol. 5, No. 3-4198
ИЗУЧЕНИЕ СВОЙСТВ ПЛЕНОК СПЛАВА Si-Ge НА ПУЧКЕ ПРОТОНОВ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ CVD
ТЕОРИЯ
Метод восстановления профиля концент-
рации основывается на данных по выходу
рентгеновского излучения при разных значе-
ниях протонов. Схематически геометрия об-
лучения образца показана на рис. 1. Пучок
протонов с энергией E0 падает на исследуе-
мый образец под углом θ к нормали. Харак-
теристическое рентгеновское излучение
(ХРИ), возникающее при взаимодействии
протонов с атомами необходимого элемента,
регистрируется под углом ϕ к нормали. Ин-
тегральное уравнение, описывающее указан-
ный процесс имеет вид:
( ) ×
π
Ωη
=ϕθ
4
,,0
pN
EY
( ) ( )( ) ( )∫
θ
ϕµ−σ×
cos
0
cosexp
R
dxxxExc , (1)
где Np – количество упавших на мишень про-
тонов; η – эффективность регистрации х.р.и.;
Ω – телесный угол детектора; c(x) – концент-
рация примеси как функция глубины –x;
σ(E(x)) – сечение возбуждения характеристи-
ческого рентгеновского излучения протонами
с энергией E; µ –коэффициент поглощения
рентгеновского излучения в исследуемом об-
разце; R – пробег протонов с начальной энер-
гией E0 в исследуемом образце.
Сечение возбуждения ХРИ для германия
монотонно возрастает с энергией протонов
приблизительно по степенному закону (σ ~
E3,5-4,5) до энергии около 17 МэВ. Величина
пробега протонов в веществе мишени зависит
от их начальной энергии. Варьируя энергию
пучка при фиксированных углах θ и ϕ, можно
получить набор выходов ХРИ для последую-
щего определения профиля концентрации
элемента c(x) в исследуемом образце до глу-
глубины, в принципе, определяемой пробе-
гом протонов с максимальной энергией.
Дискретизация уравнения (1) приводит к
системе линейных алгебраических уравне-
ний: cAY j
j
iji ∑= , (2)
где Yi = Y(E0, θ, ϕ );
( )( ) ( )∫
−
ϕµ−σ
π
Ωη
=
j
j
x
x
p
ij dxxxE
N
A
1
cosexp
4 .
Матричный элемент Aij определяется экс-
периментальными условиями и составом ис-
следуемого образца. Во многих случаях мат-
рица Aij является плохо обусловленной, что
приводит к неустойчивости получаемого ре-
шения. В работе [6], для определения про-
филя концентрации методом ХРИ, был пред-
ложен итерационный алгоритм максималь-
ного правдоподобия, который ранее был
успешно применен для компьютерной томо-
графии. При этом предполагается, что Yi и
слагаемые Xij = Aijcj, являются случайными пу-
ассоновскими величинами, для которых при-
водится выражение распределения вероятно-
стей значений Xij, в зависимости от cj. В ка-
честве решения берется такая совокупность
cj, которой соответствует максимальная плот-
ность вероятности для множества значений
Xij при условиях ∑=
j
iji XY . Вычислитель-
тный алгоритм задается следующей итераци-
онной формулой:
( )
( )
( )∑
∑∑
=+
i
k
n
kik
i
ij
k
ki
n
jn
j cA
Y
A
A
c
c 1
. (3)
Рис. 1. Геометрия эксперимента при определении про-
филя примеси методом ХРИ. 1 – детектор рентгенов-
ского излучения, 2 – мищень.
ФІП ФИП PSE, 2007, т. 5, № 3-4, vol. 5, No. 3-4 199
Начальная величина концентрации опре-
деляется из условия:
( )
∑ ∑
=
i k
iki
U
j AY
i
c
max
1
. (4)
На основе указанного алгоритма была раз-
работана программа для вычисления профи-
ля концентрации.
ЭКСПЕРИМЕНТ
ПОЛУЧЕНИЕ ОБРАЗЦОВ
Получение плотных компактных конденсатов
с содержанием германия до 30% проводилось
на газофазной установке ИФТТМТ ННЦ
ХФТИ [7], которая включает в себя горизон-
тальную реакционную камеру Ж150 мм и
длиной 600 мм. В качестве подложек испо-
льзовались плоские графитовые подложки
размером 80×10×1 мм, нагреваемые прямым
пропусканием тока. Температура подложки
варьировалась в диапазоне 900 °С – 1200 °С.
Получение конденсатов проводилось при по-
стоянных условиях осаждения на всей по-
верхности подложки в течение всего процес-
са, а парогазовый поток хлоридов кремния и
германия являлся вязкостным и ламинарным.
Типичный образец, использовавшийся для
проведения исследований равномерности
распределения германия, полученный в таких
условиях, показан на рис. 2. Точки слева (7,5;
9) и справа (7,5; –9,0) несколько затенялись
креплениями подложки к нагревателю.
ВЫПОЛНЕНИЕ АНАЛИТИЧЕСКИХ
ИЗМЕРЕНИЙ
Исследование образцов производилось на
аналитическом ядерно-физическом комплек-
се “Сокол” ИФТТМТ ННЦ ХФТИ [8]. Для из-
мерений использовался выход № 3 под углом
45° влево по ходу пучка. Пучок протонов па-
дал на мишень по нормали к поверхности,
возбуждаемое рентгеновское излучение ре-
гистрировалось Si(Li) детектором под углом
135° к направлению пучка. Детектор распо-
лагался вне вакуума. Рентгеновское излуче-
ние выходило из камеры через фольгу из бе-
риллия толщиной 25 мкм и коллимировалось
диафрагмой с отверстием 2 мм. Для подав-
ления интенсивного излучения матрицы (Si
K-серии) дополнительно использовались фо-
льги из алюминия или мойлара.
Поверхность образца сканировали пучком
протонов с энергией 1,7 МэВ и током 300 нА.
При диаметре пучка на образце 1 мм были
проведены измерения в 13 точках, показан-
ных на рис. 2. с набором заряда в 50 мкКл в
каждой.
При определении профиля концентрации
германия, энергия протонов изменялась от
0,34 МэВ до 1,68 МэВ. В выбранной гео-
метрии облучения для типичной матрицы
состава Si(80%)Ge(20%) это соответствова-
ло пробегу протонов в диапазоне 3,5 мкм –
35 мкм. Заряд протонов при каждом изме-
рении варьировался таким образом, чтобы в
спектре характеристического рентгеновского
излучения площадь пика GeKa составляла не
менее 104 импульсов.
ВАЛИДАЦИЯ ПРОГРАММЫ И МЕТОДА
Тестирование разработанной технологии осу-
ществлялось путем применения ее к восста-
новлению профиля концентрации германия
в кремнии, с использованием расчетных вы-
ходов характеристического рентгеновского
излучения, восстановление профиля цинка в
серебре по экспериментальным данным из
работы [4] и экспериментально на образце
чистого германия. В расчетах и программе ал-
горитма была использована следующая база
данных: сечения возбуждения характеристи-
ческого рентгеновского излучения из работы
[9], коэффициенты поглощения рентгеновс-
кого излучения [10], тормозные потери [11].
Модельный профиль в виде функции Гаусса
с нулевым средним значением и дисперсией
равной 0,01 и подгонка профиля с помощью
созданной программы показаны на рис. 3.
Рис. 2. Образец сплава Si-Ge, полученного методом
CVD. Точки-положение пучка протонов при изучении
локального распределения германия. Цифры показы-
вают расстояние от центра в мм.
И.К. КОВАЛЬЧУК, В.В. ЛЕВЕНЕЦ, А.П. ОМЕЛЬНИК, А.А. ЩУР, Б.М. ШИРОКОВ
ФІП ФИП PSE, 2007, т. 5, № 3-4, vol. 5, No. 3-4200
ИЗУЧЕНИЕ СВОЙСТВ ПЛЕНОК СПЛАВА Si-Ge НА ПУЧКЕ ПРОТОНОВ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ CVD
Алгоритм восстановления профиля методом
максимального правдоподобия является ите-
рационным. При этом каждое новое прибли-
жение должно быть более близким к точному
решению, чем предыдущее. При тестирова-
нии мы столкнулись с тем, что итерационный
процесс не сходится к первоначально задан-
ному тестовому профилю. Это проявляется в
следующем. В алгоритме используется пара-
метр: абсолютная погрешность алгоритма
∆alg. Он представляет собой модуль максима-
льного отклонения между двумя приближе-
ниями, полученными на соседних итерациях.
При итерационном процессе эта величина
уменьшается, и ожидалось, что полученные
приближения будут стремиться к тестовому
варианту. Однако оказалось, что это условие
не выполняется. Вначале получаемые при-
ближения стремятся к тестовому профилю,
при некоторой погрешности алгоритма ока-
зываются наиболее близкими к нему, а затем
наблюдается увеличение расхождения. На
рис. 3в показан наиболее оптимальный ва-
риант подгонки модельного профиля. При
этом весь профиль хорошо описывается под-
гоночной кривой. Различие присутствует то-
лько в удаленной от поверхности образца час-
ти гауссиана и достигает нескольких про-
центов.
Было проведено восстановление профиля
цинка в серебре по выходам излучения К-
серии цинка в серебре при разных значениях
энергии протонов, приведенным в работе [4].
Авторами этой работы использовались два
вида образцов, которые готовились путем от-
жига. Профиль цинка рассчитывался чис-
ленно, и определялся экспериментально пу-
тем последовательного стравливания слоев.
В результате использования технологии при-
готовления образцов формировались два вида
монотонно растущих профилей, которые вы-
ходили на постоянный уровень. Для зондиро-
вания использовалось 19 значений энергии
пучка. Восстановленный, методом максима-
льного правдоподобия по этим эксперимента-
льным данным профиль концентрации цинка,
хорошо совпадает с приведенным в работе [4]
до глубины 6 мкм – глубина выхода на посто-
янную концентрацию.
Величины погрешностей при восстанов-
лении профиля определяются тремя состав-
ляющими. Первая включает погрешности
эксперимента – статистические, измерение
заряда, эффективность детектора и т.д. Они
достаточно малы, и их вкладом можно пре-
небречь. Вторая связана с погрешностью ис-
пользуемых фундаментальных величин: се-
чения, тормозные потери, и, в общем случае,
может достигать 5 – 10 %. Третья определя-
ется погрешностью востановления профиля.
В настоящее время не разработаны критерии
корректного определения погрешности, при-
вносимой алгоритмом максимального прав-
доподобия, однако она может быть оценена
в 15 – 20%. Таким образом, суммарная по-
грешность может достигать 25%. Это огра-
ничивает пространственное разрешение ме-
а) б) в)
Рис. 3. Модельный профиль Ge в кремнии и подгонка с помощью алгоритма максимального правдоподобия
с разными значениями погрешности алгоритма: • – модельный профиль, < – подгонка: а) – ∆alg = 5,0⋅1017;
б) – ∆alg = 5,0⋅1016; в) – ∆alg = 5,0⋅1015.
ФІП ФИП PSE, 2007, т. 5, № 3-4, vol. 5, No. 3-4 201
тода и с его помощью возможно определение
только гладких профилей.
РЕЗУЛЬТАТЫ
При сканировании поверхности образцов со-
став сплава определялся исходя из предполо-
жения, что распределение элементов в анали-
зируемом слое гомогенно. Для исследования
влияния состава матрицы на выход рентге-
новского излучения германия были выпол-
нены измерения выходов ХРИ К-оболочки
германия для серии стандартных образцов в
одинаковых экспериментальных условиях,
при одной и той же энергии протонов. Каж-
дое измерение выполнялось трижды. Обра-
ботка рентгеновских спектров проводилась
с помощью программы WinQxas (МАГАТЭ)
с последующим усреднением. Кроме того, по
программе TRIM были рассчитаны величины
тормозных потерь протонов с 1,7 МэВ в спла-
вах с составом: 5%Ge95%Si, 15%Ge85%Si,
20%Ge80%Si, 25%Ge75%Si, 30%Ge70%Si.
Расчеты показали, что при такой энергии про-
тонов для рассматриваемых матриц различие
в тормозных потерях составляет несколько
процентов. Вследствие этого, скорректиро-
ванный на различие в тормозных потерях
протонов выход рентгеновского излучения
К-серии, линейно зависит от концентрации
германия в диапазоне от 14 до 35% мас., и
эта зависимость может служить калибровоч-
ным графиком при определении концентра-
ции германия.
На рис. 4 показаны результаты определе-
ния профиля германия в двух образцах сплава
Si-Ge. Из полученных данных следует, что
толщина пленки образца № 1 равняется около
16 мкм и распределение германия по толщине
пленки достаточно равномерно. Толщина
пленки сплава в образце № 3 в 2 раза меньше,
чем в образце № 1. При этом проявляется
незначительное спадание концентрации Ge
по толщине пленки.
На образце № 3 был проведен 3D анализ,
т.е. в каждой точке сканирования по поверх-
ности пленки, определялся профиль рас-
пределения германия по глубине образца. На
рис. 5 представлено восстановленное рас-
пределение Ge. Толщина анализируемой
пленки одинакова по всей исследуемой по-
Рис. 4. Профиль распределения Ge в двух образцах
сплава Si-Ge.
а)
б)
Рис. 5. 3D распределение германия в образце №3:
а) – объемный профиль распределения Ge; б) – кар-
тирование профиля.
И.К. КОВАЛЬЧУК, В.В. ЛЕВЕНЕЦ, А.П. ОМЕЛЬНИК, А.А. ЩУР, Б.М. ШИРОКОВ
ФІП ФИП PSE, 2007, т. 5, № 3-4, vol. 5, No. 3-4202
верхности. В основной части образца гер-
маний распределен достаточно равномерно
с небольшими вариациями в отдельных час-
тях и спадает к обоим краям образца. Воз-
можно, это спадание связано с затенением
краев образца держателями.
ВЫВОДЫ
Проведенные исследования показали, что
разработанная аналитическая технология, ис-
пользующая метод ХРИ и деконволюцион-
ную процедуру на основе метода максималь-
ного правдоподобия, позволяет без разруше-
ния образца исследовать профили распреде-
ления элемента на глубину до 20 мкм, и воз-
можно, более, в зависимости от комбинации
матрица-определяемый элемент. Необходимо
отметить, что пространственное разрешение
метода по глубине не лучше нескольких мкм
и поэтому такая технология позволяет опре-
делять только достаточно гладкие профили.
При исследовании локального распреде-
ления представляется возможным проводить
3D анализ для элементов доступных опреде-
лению методом ХРИ.
Технология CVD позволяет стабильно по-
лучать необходимые сплавы с равномерным
или задаваемым распределением элементов
в образце.
ЛИТЕРАТУРА
1. Charles Wood. Refractory semiconductors for
high temperature thermoelectric energy conver-
sion//Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Materials Rese-
earch Society. – 1987. – Vol. 97.
2. http://thermo.com
3. Ahlberg M. Simple depth profile determination
by proton-induced X-ray emission//Nucl. Instr.
Meth. – 1975. – Vol. 131. – P. 381-384.
4. Vegh J., Berenyi D., Koltay E. et. al. Concentrati-
on profile determination by PIXE analysis utili-
zing the variation of beam energy//Nucl. Instr.
Meth. – 1978. – Vol. 153. – P. 553-555.
5. Frontier J.P., Regnier P., Brilliard L., Brissaud I.
A test of two profiling techniques using PIXE//
Nucl. Instr. and Meth. In Phys. Res. – 1986. –
Vol. 14. – P. 348–352.
6. Zhengming L.//J. Phys. D: Appl. Phys.– 1990. –
Vol. 23. – P. 184.
7. Liew S.C., Loh K.K., Tang S.M. Application of
an iterative maximum-likelihood algorithm in
PIXE depth profiling of trace elements//Nucl.
Instr. and Meth. in Phys. Res. – 1994. – Vol. 85.
– P.621-626.
8. Bondarenko V.N., Glazunov L.S., Goncha-
rov A.V., Zats A.V., Karpus S.G., Kuz’men-
ko V.V., Levenets V.V., Omel’nik A.P., Pistry-
ak V.M., Suhostavets V.I., Shchur A.A., Usi-
kov N.P. NSC KIPT analytical nuclear-physics
complex “SOKOL”//Inter. konf. Current Pro-
blems in Nuclear Physics and Atomic Energy.
Proceeedings. Kyiv. – 2006. – P. 847-851.
9. Paul H., Sacher J. Fitted Empirical Reference
Cross Sections for K-Shell Ionization by Protons
//At. Data and Nucl. Data Tabl. – 1989. – Vol.42.–
P. 105.
10. http://physics.nist.gov/XCOM.
11. http://www.srimorg.org
STUDYING ON A BEAM OF PROTONS
FILM OF ALLOY Si-Ge, RECEIVED BY
METHOD CVD
I.K. Kovalchuk, V.V. Levenets,
O.P. Omelnik, A.O. Shchur, B.M. Shirokov
Method PIXE and deconvoluted procedure on the
basis of algorithm of the maximum likelihood has
been applied for not destroying 3D researches of
samples of alloy Si-Ge received by method CVD. It
is shown, that the developed technology allows to
study local distribution of elements and to define
structures of concentration Ge up to depth about 20
microns for the given concrete combination a defined
element-matrix.
ВИВЧЕННЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ ПЛІВОК
СПЛАВУ Si-Ge НА ПУЧЦІ ПРОТОНІВ,
ОТРИМАНИХ МЕТОДОМ CVD
І.К. Ковальчук, В.В. Левенець,
О.П. Омельник, А.О. Щур, Б.М.Широков
Метод ХРВ и деконволюційна процедура на ос-
нові алгоритму максимальної правдоподібності
була використана для неруйнівного 3D дослід-
ження зразків сплаву Si-Ge, отриманого методом
CVD. Показано що розроблена технологія дозво-
ляє вивчати локальний розподіл елементів і виз-
начати профілі концентрації Ge до глибини біля
20 мкм для даного конкретного сполучення еле-
мент-матриця.
ИЗУЧЕНИЕ СВОЙСТВ ПЛЕНОК СПЛАВА Si-Ge НА ПУЧКЕ ПРОТОНОВ, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ CVD
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-98831 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1999-8074 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:38:57Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Ковальчук, И.К. Левенец, В.В. Омельник, А.П. Щур, А.А. Широков, Б.М. 2016-04-18T07:08:49Z 2016-04-18T07:08:49Z 2007 Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD / И.К. Ковальчук, В.В. Левенец, А.П. Омельник, А.А. Щур, Б.М. Широков // Физическая инженерия поверхности. — 2007. — Т. 5, № 3-4. — С. 197–202. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 1999-8074 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98831 539.1.074.55 Метод ХРИ и деконволюционная процедура на основе алгоритма максимального правдоподобия была применена для неразрушающего 3D исследования образцов сплава Si-Ge, полученного методом CVD. Показано, что разработанная технология позволяет изучать локальное
 распределение элементов и определять профили концентрации Ge до глубины около 20 мкм
 для данного конкретного сочетания определяемый элемент-матрица. Метод ХРВ и деконволюційна процедура на основі алгоритму максимальної правдоподібності
 була використана для неруйнівного 3D дослідження зразків сплаву Si-Ge, отриманого методом
 CVD. Показано що розроблена технологія дозволяє вивчати локальний розподіл елементів і визначати профілі концентрації Ge до глибини біля
 20 мкм для даного конкретного сполучення елемент-матриця. Method PIXE and deconvoluted procedure on the
 basis of algorithm of the maximum likelihood has
 been applied for not destroying 3D researches of
 samples of alloy Si-Ge received by method CVD. It
 is shown, that the developed technology allows to
 study local distribution of elements and to define
 structures of concentration Ge up to depth about 20
 microns for the given concrete combination a defined
 element-matrix. ru Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України Физическая инженерия поверхности Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD Вивчення властивостей плівок сплаву Si-Ge на пучці протонів, отриманих методом CVD Studying on a beam of protons film of alloy Si-Ge, received by method CVD Article published earlier |
| spellingShingle | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD Ковальчук, И.К. Левенец, В.В. Омельник, А.П. Щур, А.А. Широков, Б.М. |
| title | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD |
| title_alt | Вивчення властивостей плівок сплаву Si-Ge на пучці протонів, отриманих методом CVD Studying on a beam of protons film of alloy Si-Ge, received by method CVD |
| title_full | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD |
| title_fullStr | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD |
| title_full_unstemmed | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD |
| title_short | Изучение свойств пленок сплава Si-Ge на пучке протонов, полученных методом CVD |
| title_sort | изучение свойств пленок сплава si-ge на пучке протонов, полученных методом cvd |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/98831 |
| work_keys_str_mv | AT kovalʹčukik izučeniesvoistvplenoksplavasigenapučkeprotonovpolučennyhmetodomcvd AT levenecvv izučeniesvoistvplenoksplavasigenapučkeprotonovpolučennyhmetodomcvd AT omelʹnikap izučeniesvoistvplenoksplavasigenapučkeprotonovpolučennyhmetodomcvd AT ŝuraa izučeniesvoistvplenoksplavasigenapučkeprotonovpolučennyhmetodomcvd AT širokovbm izučeniesvoistvplenoksplavasigenapučkeprotonovpolučennyhmetodomcvd AT kovalʹčukik vivčennâvlastivosteiplívoksplavusigenapučcíprotonívotrimanihmetodomcvd AT levenecvv vivčennâvlastivosteiplívoksplavusigenapučcíprotonívotrimanihmetodomcvd AT omelʹnikap vivčennâvlastivosteiplívoksplavusigenapučcíprotonívotrimanihmetodomcvd AT ŝuraa vivčennâvlastivosteiplívoksplavusigenapučcíprotonívotrimanihmetodomcvd AT širokovbm vivčennâvlastivosteiplívoksplavusigenapučcíprotonívotrimanihmetodomcvd AT kovalʹčukik studyingonabeamofprotonsfilmofalloysigereceivedbymethodcvd AT levenecvv studyingonabeamofprotonsfilmofalloysigereceivedbymethodcvd AT omelʹnikap studyingonabeamofprotonsfilmofalloysigereceivedbymethodcvd AT ŝuraa studyingonabeamofprotonsfilmofalloysigereceivedbymethodcvd AT širokovbm studyingonabeamofprotonsfilmofalloysigereceivedbymethodcvd |